简介：本文利用频域有限差分方法(FDFD)分析了光子带隙光纤(PBGF)的色散和损耗特性.频域有限差分方法通过解从麦克斯韦方程得到的本征方程,并应用各项异性完全匹配介质层(PML)得到了一个复数形式的传播常数.分析结果表明,通过改变孔间距,可以移动零色散点;选择高填充率、较大孔间径结构,会有效减小PBGF的损耗.

简介：1987年，Yablonovitch和John分别独立提出光子晶体（PhotonicCrystals）的基本理论，光子晶体是指一定光子带隙（PhotonicBandgap，简称PBG）人造周期性电介质结构。光子带隙结构的理论根据来源于电子的能带理论，如果模拟这种原子排列而人工制作出周期性的电介质结构，则在这种结构中传播的波可能存在一定的限制，

简介：用有限时域差分方法（FDTD）对比研究了下列二维光子晶体的带隙：第1组,半径r=0.2μm圆柱,折射率n=4,晶格常数a=0.4μm;第2组,半径为r=0.2μm圆柱,折射率n=4,晶格常数a=0.6μm;第3组,内半径r1=0.1μm,外半径r2=0.2μm,折射率n=4,晶格常数a=0.4μm;第4组,内半径r1=0.1μm,外半径r2=0.2μm,折射率n=4,晶格常数a=0.6μm,并且对每一组光子晶体进行挖孔操作,然后比较不同填充率对光子晶体材料的带隙的影响,以及同种材料和结构、挖孔对带隙的影响。对于紧密排列的二维光子晶体,挖孔会使带隙向长波方向移动;对于填充率小的光子晶体,或者环形柱二维光子晶体,中间挖孔不影响带隙的范围。

简介：摘要：本文介绍带隙基准源电路的发展脉络及技术背景，详细阐述了带隙基准源温度补偿的各种方式。本文详细介绍了二阶温度补偿和分段温度补偿的研究现状。并基于以上讨论对基准源温度补偿电路的未来发展前景做出展望。

简介：

简介：在模拟和混合集成电路中，CMOS带隙基准源是应用广泛的重要单元，针对温度补偿对基准源性能的影响，本文从介~CMOS带隙基准源的基本原理出发，分析了一阶补偿、二阶补偿以及更高阶补偿的CMOS带隙基准电路结构。

简介：摘要：针对传统带隙基准源仅采用一阶温度补偿技术导致温度系数较差的问题就需要采用高阶曲率补偿电路。曲率补偿的方法是通过在基准源输出电压上叠加一个温度的指数函数，从而实现高阶补偿的目的。电路基于tsmc0.18um工艺，Candence行仿真。测试结果表明，温度由-40℃变化到125℃时,使用高阶温度补偿后带隙基准电压的温度漂移系数为6.60ppm/℃电源抑制比62.81dB。

简介：摘要：针对传统带隙基准源仅采用一阶温度补偿技术导致温度系数较差的问题就需要采用高阶曲率补偿电路。曲率补偿的方法是通过在基准源输出电压上叠加一个温度的指数函数，从而实现高阶补偿的目的。电路基于tsmc0.18um工艺，Candence行仿真。测试结果表明，温度由-40℃变化到125℃时,使用高阶温度补偿后带隙基准电压的温度漂移系数为6.60ppm/℃电源抑制比62.81dB。

简介：摘要：本文介绍了一款新能源电抗器的设计方法与步骤；对铁心结构进行优化，以减小气隙处的衍射磁通，来改善因衍射磁通引起的铁心和线圈中的涡流损耗。提出交流电抗器电感的测试方法并进行试验，验证设计的可行性。

简介：

简介：摘 要：带隙基准源（Bandgap Reference），又称能隙基准源。由于其具有优异的温度稳定性，常用于高精度的电压参考。基准电压源是集成电路中一个重要的单元模块。它的温度稳定性以及抗噪声能力影响到整个系统的精度和性能。近年来，芯片系统集成（SOC）技术已经受到学术界及工业界广泛关注。随着电路系统结构的进一步复杂化，对模拟电路基本模块提出了更高精度及速度的要求。而带隙基准源相较于传统基准源有诸多优点，应用广泛，研究价值大，发展前景良好。

