简介：运用SRIM2006软件对靶材的溅射进行了模拟,计算了各种情况下离子入射靶材能量损失和射程分布,分析其内部碰撞机理,得到了入射离子能量损失和射程分布随离子能量得变化规律：低能离子溅射能量损失以核阻止为主,高能离子溅射能量损失以电子阻止为主;载能离子的能量损失及射程与入射离子和靶原子有关;对于低能离子溅射靶材,入射离子主要分布在靶材表面几层原子内。

简介：“磁控溅射离子镀膜技术产业化项目”是渐江省临安市2005年最大的一个外资项目，由浙江汇锦集团和英国梯尔公司合资组建而成的，由汇锦梯尔镀层科技有限公司负责实施。注册资本1200万美元，总投资35639万美元。据初步估计，该项目投产后，年销售收入为9．7亿人民币，可创税利1亿元以上。

简介：本文通过离子色谱与柱切换技术联用实现了高浓度样品基体中的痕量阴离子检测。分别研究了不同类型基体的处理方法，使用商品化离子排斥柱和自制的聚合物色谱柱实现多种样品基体中痕量阴离子的检测。同时开发一种简化的单泵柱切换系统，利用抑制器将KOH淋洗液转化为水作为前处理柱的淋洗液，在同一个色谱系统中产生两种淋洗液，实现色谱分离与前处理柱再生同步进行。采用离子排斥柱作为前处理柱分析了有机酸和有机酸盐中的三种常见阴离子，检测限达到0．1～1．7μg／L，方法相对标准偏差小于5％，样品加标回收率在75．2％～114．6％之间；同时采用自制的色谱柱作为前处理柱在同一分析系统中实现多种样品基体中七种常见痕量阴离子的分析，检测限在0．4～2．3,μg／L之间，方法相对标准偏差小于4％，样品加标回收率在88．1％～109．5％之间。该方法使用简便，准确性高，是一种极有利用价值的在线样品前处理技术。

简介：在不同的溅射功率和溅射时间下，使用磁控溅射设备制备了系列薄膜Si／Fe（P1W，T1s）和Si/[Fe（P2W，T2s）／NiO（P3w，T3s）]10。利用小角X射线衍射测量了样品的衍射强度分布，并分别计算出了Fe和NiO在不同溅射功率下的沉积速率。实验结果表明，在测量范围内沉积速率与溅射功率之间存在线性关系。

简介：本文对原子时守时中发现的个别工业铯钟速率随离子泵参数变化的相关我进行了分析，结果：从束管寿命后期开始，这种相关特性是很明显的，线性相关分析误差（rms）为4－7ns/d(5-8×10^-14)，相半系数的最大值达0.96。利用这种特性，可以进行速率预报，预报误差均方根值约为5ns/d(6×10^-14）。

简介：摘要本文基于磁控溅射的磁场分布水平和磁场强度在镀膜性能与质量上影响与价值分析，结合磁控靶材的结构及其磁场的计算方法和步骤的探讨，以及利用ANSYS软件对磁控溅射靶磁场的分布及其相关参数作二维的模拟与分析，对影响磁控溅射磁场分布和磁场强度的主要素和作用机制作详细的分析，以为优化磁控溅射靶的设计，达到正常溅射工作对靶材表面磁场分布及大小的要求提供借鉴与参考。

简介：用直流磁控溅射技术在室温下制备了厚度为108和215nmAu膜。利用常规CBD扫描模式对Au膜微结构进行分析。XRD分析表明Au膜在平行于基片表面沿〈111〉方向择优生长;薄膜的晶格常数与金粉末的晶格常数（a=4.0862F）一致,晶粒尺寸随膜厚变化不明显。

简介：摘要：封装测试是半导体产业的重要环节。与全球市场稳步增长相比，中国半导体封测市场以 20%的年复合增长率遥遥领先，其中专业代工占国内一半以上市场份额。 2017-2020年中国大陆新建晶圆厂将超过 20个，连同邻近的封测厂，成为全球半导体产业新增产能的核心区域。中国半导体封测产业将走向美好的春天。溅射工艺是半导体封装的重要环节之一，如房屋的地基，及其工艺性能测试安要求，进行需求测试，从而做半导体芯片功能性工艺测试设备应用技术的研究。

