简介：设A、B、C分别为n×n,m×m,n×m复数矩阵，本文得到缺项矩阵（？CC^*B）\(?CC^*?)\(A??B)及（？？？B）存在投影补的充分必要条件，并且给出这些投影补的完全刻画。

简介：采用液相外延工艺成功制备了Tb3+,YAGG单晶荧光层,研究了Tb,+激活YAG主晶格外延层中Ga3+掺杂的荧光敏化效应,可以看到在Tb"十荧光得到显著增强的同时,外延荧光层发光的饱和特性也有所改善。实验中观察到了Ga"十掺杂后基质晶体吸收边缘向长波方向展宽,并与Tb3+的’F。一,E、7E典型吸收峰发生交叠的现象,用

简介：O482.312002032290稀土铽配合物的升频转换荧光=Up-conversionfluorescencespectraofTb3+complexes[刊,中]/陈慰宗,杨一心,宋应谦,忽满得,高平安（西北大学物理系.陕西,西安（710068））//光子学报.-2001,30（8）.-970-972以波长为532nm的激光作为激发光,观测了铽（Tb）三种不同配合物的荧光光谱,讨论和分析了铽配合物的升频转换荧光的特性、发光机制及配体的影响。图

简介：梯形近似方法是研究低密度、短程力系统的主要方法,在典型的实验条件下,超冷费米气体满足梯形近似方法的使用条件。本文我们首先对超冷费米气体进行简要介绍,接着介绍了多体物理中的梯形近似方法在其中的应用,希望有助于学生对梯形近似方法的理解和掌握。

简介：研究了由两个同型部件、一个转换开关和一个修理工组成的电站单元机组辅助设备的冷贮备系统.通过选取空间及定义算子,将模型方程转化成了Banach空间中的抽象Cauchy问题.通过分析系统主算子的谱分布,求出主算子的谱上界.利用预解正算子及共尾理论,证明了主算子的谱上界和增长界相等.

简介：O482.3199053412硅发光研究=Researchonsiliconluminescence[刊,中]/夏建白（中科院半导体所.北京（100083））//半导体学报.—1998,19（5）.—321—326介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质,掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制效应和表面复合效应。最后介绍了两个硅发光器件,表明硅发光器件的前景是光明的。图9参15（方舟）O482.3199053413离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究=Photoluminescencestudyofluminescentcentersinerbium—implantedsilicon[刊,中]/雷红兵,杨沁清,王启明（中科院半导体所.北京（100083））,周必忠,肖方

简介：<正>发散性思维是一种从已知信息中产生大量变化的、独特的、新信息的思维,是一种沿不同方向、在不同范围、不因循传统的思维,是创新思维的核心,也是一种良好的学习品质.我们数学教学中的一题多解就是被推崇为培养学生发散性思维的绝好途径.一题多解即一题多

简介：HilbertC*-模上框架的框架变换的实质是将该模进行膨胀,使得该框架变换的值域存在标准正交基,以便于HilbertC*-模上不同框架之间关系的研究.受此启发,本文引入了HilbertC*-模上框架(强)可补的概念,给出并证明了HilbertC*-模上有限个框架(强)可补的充要条件.

简介：O482.3195021317P-GaP中离子注入缺陷的形成=Formationoftheion-implantationdefectinP—typeGaP[刊,中]/李宝军,张旭（甘肃教育学院物理系.甘肃,兰州（730000））//半导体光电.—1994,15（4）.—369—371研究了Zn+离子注入P—GaP半导体所引起的缺陷.在电流密度为0.03μA/Cm2下,将注入Zn+离子剂量为1×1014离子/厘米2的GaP样品腐蚀出蚀

简介：TB342002032291紫外光固化涂料的研究现状=ResearchstatusofUVcuringcoatings[刊,中]/白新德,查萍(清华大学材料科学与工程系.北京(100084)),尹应武(清华大学化学系.北京(100084))//清华大学学报.自然科学版.-2001,41(10).-30-32从紫外固化技术的原理出发,概述了国内外研究进展。介绍了光固化涂料的各个组成部分及其发展情况,分析其性能和结构的关系,提出了既要开展理论研究又要重视应用研究的新思路。在展望了紫外光固化涂料

