简介：使用像增强型电荷耦合器件（intensifiedchargecoupleddevice，IccD）相机系统时，需要对像增强器的选通时刻、选通宽度以及增益大小进行控制。将现场可编程逻辑门阵列（fieldprogrammablegatearray，FPGA）和专业数字延时芯片AD9501配合使用，可以产生延时和脉宽均可大动态范围、高分辨数字调节的脉冲，同时保证延时精度，从而精确控制像增强器的选通时刻和选通宽度；利用FPGA控制数字电位器MCP42010，调节像增强器微通道板两端高压，可实现对像增强器增益的控制；采用RS485总线方式完成上位计算机与FPGA的远程通信，可实现程控功能。程控电路输出的选通脉冲，其延时动态范围为110ns～4．3ms，脉宽动态范围为0～4．3ms，分辨率均为65ps，脉冲延时抖动的均方根不大于147ps；实现了256挡位的增益调节。

简介：测试了在高能电子辐照和高工作电压共同作用下，星用高压电缆的静电放电信号。同时，利用蒙特卡罗方法分析了高能电子沉积位置，并利用有限元法分析了高工作电压下，高压电缆的内部电场分布及变化。

简介：基于功率MOSFET器件研制了一种能产生高压高速脉冲的发生装置.设计了由超高速运算放大器构成的宽频带放大器和MOSFET互补推挽驱动电路,分析了功率MOSFET器件的开关特性,并讨论了影响其工作速度及工作频率的因素.脉冲发生器输出脉冲幅值最高可达-500V,前后沿时间均小于5ns.脉冲宽度和频率根据输入触发信号进行调节,触发延迟小于30ns,触发抖动小于500ps.

简介：基于表面增强拉曼光谱的成像分析方法具有频带窄，水溶液背景弱，稳定性好，高特异性等优势已成为生物成像领域的优良选择。拉曼成像技术拓展了拉曼光谱的应用范围，使其不再只是检测单点化学成分的手段，而进一步用于对评价区域内化学物质成分、分布及变化进行整体统计和描述。本文探讨了表面增强拉曼散射的原理及增强机制，介绍了基于表面增强拉曼光谱的拉曼成像技术，并对其在无标记成像及带标记成像中的细胞成像、活体成像，特别是其在生物医学方面的应用进行了详细论述，最后讨论了表面增强拉曼光谱生物成像技术存在的问题，展望了该项技术的研究和应用前景。

简介：针对传统天文导航方法和GNSS导航方法应用于中高轨道航天器尤其是大椭圆轨道机动航天器自主导航的缺陷，提出一种基于低轨道天基平台实时跟踪观测的轨道机动航天器在轨绝对导航方法。其具体实施过程为布置于低轨道的天基平台利用其自带观测敏感器对轨道机动航天器进行全程实时跟踪测量，并将测量所得的星光角距信息和测距信息发送至轨道机动航天器，航天器根据接收得的量测信息结合自身状态预估信息通过最优滤波估计算法实现导航解算。仿真结果表明该方案具备较强的可行性，且该导航系统具有较高的导航估计精度，能够弥补传统天文导航和GNSS导航方法的不足之处，当天基平台自主定轨精度为80m时轨道机动航天器导航位置估计误差在120m以内。

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

简介：在求解常系数线性微分方程组时，关键是基解矩阵的计算．给出了利用哈密顿一凯莱定理计算基解矩阵的一种方法，并通过实例说明了这种方法的特点和在简化计算方面的有效性．

简介：采用粉末样品直接压片法，使用自制校准样品在布鲁克S2RANGEREDX光谱仪上通过各种基体干扰校正手段，建立了基夫赛特直接炼铅炉渣中Pb，Zn，Cu，Fe，SiO2，CaO的测定工作曲线，并考察了样品粒度、制样条件对结果的影响以及考核了压片精度和方法准确度。方法简便快捷、精密度高、准确度满足主产工艺指标要求。

简介：测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现：ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体（晶粒内）的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。

简介：通过自由基胶束共聚法制备疏水单体为N,N-二环己基丙烯酰胺（DCHAM）的三元共聚两亲聚合物P（AM-NaA-DCHAM）.P（AM-NaA-DCHAM）临界聚集浓度cAC为800mg/L;浓度大于cAC,随着聚合物浓度的增加,聚集体的表观流体力学半径增加.温度升高聚集体的表观流体力学半径降低,聚合物溶液的表观黏度降低.金属离子的加入降低了聚集体的流体力学半径及溶液的表观黏度;二价金属离子对聚集体的影响远大于一价金属离子.