简介：TQ174.758.2399053410半导陶瓷的红外吸收谱和喇曼散射谱=InfraredabsorptionandRamanscatteringspectraofsemiconductingceramics[刊,中]/胡绪洲,杨爱明,胡晓春（云南大学物理系.云南,昆明（650091））//半导体学报.—1998,19（7）.—503—509ZrO2.SiO2.P2O5半导陶瓷是由ZrO2、SiO2和H3PO4用高温同相反应制成。它的傅里叶红外吸收谱是

简介：TQ174.758.2396032015掺杂Cr2+和Nd3+玻璃陶瓷的光谱特性=SpectroscopiccharacteristicsofCrandNddopedglass-ceramics[刊,中]/端木庆铎,苏春辉（长春光机学院材料工程系.吉林,长春（130022））//功能材料.-1995,26（1）.-48-51根据分相成核原理,通过一步热处理过程,制备了双掺杂B2O2-Al2O3-SiO2系统透明玻璃陶瓷。XRD分析确定主晶相为莫来石固溶体;分别测定了材料的吸收光谱、发射光谱和荧光寿命,分析讨论了铬和钕格位分布及光谱特点。图5表1参7（赵桂云）TQ325.796032016光学塑料的性能评价、应用及改性研究=Propertyevaluations,applicationsandmodificationstudiesofopticalplastics[刊,中]/杨柏,高长有,沈家骢（吉林大学化学系.吉林,长春（130023））//功能

简介：在很多情况下,AFM图像的几何形貌都与实物存在差异的。本文主要针对压电陶瓷非线性引起的图像的失真,通过实验用标准DVD光盘对图像加以校正。希望用校正以后的软件,能尽可能获得样品的真实信息。

简介：针对压电陶瓷的压电系数实验测量中仪器调节的困难,通过放置一个三面箱体辅助仪器来改善对光路的调节,同时在给压电陶瓷施加电压的电路中接入电压报警器,有效控制施加在压电陶瓷上的电压大小,以此避免压电陶瓷的疲劳受损乃至被烧坏。

简介：简述了X射线荧光光谱分析的基本原理以及EDXRF的工作原理,从制作工艺、呈色机理、时空判别、文物保护四个方面列举了近些年来EDXRF在古陶瓷研究中的应用现状,最后指出EDXRF在古陶瓷研究中存在的不足及展望。本文旨在推动EDXRF在古陶瓷研究领域得到更加广泛和深入的应用。

简介：以PbO，MgO，Nb2O5，TiO2为原料，采用两步固态反应法制备了纯钙钛矿相的0．92PMN-0．08PT陶瓷，并对其相的组成、微观形貌、介电性能和储能性能进行了研究。在25℃，1kHz条件下，该陶瓷的相对介电常数高达27480，介电损耗tan艿仅为4％，电滞回线形状细长，剩余极化很小，可释放的能量密度达0．31J·cm-3.结果表明：室温下该陶瓷具有优良的介电和储能性能。

简介：为了研究弹体以低于400m·s^-1的侵彻速度侵彻陶瓷混凝土复合靶体时，侵彻深度与侵彻速度及材料参数之间的关系，利用Forrestal空腔膨胀理论和弹体侵彻混凝土靶体的经验公式，在弹体对靶体的不同侵彻状态下，计算了弹体受到的侵彻阻力。依据牛顿第二运动定律，建立了弹体低速撞击陶瓷混凝土靶体的侵彻深度计算模型，并将理论计算的侵彻深度与已有试验数据进行了比对分析，结果表明两者间的相对偏差较小，证明了该理论计算模型及其计算结果具有可靠性。

简介：采用熔融片制样用X射线荧光光谱法对陶瓷、色料和釉物料中Na,Mg,A1,Si,P,S,K,Ca,Ti,Mn,Fe,Ba,Zr,Zn,Hf15种元素进行了测定,用理论α系数校正基体效应.方法简便、快速、分析结果的准确度完全能满足上述物料分析的要求.还用纯化学试剂和标准样品按一定比例混合制备标准样品,弥补了色料和釉缺少标准或没有标样的困难.又对Zr和Hf元素分析线进行了选择,用ZrLα和HfLβ1作为分析线,而不采用ZrKα,不仅使制备的熔片达到ZrLα线的饱和厚度,使分析结果的准确度和重现性好,而且还消除了ZrKα的谱线对HfLβ1分析线的干扰.

简介：测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现：ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体（晶粒内）的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。