简介：文章对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析和总结，重点分析了温度补偿原理。在对传统温度补偿技术改进的基础上，采用低失调电压运算放大器，融合了熔丝烧写调整电压技术，提出了一个温漂低于15×10^-6℃^-1的改进型带隙基准源电路j整个电路采用CSMC0．5μm工艺设计，采用Hspice进行仿真。为补偿工艺偏差，输出电压及输出电压的温漂均可通过铝熔丝烧写来调整。

简介：设计了一种新型无运放的带隙基准电路,利用电流镜和负反馈技术省去了运放,消除了运放带隙基准电路中失调电压对基准精度的影响,提升了电源抑制比。相比于传统的无运放带隙基准结构,该新型电路具有更高的精度和电源抑制比。基于0.35μm的BCD工艺,在CadenceSpectre环境下进行了仿真。在5V电源电压下,电源抑制比为79dB,-40~125℃温度范围内的温度系数为4.2×10-6/℃。

简介：摘要：现代物理学研究证明,物质的质量和能量是同一的,这就是说,只要有质量的存在就有和其对应的能量的存在,反之亦然。这就充分的说明了物质世界的真实性,也就是说物质是存在着的东西,它不能凭空的消失也不可能无缘无故的冒出来。所以作为物质的惯性大小的度量的质量和物质做功的本领的度量的能量也一定是统一的,它不能无故的消失和冒出来。

简介：文章通过推导计及铁心气隙的电流传递函数，分析不同气隙宽度条件下CT的幅频特性和相频特性，同时给出不同气隙宽度下CT的阶跃响应特性。说明在设计、制造和使用过程中，引入合理的气隙，可以提高开启式电流互感器的测量精度。

简介：摘要：本文采用平面波展开法对由密度值相差较大的钢与环氧树脂构成的正方柱三角晶格二维声子晶体进行了数值分析；从声子带隙数目、带隙相对宽度等方面，分析并讨论了结构中不同角度下的线缺陷对声子带隙的影响。结论表明，当线缺陷的角度为60o时，带隙的宽度明显增大，但当线缺陷的角度继续增大时，带隙的宽度明显减小；此外，在填充率为0.1-0.9范围内，随着线缺陷角度的增加，带隙中最大带隙数目呈明显减少趋势。

简介：摘要：对声子晶体及其二维正方晶格声子晶体研究进展进行了概述；采用平面波展开法和超元胞法对正方柱正方晶格铝--环氧树脂二维声子晶体带隙特性及缺陷态特性、长方柱正方晶格钢--环氧树脂二维声子晶体带隙带隙特性及缺陷态特性进行了数值分析。

简介：采用有限元算法计算了二维声子晶体的带隙分布,系统的分析低频范围内该声子晶体模型的结构和内核材料参数对带隙的调控规律。研究表明:低频范围内内核材料的材料密度越大,带隙越大;晶格常数为20mm、内核半径为9mm时出现第2、第3带隙,总带隙宽度翻倍,半径过大则相邻晶格间相互作用增强,导致带隙急剧减小甚至不存在;可调节晶格常数的大小来选择工作频率范围和带隙宽度;带隙与内核材料泊松比及弹性模量无关。为实现低频减振降噪实际工作过程中对不同频率要求的控制提供依据。

简介：摘 要: 针对当前带隙基准电压源无法通过数字信号调节电压的问题，在以共源共栅电流镜为主体结构的带隙基准电压源下加入了TRIM信号，设计了一款基准电压可调的带隙基准电压源。在 TSMC 65 nm CMOS 工艺条件下，对该带隙基准电压源进行 Spectre  仿真验证。结果表明: 带隙基准电压源的预设电压为1.25V，设实际在1.246V,环路稳定性PSRR为31.07，工作时功耗Active Current为32.7uA,建立时间Start Up Time为367.226ns，电压在1.185V到1.406V可调。该带隙基准电压源同时具有输出基准电压可调的特性，具有很高的实用意义。

简介：<正>也许,朴光子自己都不清楚她是躺在什么地方。夏夜的勾玉山出奇地宁静。也许是惊天动地的炮声过后短暂的宁静。她以为她已经死去多时,俯卧在她的家乡釜山草屋中那张铺满了稻草的柔软的床上。然而,当她睁开眼睛之后,依稀的月光给了她现实的一击。她发现自己是躺在湿润的草地上,她感到极为乏困,下身也有些隐隐作痛。她记起来了,昨天夜里佐藤军曹提了战刀来告诉她们赶紧收拾东西,准备随关东军回国。