简介：O482.3196021361电化学引起Si:Er3+材料1.54μm发光增强=Theanodizationinduced1.54μmluminescentintensificationoftheSi:Er3+material[刊,中]/周咏东（中科院上海技物所）,金亿鑫,李仪,蒋红,李菊生（中科院长春物理所）∥红外与毫米波学报。—1995,14（4）。—317—320利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er3+样品的光致发光影响。实验结果表明:电化学过程除在Si:Er3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er3+样品中Er3+的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er3+发光峰增

简介：利用wittig反应和Wittig一Horner反应,合成了含有三苯胺单元的交替共聚物,它们具有良好的溶解性、成膜性和热稳定性,是一类具有较高效率的发绿光材料。通过在聚合物中引人药和联苯的结构以及在PPV单元上引人不同链长的侧基等,研究了聚合物的几何构型

简介：目前钛合金模锻件主要采用等温成形，需要专用的慢速可调压力设备和昂贵的高温镍基合金模具，并需要专门的加热装置。当前钛合件零件趋于多样化，企业更多采用柔性化生产，为每种锻件生产专用等温模锻模具和加热装置非常不经济，研究常规条件下钛合金变形存在的问题和解决方法，利用常规设备和普通模具锻造出具有较高尺寸精度的锻件，将使得钛合金的应用进一步扩大，降低制造成本。

简介：详细介绍了在中性原子系统中产生规范场的两种方案：旋转和贝里相位,并讨论了这两种方案的理论结构。重点讨论了如何利用贝里相原理产生了非阿贝尔规范场,并分析了现在实验中所用的具体方案。

简介：基于右上角元素值域的闭性和某空间族的维数扰动,得到了缺项四分块算子矩阵（AC？B）存在可逆补的一个新的充分必要条件,结果表明该类补问题可以转化为缺项上三角算子矩阵的可逆补加以解决.

简介：摘要我国输变电工程大量应用钢筋混凝土构支架，混凝土构支架与钢构支架相比具有投资少、耐腐蚀等优势。而随着使用时间的增长，钢筋混凝土构支架易发生老化、炭化、腐蚀、开裂、鼓包、剥落、掉块、“渗白”、钢筋外露锈蚀、断开等破损、破坏现象。特别是我省部分变电站地处海边，构支架长期受盐雾侵蚀；加上随着周边区域的发展，环境污染源的不断产生，构支架受到外界有害气体介质的污染侵蚀，通过自然雨水的渗透作用，加速了构支架的腐蚀。构支架腐蚀表面有不断发展趋势，对变电站设备的长期安全运行已经产生严重影响。

简介：针对机载SAR运补系统中使用的DGPS/SINS组合系统Kalman滤波器所遇到的发散问题,提出了带遗忘因子H∞的滤波新方法.通过仿真计算表明:与常规间接反馈校正Kalman滤波器相比,这种方法大大提高了组合导航系统的稳定性和跟踪性.

简介：TB432002042855微腔对有机发光的影响的研究=Microcavityeffectsonorganicemissionlight[刊,中]/初国强,高劲松,朱万彬(中科院长春光机所.吉林,长春(130022))∥光学仪器.—2001,23(5/6).—202-205

简介：TB432003053760双通偏振干涉滤光片的研究=Researchofdouble-passpolarizationinterferencefilters[刊,中]/贺银波(浙江大学光电系,现代光学仪器国家重点实验室.浙江,杭州(310027)),熊静懿…//光学学报-2003,23(1).-89-94研究了等厚度双能偏振干涉滤光片,在此基础上提出了新型双通偏振干涉滤光片,并分析了单通、双通以及新型双通偏振干涉滤光片的光谱特性。结果表明,新型双通偏振干涉滤光片不仅具有更好的光谱特性,而且能

简介：TN2596042530光纤表面电晕等离子体漂移区电导率研究=Researchonconductivityofcoronaplasmadriftingareaonopticalfibersurface[会,中]/赵庆勋,崔志云,董丽芳,张开锡(河北大学物理系.河北,保定(071001)),张平(中科院物理系.北京(100080))∥第八届全国集成光学、第五届全国纤维光学、第三届全国孤子通信与非线性导波、全国光纤传感学术交流会.—江苏,连云港,95.9