简介:
简介:XOs不采取任何温度补偿或恒温措施,各项技术指标中等水平,主要有输出形式、频率、稳定度三个技术参数。
简介:普通晶体振荡器温度稳定特性曲线如同1所示(图中实线),如果在电路中增加一些器件,使它影响频率随温度的变化与原曲线大小相等、方向相反(图中虚线),这样就改善了振荡器的温度稳定度。
简介:VCXOs在振荡电路中加一个变容二极管,通过改变变容二极管两端的电压来改变输出频率。可以在TCXO或OCXO基础上改进电压控制,则可称为TC/VCXO或OC/VCXO。
简介:摘要:本文采用低频高稳振荡与低噪声倍频相结合的方法,并进行精密控温设计,研制了一种高频高稳恒温晶体振荡器,输出频率为100MHz,短期频率稳定度可以实现2.68E-13/s,2.54E-12/100s,老化率优于7E-11/d,谐波优于-50dBe。经随机振动、冲击和温度冲击等环境试验考核,晶振试验前后频率变化均小于±5E-9,可以很好地满足多领域应用对高频高稳定信号源的需求,可靠性高,有利于简化系统构成,缩小设备体积。
简介:摘要:
简介:Maxim推出DS4100H100MHz、HCSL输出的晶体振荡器(XO),用于PCIExpress。作为提供高速、电流驱动逻辑(HCSL)输出的XO,DS4100H省去了由CMOS、LVDS或LVPECL格式至HCSL的转换。器件采用基本模式AT切型晶体制造工艺,集成了采用Maxim专有的SiGe工艺制作的低噪声、基于PLL的振荡器。DS4100H与基于SAW或三次泛音设计的产品相比,尺寸减小了55%,从而成为空间受限的PCIExpress应用的理想选择。
简介:摘要随着世界现代通信业的迅猛发展,对高老化指标晶体振荡器的要求日益迫切,尤其对尖端高档晶体振荡器提出了更高的要求,而作为高档晶体振荡器的核心--晶体谐振器是重中之重,而晶体谐振器最重要的就是石英晶片的制作。本文简单探讨了石英晶片的腐蚀工艺对晶体振荡器的老化指标的影响。
简介:百利通半导体公司,一家频率、信号调节和连接产品的全球首选供应商近日宣布:公司推出业界第一个量产化的频率介于2MHz-159MHz的“特定应用标准产品石英晶体振荡器(ApplicationSpecificStandardProductCrystalOscillators,ASSP—XO)”产品线。该产品系列通过最佳性能、立即可供货以及提供最经济高效的价格点来满足各种应用需求,为石英晶体振荡器产品提供了新的典范。
简介:设计并讨论了一种新颖的完全基于CMOS静态逻辑反相器设计的数字控制振荡器DCO结构(Digitally-ControlledOscillator),这种数字控制振荡器采用全数字电路构成,较之LC振荡器更加易于设计和制造,适合于高频高性能数字锁相环的应用。电路结构的仿真采用Spectre仿真器,基于STMicroelectronicsCMOS90nm工艺,在1.2V电源电压下实现了1GHz~6GHz的数控振荡频率变化范围,功耗为0.1mW~3mW,10MHz的频率偏移处的相位噪音约为-114dBc/Hz。
简介:<正>一微分器微分器(differentiator)能执行微分的数学运算,它的输出电压会与输入电压的斜率成比例。如图1所示,微分器电路的电阻和电容器位置恰与积分器相反。在数学上,微分的意义是一曲线上任一点的变化率,此亦与积分的意义恰为相反。由于曲线上任一点的变化率,即为该点的导数,故微分器的输出电压便与输入电压的导数成正比关系。
简介:在振荡器正常工作的频段中,幅度会随频率而发生改变。要使振荡器正常工作,必须对其中的可调参数加以限制,使幅度增大从而起振。本文分析了实用Clapp振荡器幅度随频率变化的成因,并用软件拟合了器件取值对振荡幅度的影响,模拟结果对振荡器设计有一定的借鉴意义。
简介:摘要:芯片在人们的生产生活中扮演者越来越重要的角色,尤其是数字芯片,随着工艺尺寸的不断缩小,数字芯片的优化设计变得尤为重要。而环形振荡器是数字时钟芯片中的一种重要的结构,对环形振荡器的参数研究成为当下热门的一个方向。本文建立了环形振荡器系统优化模型,给出了在不同参数变换下的MOSFET单晶管频率和尺寸建议。在芯片面积的约束下进行全局寻优。本文最终得到了NMOS和PMOS最优尺寸:1.424u,0.731u,1.660u,0.719u。
简介:论述了压控振荡器技术发展的历程和趋势,介绍了SiGe压控振荡器技术。
简介:利用三点式振荡电路的组成原则:射同基(集)反,分析了几种典型的石英晶体振荡电路。
简介:提出把LC振荡器等效成负阻振荡器的新观点,并以电容三点式振荡器为例,利用物理概念导出了该振荡器的振荡条件和振荡频率的准确公式,并将结果与相关讨论比较。由此推断:所有LC振荡器均可等效为负阻振荡器,从而可方便得到振荡条件和振荡频率。该方法的特点是物理概念清晰,数学过程简便。
简介:设计了一种用于D类音频功放的新型扩频振荡器。采用电流控制模式,利用伪随机数字频率调制,使谐波能量更加分散,频谱幅度更小,从而减小D类音频功放的EMI辐射。基于UMC0.6μm30VBCD工艺,对提出的扩频振荡器电路进行仿真验证。结果显示,扩频频率点具有良好的均匀性和随机性,并且D类音频功放的EMI主峰值幅度下降了4dB,其余EMI的峰值幅度下降了大约10dB,扩频降低电磁干扰(EMI)辐射的效果显著。
简介:为研制中红外波段掺钬光纤激光器的高功率泵浦光源,设计并搭建了一台中心波长为1150.41nm的光纤激光振荡器。该光纤激光振荡器的最大平均输出功率为4.55W,光-光转换效率为43.5%。在最大输出功率时,没有出现放大自发辐射光谱、泵浦光残余和寄生激光振荡,激光光谱的3dB线宽为O.5nm,边模抑制比达到38dB。基于光纤激光振荡技术,有望获得3μm波段掺钬光纤激光器的高功率泵浦光源。
温度补偿晶体振荡器
如何选择晶体振荡器及各项指标——普通晶体振荡器(XOs)
压控晶体振荡器
如何选择晶体振荡器及各项指标——温补晶体振荡器(TCXOs)
如何选择晶体振荡器及各项指标——压控晶体振荡器(VCXOs)
高频高稳恒温晶体振荡器设计
基于32768石英晶体振荡器特性及其准确度补偿
Maxim推出HCSL输出的100MHz晶体振荡器
石英晶片腐蚀对晶体振荡器老化指标的影响
Pericom为高成长市场推出业界第一个ASSP石英晶体振荡器(ASSP—XO)产品线
CMOS数控振荡器设计
汽车电子应用(五)微分器、振荡器
Clapp振荡器振荡幅度的实测、建模与分析
环形振荡器的优化设计
压控振荡器技术的回顾与展望
利用射同基(集)反原则分析石英晶体振荡电路
用负阻观点讨论LC反馈振荡器
压控振荡器(VCO)频率精度的自动调试
D类音频功放中扩频振荡器的设计
1150nm波段光纤激光振荡器实验研究