简介:摘要随着电子封装技术不断发展,用于封装的各种焊接材料越来越受到重视。常用焊接材料有PbSn、AgSn、AgSnCu、SnZn、AuSn、AuGe等。Pb对环境及人体健康有重大危害,PbSn焊料的应用不断受到限制甚至禁止。无铅焊料AgSn、AgSnCu、SnZn等虽然应用广泛,但焊接可靠性较差,高可靠性要求的电子产品(如航天航空及光电子产品)的封装明确禁用。金与锡可形成多种物相,如Au10Sn(熔点532℃)、Au5Sn(熔点190℃)、AuSn(熔点419.3℃)、AuSn2(309℃)、AuSn4(257℃)。Au5Sn和AuSn两相混合、Au与Sn质量比80∶20,此时焊料熔点278℃,具有优异的电学、机械、物理、化学性能,具有熔化流动性好、焊接过热小、凝固快、稳定性高、屈服强度高、气密性好、热导率高、抗蠕变性能好、抗疲劳性能优良、抗氧化性能好、抗腐蚀性能好、导电性能好、无需助焊剂、焊接后免清洗等优点,是一种优良的焊接材料;被广泛应用于通讯、卫星、遥感、雷达、汽车电子、航空等领域及光电器件的焊接、封装。常用金锡共晶焊料为焊丝、焊片等。使用时将焊丝或焊片剪成所需形状,放置在要焊接的部位,操作非常麻烦、效率低。
简介:元素化学特征的变化已在油气盆地井间地层对比中得到运用。但很少有公开发表的文献明确地将化学地层与物理对比(physicalcorrelations)联系起来,更没有人在河流沉积体系的研究中将这二者相联系。本文将化学地层学方法用到南非卡鲁盆地(KarooBasin)二叠系博福特群(Beaufort)河流相沉积地层研究中,对三个测量剖面进行了地层对比。利用基于直升机载激光雷达(Heli-LIDAR)数据开展的年代地层对比结果,对化学地层对比结果进行了验证,以便对相距7公里的两个剖面进行高分辨率地层对比,此外还参照基于GoogleEarth绘制的地层图进行了验证,以便对相距25.5公里的两个剖面进行对比。利用细粒岩性研究成果开展了化学地层学表征,在厚度约为900米的地层段内划分出了8个化学地层组合,厚度在50米和250米之间。在该地层段内观察到较粗粒岩性(河道沉积带)的地球化学组分出现过两次明显的变化。在相距7公里的两个剖面上开展了更高分辨率的化学地层组合细分,划分出了4个相关的地球化学单元(厚30~60米),用于高分辨率地层对比。间距为7公里和25.5公里的两对剖面的化学地层对比和年代地层对比的结果都高度一致。所研究地层段的厚度和剖面间距与公开发表的地下层序的化学地层学研究成果相似;因此地下河流沉积体系化学地层对比的地面验证,在某种程度上来说与本文的博福特群沉积地层相似。
简介:AdhesionimprovementofCVDdiamondfilimbyintroducinganelectro-depositedinterlayer;Agitation:themostversatiledegreeoffreedomforsurfacefinishers;Developmentofhydroxyapatitecoatingonporoustitaniumviaelectro-depositiontechnique;EffectofintensemagneticfieldonCdTeelectro-deposition;ElectrodepositionofMetallicLithiumonaTungstenElectrodein1-Butyl-l-methylpyrrolidiniumBis(tritluoromethanesulfone)imideRoom-temperatureMoltenSalt
简介:[篇名]Bi-2212:AnHTSCoatedConductor,[篇名]Carbonnanotube-perovskite-compositesasnewelectrodematerial,[篇名]CeO{sub}2bufferlayerbypulsedlaserdepositionforYBCOcoatedconductor,[篇名]CeO{sub)2BufferLayersDepositedbyPulsedLaserDepositionforTFA-MODYBa{sub}2Cu{sub}3O{sub)(7-x)SuperconductingTape,[篇名]Characteristicofthin-filmNTCthermalSensors,[篇名]Characteristicsofcobalt-dopedzincoxidethinfilmspreparedbypulsedlaserdeposition,[篇名]CharacteristicsofTiO{sub}2ThinFilmasaPhotocatalystPrepardUsing-thePulsedLaserDepositionMethod.
简介:Co-dopingDepositionofp-typeZnOThinFilmsusingKrFExcimerLaserAblation;ComparisonofGrowthMorphologyinGe(001)HomoepitaxyUsingPulsedLaserDepositionandMBE;CompositionandstructureofBCNfilmspreparedbyionbeam-assistedpulsedlaserdeposition;Compositionofβ-FeSi{sub}2thin-filmsgrownbyapulsedlaserdepositionmethod
简介:[篇名]Electro-depositionoftantalumontumgstenandnickelinLiF-NaF-CaF{sub}2meltcontainingK{sub}2TaF{sub}7electrochemicalstudy,[篇名]Electro-EpitaxialBufferLaycrsforREBCOTspeArchitectures,[篇名]EQCMwithair-gapexcitationelectrode.Calibrationtestswithcopperandoxygencoatings,[篇名]FormationofWell-definedNanocolumnsbyIonTrackingLithography,[篇名]Fundamentalexperimentalstudyonfreefabricationofnanocrystallinecopperbulkbyselectiveelectrodepositionwithelectrolytejet,[篇名]Magneticnanowirearraysobtainedbyelectro-depositioninorderedaluminatemplates,[篇名]Morphologicalcharacteristicsofnickelparticleselectrodepositedfromchloridedominantsolution.