学科分类
/ 2
22 个结果
  • 简介:利用日本原子力研究机构串列加速器提供的能量为85和95MeV的28Si束流,通过重离子熔合蒸发反应76Ge(28Si,3n),布居了101Pd的自旋激发态。根据标准在束核谱学实验测量结果,拓展了基于d5/2和1/2-[550]组态的能级纲图,新发现了1/2-[550]组态的非优惠旋称分支,完整观测到了101Pd原子核中正负宇称带的带交叉现象。根据系统性分析,将101Pd中观测到的带交叉现象归咎于g9/2质子顺排。

  • 标签: 高自旋态 带交叉 顺排
  • 简介:在α次积分C半和双连续n次积分C半的基础上,探讨了双连续α次积分C半的扰动性,得到了双连续α次积分C半的扰动定理,并且在局部Lipschitz连续条件下证明双连续α次积分C半的扰动理论仍然成立.

  • 标签: 双连续α次积分C半群 指数有界 生成元 扰动
  • 简介:研制了一台小型超宽谱功率微波辐射系统,该系统由Tesla型100kV级ns脉冲源、Peaking-chopping型亚ns气体开关及TEM喇叭天线构成.系统重复运行频率为100Hz,辐射因子rEp值为75kV,主轴辐射场中心频率为520MHz,-3dB频谱范围为230~810MHz.系统集成于一便携箱内,体积为80cm×50cm×26cm,重量约45kg.该系统结构紧凑,能够快速展开和撤收,可方便用于超宽谱功率微波应用技术研究.

  • 标签: 超宽谱 高功率微波 TESLA变压器 天线 辐射因子
  • 简介:为提高太赫兹脉冲的功率测量精度,基于n型硅在强电场下的热电子效应,研制了一种采用过模结构的0.14THz脉冲功率探测器.该探测器由基模波导WR6、过渡波导、过模波导WR10、n型硅探测芯片和偏置恒流源组成.首先介绍了探测器的结构及工作原理,给出了相对灵敏度表达式,分析表明过模探测器能在TE1o模式下很好地工作.然后结合国内工艺水平,根据模拟计算结果设计了探测芯片的结构参数,完成了探测芯片的加工和探测器的制作.最后,利用该探测器对0.14THz相对论表面波振荡器的辐射场进行了验证性测量,并与二极管检波器的测量结果进行了对比分析.结果表明,过模探测器的响应时间在ps量级,相对灵敏度约为0.12kW-1,最大承受功率至少为数十瓦,可用于0.14THz功率脉冲的直接探测.

  • 标签: 高功率太赫兹脉冲 过模 探测器 功率 热电子
  • 简介:利用三维电磁场时域有限差分法,研究了n型硅片对0.3~0.4THz功率脉冲的响应.模拟计算了波导内电场分布、电压驻波比及硅块内平均电场,给出了硅块几何尺寸和电阻率对上述物理量的影响规律.通过调整硅块的长、宽、及电阻率,最后给出了一种可用于该频段功率太赫兹脉冲功率测量的探测器物理模型,其灵敏度约为0.509kW-1,幅度波动不超过±14%,电压驻波比不大于1.34.

  • 标签: 高功率 太赫兹 半导体探测器 灵敏度
  • 简介:项目反应理论作为一种现代的教育和心理测量方法,凭借其强大的优势和先进性,在实际测量中应用越来越广泛.能否有效地估计模型中的参数是项目反应模型得以应用的前提.本文基于数据扩充技术给出了一种适用于三参数正态卵模型的Gibbs抽样算法,有效的实现三参数正态卵模型的贝叶斯分析.最后,通过计算机模拟研究和实例分析对该算法的有效性进行了验证.

  • 标签: 正态双卵模型 GIBBS抽样 MCMC方法 贝叶斯估计
  • 简介:针对惯性器件输出噪声引起高精度机载POS(PositionandOrientationSystem)地面位置对准精度较差的问题,提出基于小波滤波和隐马尔科夫建模的数据预处理方法结合自适应卡尔曼滤波的位置对准方法。首先分析惯性敏感器原始信息的频率特性,利用小波滤波算法,消除惯性器件测量中的高频噪声;综合分析器件的随机游走特性,通过建立隐马尔科夫模型削弱惯性敏感器输出随机游走的影响;并针对降噪处理、电源波动及环境因素等引起的系统噪声统计规律不确定性问题,提出利用自适应卡尔曼滤波的方法实现POS高精度初始对准。试验结果表明,采用本文所提方法的对准结果,可使对准结束后600s纯捷联解算的水平速度误差由1.278m/s减小至0.6061m/s,水平位置误差由274.6m减小至128.2m,水平速度和位置误差均减小了50%左右。

  • 标签: 小波滤波 位置姿态系统 双位置对准 自适应卡尔曼滤波
  • 简介:针对孔合采油藏,首次建立了考虑有效井径和井筒储集的变流率情形的试井分析数学模型;利用Laplace变换,在Laplace空间中得到了储层压力和井壁压力的精确解;发现在三种外边界条件下的解式之间具有统一的结构,此项研究给编制试井分析软件带来极大的便利,对油气藏渗流规律的理论研究也具有深远的意义.