简介：摘要：通过对 阴极溅射靶、镀膜室以及真空系统分子泵等的设计理念进行概述，并针对某一种多靶磁控溅射镀膜设备进行了分析和研究。 通过对该设备进行镀膜工艺的处理，以此来判定镀膜设备是否符合工艺要求 [1]。

简介：摘要：我们常见的镀膜方法有物理气相沉积镀膜（简称PVD）和化学气相沉积镀膜（简称VCD）。物理气相沉积镀膜主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜、真空离子镀膜。本文介绍的镂空镀膜涉及的镀膜方法是真空溅射镀膜。真空溅射镀膜技术是目前大批量镀膜玻璃生产中最主要的技术之一，它具有膜层厚度均匀、基片温度低、沉积速度快等一系列优点。镂空镀膜与传统追求的膜层均匀完整有所区别，简而言之，镂空镀膜就是采用不同的方法使完整的膜层表现出镂空图案效果。

简介：在室温200℃的范围内，对磁控溅射制备NZnO薄膜性能进行了研究。实验中，以ZnO为阴极靶材，通过温度调节器对基片溅射温度进行控制，以实现对ZnO溅射薄膜特性的控制。系统真空度为3×10^4Pa，溅射气压为5．5Pa，溅射时N90min，通过XRD进行表征，用Jade5．0软件分析，结果表明，制备出ZnO薄膜表面平整、结构致密，具有高度c轴择优取向；在室温200℃的范围内，随着温度的升高，（002）衍射峰的位置趋向34．4°。

简介：介绍了磁控阴极溅射系统的工作原理和故障维修。

简介：

简介：为保证制造精度,对机械加工后的聚氨酯泡沫塑料制件,采取镀前表面封闭处理、刮涂腻子、喷涂底漆和磁控溅射镀不锈钢的工艺路线;井对过程中主要工艺参数控制特别是铰膜的温度控制作了详细的研究。

简介：

简介：[摘要]全自动磁控溅射的镀膜设备，属于单靶单腔，不但能够将以往传统磁控溅射的镀膜设备所潜在靶间污染相关问题有效处理好，且以高真空的机械手实施传送片作业，工艺腔室当中真空破坏得以减少，可实现高效化地生产作业，工作效率总体提升显著。故本文主要探讨全自动磁控溅射的镀膜设备与其工艺，仅供业内参考。

简介：上海天文台生产的SOHM-4型氢原子钟工作3a-4a离子泵就会打火，破坏脉泽真空环境。为了使氢钟能够继续工作，必须更换新的离子泵泵芯。为破解这一难题，使已经生产的上百台SOHM-4氢钟在10a的寿命期内不被中断运行，分析了离子泵抽氢机理及阴极材料，列举了大量实验结果，发现β-Ti合金比α-Ti有更大的吸氢容量，可以大幅度提升吸氢离子泵的寿命。最后指出，用β-Ti合金阴极板来替代目前的纯钛阴极板是一种有效的方法。

简介：摘要采用X射线衍射分析(XRD)测试分析了多晶ZnO薄膜的晶格结构和力学性能。薄膜的制备采用了射频(RF)磁控溅射方法,并分别在不同温度下进行了退火处理。XRD分析显示随着退火温度的上升,薄膜的晶粒尺寸逐步增大,且C轴取向显著增强。测试结果表明适当的退火处理对ZnO薄膜的结晶品质有明显的改善。

简介：摘要采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对不同衬底温度下制备薄膜的相结构和表面形貌进行分析.结果表明,在衬底温度为500℃时制备的ZnO薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀,结构致密,且沿c轴择优生长。

简介：[摘要]高真空多靶的磁控溅射镀膜设备，其主要应用于磁性金属各种合金薄膜制备当中，以基底部位旋转溅射及共聚焦等方式为主，将150*150mm各类合金薄膜有效制备出来。为充分把握该设备具体研制情况，便于今后更好地推广及使用该设备，本文主要探讨高真空多靶的磁控溅射镀膜设备研制，期望可以为后续更多技术工作者和研究学者对此类课题的实践研究提供有价值的指导或者参考。