简介:为了探究原子光刻中基片与会聚激光场间距对沉积纳米光栅质量的影响,我们基于VirtualLabFusion(VLF)平台实现了基片定位控制方案中光学系统的建模和仿真.结果显示:基片在切割会聚激光时将产生直边衍射图像,其轮廓形状和最大值都会随着基片切割激光截面区域大小的变化而变化:虚拟光电探测器上所得到的反射光强度值将随着基片-会聚激光间距的变化给出了倒置的高斯线型,其最低点出现在基片中心和会聚激光场轴线重合时的位置上.当会聚激光场截面恰好被基片阻挡一半时,探测处的强度值降至45.5%.这种光强随基片位置的变化情况为精确地定位基片位置提供了理论支撑.
简介:摘 要:此前,公司钝化层使用的光刻胶 AZ6130为进口光刻胶,采购周期长且成本较高。为了缩短采购周期同时降低成本,特考虑使用国产光刻胶 RZJ-306B替代该层次的进口光刻胶。本文从颗粒、 Spin curve、留膜率、膜厚均匀性与稳定性、曝光工艺窗口、线宽( CD) &光刻胶形貌、缺陷、抗干法刻蚀能力及去胶能力等九个方面评估了国产光刻胶 RZJ-306B的各项性能,实验结果表明其单项工艺能力与原进口光刻胶 AZ6130相比可满足现有产品生产要求。同时,进一步实验表明,国产光刻胶 RZJ-306B可替代进口光刻胶 AZ6130应用于实际生产。钝化层光刻胶国产化使得该层光刻胶采购周期缩短了一半,生产成本降低了约 50%。