  • 标签: 双孔合采油藏 有效井径 变流率 相似结构 核函数
  • 简介:制备了锌修饰铂电极,建立了一种新的测定Zn(Ⅱ)的示波电位滴定法。在六次甲基四胺溶液(1.0mol/L)中(pH=5.5),用制备的修饰铂电极作为指示电极,以EDTA标准溶液滴定Zn(Ⅱ),利用示波器屏幕上荧光点的显著最大位移指示滴定终点。在3.0×10^-4~2.0×10^-3mol/L的浓度范围内,Zn(Ⅱ)的回收率为99.9%~100.2%。该修饰电极具有良好的稳定性和重现性,对Zn(Ⅱ,1.0×10-3mol/L)溶液连续11次测定,所得终点电位值均在10.1mV左右,其相对标准偏差(RsD)为0.5%。用来测定含锌的实际样品,其结果与指示剂法测定的值基本一致。

  • 标签: 示波分析 双电位滴定法 修饰铂电极 Zn(Ⅱ) EDTA
  • 简介:采用气相色谱-质谱联用法研究了微波条件对食品接触材料中酚A在水、乙酸(3%,体积分数)、乙醇(10%,体积分数)、橄榄油4种食品模拟物中迁移行为的影响。在微波加热下,食品快速升温并能将热量传递给外部包装,从而加速包装材料中酚A向食品的迁移。研究了不同微波温度、时间和功率下酚A在4种食品模拟物中的迁移规律,结果表明:微波对酚A迁移有显著影响,迁移量随着微波温度、时间和功率的增加而增加。在相同加热温度和时间条件下,微波加热方式中酚A在4种食品模拟物种的迁移量均高于水浴加热。

  • 标签: 双酚A 食品模拟物 迁移 微波
  • 简介:简要介绍了强电磁脉冲环境及效应等方面的研究内容和进展状况,讨论了强电磁效应和评估与一般的电子战、电磁干扰、子系统之间的电磁兼容等之间的共同性和差异,并简要介绍了电磁防御的措施.

  • 标签: 高功率电磁脉冲 强电磁效应 电磁兼容 电磁易损性 评估
  • 简介:纯锗(HPGe)探测器是上个世纪70年代发展起来主要用于探测?射线的实验仪器。因其具有能量分辨率、线性范围宽、探测效率、性能稳定等优点,被广泛应用于核辐射探测领域中。本文对HPGe的基本结构、探测原理、技术发展以及在大学近代物理实验教学科研中的应用进行了详细阐述。

  • 标签: 高纯锗探测器 教学科研 应用
  • 简介:主要研究一类具有参数的拟线性微分方程的奇摄动Robin边值问题.利用微分不等式理论,对两参数分三种不同情形对解的构造进行分析.并得到相应问题在各情形下的渐近解和余项估计.

  • 标签: 奇摄动 双参数 ROBIN问题 微分不等式
  • 简介:为实现2×5GW级路输出超宽谱功率微波驱动源的小型化,研制了一种初级脉冲功率源——与双筒脉冲形成线(Blumlein线)相配一体化的带有开路磁芯的Tesla变压器.通过对Tesla变压器的理论分析,并根据简化的磁路模型得出了Tesla变压器初、次级线圈电感等电参数的估算方法,给出了Tesla变压器磁芯截面的估算和磁芯制作方法.实验结果表明,Tesla变压器最大输出电压为880kV,充电时间约为20μts,耦合系数约为0.95,与理论值吻合较好.

  • 标签: TESLA变压器 初级线圈 次级线圈 开路磁芯
  • 简介:采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

  • 标签: 半带电压漂移 低剂量率辐射损伤增强 MOS电容 总剂量
  • 简介:在外加注入信号的速调型相对论返波管的基础上,通过在注入腔和谐振反射器之间插入两个预调制腔,提出了一种带预调制腔的速调型相对论返波管.预调制腔实现了对电子束的预调制,增加了电子束在间隙提取腔内的一次谐波电流幅度.与外加注入信号的速调型相对论返波管相比,功率转换效率从48%提高到57%,控制10GW输出微波相位所需的注入信号功率从10MW减少到0.8MW,注入口的泄露功率从120MW缩小到35MW.

  • 标签: 高功率微波 相对论返波管 慢波结构 相位控制 预调制
  • 简介:摘要:端激光雷达用于大气探测实验时,所测散射信号包括单次和多次散射信号,其中大气反演基于单次散射信号。本文利用单次和多次散射信号与端激光雷达的接收端视场角的不同关系,提出改变利用多视场法进行多次测量,并从测量结果中定量计算出单次和多次散射信号,使用理论模型计算的结果表明多视场法是可行的,基于端激光雷达的大气探测实验的精度有望得到较大提高。

  • 标签: 多视场法 大气探测实验 双端激光雷达 单次散射 多次散射
  • 简介:基于密度泛函理论(DFT)平面波超软赝势方法,对MgF:晶体近邻F位进行空穴调制掺杂,选择PBE泛函进行计算,对比N单掺杂MgF:晶体和N近邻掺杂MgF。晶体的晶体结构、电子结构以及吸收光谱.通过对电子结构的比较,研究了N近邻掺杂对MgFz光催化活性的影响,给出了离子之间的协同作用机理.通过对比可以看出,N近邻掺杂对MgF:晶体光学性能具有较佳的调制效果,其效果优于(N,Fe)掺杂调制.

  • 标签: 密度泛函理论 双空穴调制 电子结构 光学性质
  • 简介:采用氢氟酸和高氯酸的混合酸为溶剂,微波消解法处理碳铬铁样品,电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP—AES)测定溶液中的硅、磷和锰,利用仪器扣背景的功能消除高浓度基体的干扰。结果表明,样品不经基体匹配可以直接测定。方法的线性相关系数大于0.99994,能够同时测定三种金属元素,具有快速、高效、清洁、污染少等优点,完全能满足分析的要求。

  • 标签: ICP—AES 高碳铬铁