简介:随着北京同步辐射光电子能谱实验站持续稳定的开放运行,用户基于该实验站提供的光电子能谱各种实验模式开展了从金属表面界面电子结构到纳米材料、掺杂金属富勒烯以及磁电阻氧化物体系电子结构的研究工作。本文中选择部分具有代表性的实验结果进行介绍。
简介:(2011年8月1日)近期发生的数起安全事故,凸显出安全的重要性,尤其是核安全的极端重要性。3月11日发生的日本福岛核事故,教训非常深刻。7月23日发生的甬温铁路特别重大交通事故,尽管不是核事故,也给核行业以极大的警示和启示。在去年核工业创建55周年座谈会上,张德江副总理谈到,他主要担心两个领域出现安全问题,一个是高铁,一个是核电。言犹在耳,果然这两个领域都出了重大问题,只不过一个是在国内,另一个是在国外。两起事故都让我们立即联想到了我国的核安全,引发了广
简介:在Al2O3(0001)衬底上用MOCDVD方法进行了GaN的外延生长,通过X射线衍射(同步辐射源)研究了GaN和Al2O3(0001)的匹配关系。结果表明,经充分氮化的衬底上,GaN以单一的匹配方式沿[0001]方向生长:在Al2O3(0001)衬底未经氮化或氮化不充分时,不同程度地出现了其它三种绕<11-20>晶带轴倾斜一定角度的匹配位向。指出了GaN/Al2O3(0001)的几种匹配方式的晶体学规律。GaN绕<11-20>晶带轴倾斜的匹配方式是其外延生长过程中降低和Al2O3(0001)的晶格失配、释放界面应变的重要机制之一。