简介:摘要:碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料,具有良好的热导性、宽带隙、大击穿电场等优良特性,被广泛应用于高温、高频、大功率等电子器件上。但是由于碳化硅具有很高的硬度和化学稳定性,Si-C键合能较大导致湿法刻蚀无法达到要求,因此针对深孔或高台阶刻蚀多采用感应耦合等离子体(ICP)对SiC进行刻蚀,目前研究人员系统研究了ICP刻蚀条件、气体组成等各种工艺条件对SiC刻蚀的影响;其中镍作为刻蚀掩膜层被广泛应用在刻蚀SiC中,因此镍的耐刻蚀性很重要,在一定程度上决定了刻蚀过程中的SiC/Ni的选择比(SiC刻蚀量与Ni刻蚀量的比值),在同等刻蚀条件下,镍消耗少,SiC/Ni的选择比就高,则所需镍层就薄,从而减少了工艺时间,提高了工艺效率。
简介:本研究旨在探究钽金属电镀铬层的耐蚀性能以及其潜在的应用领域。通过采用电镀方法,在钽金属表面成功镀覆了铬层,并对其进行了耐蚀性能测试。结果显示,电镀铬层具有出色的耐蚀性,能够在恶劣环境条件下保持其结构完整性和性能稳定性。此外,我们还讨论了电镀铬层在各种领域的潜在应用,包括电子工业、航空航天、汽车制造等。这项研究为钽金属电镀铬层的应用提供了新的可能性,有望在提高材料的耐蚀性能和延长其使用寿命方面做出贡献。
简介:摘要:本文旨在探索一种适用于含氯电镀镍溶液中化学需氧量(COD)的精确测定方法。该方法以国家标准GB11914-89水质化学需氧量的测定重铬酸盐法为基础,通过样品稀释、分步消解及标准曲线校正等技术手段,有效解决了氯离子对COD测定的干扰问题。具体步骤包括:将电镀液样品稀释十倍后,分为两份处理,一份直接测定氯离子与有机物共同产生的COD总值,另一份则测定氯离子含量,并依据COD-Cl 关系曲线计算氯离子的COD氯值。通过差值计算得出电镀液的真实COD值。该方法不仅提高了测定精度,还避免了传统方法中的环境污染问题,为电镀工艺中的质量控制提供了有力支持。
简介:摘要:研究和优化了电镀矿渣的样品采集和制备以及电镀矿渣中铜、镍和锌的检测方法。电镀企业一般需要选择大量的重金属作为原料。在电镀过程中,一些重金属进入废水,经过废水处理工序进入污泥,形成电镀污泥。电镀污泥一般含有铜、镍等重金属。如果处理不当,会给土壤和水系带来严重污染,严重影响人们的生产和生活。因此,电镀矿渣中镍和其他重金属的定量和有效监测对于防止和控制重金属污染,并将变废为宝,回收重金属资源是非常重要的。
简介:摘要:现阶段的工业生产加工技术不断完善,电子电镀技术的应用,得到了很多企业的认可,但是在技术操作的过程中电镀纯锡层的把控难度比较高,容易出现质量问题,这对于工业发展和产品优化,反而造成了一定的阻碍。电镀纯锡层的质量问题并不是偶然出现的,是因为多种原因造成的,其中包括材料原因、技术操作原因、环境原因等等,针对电镀纯锡层的问题解决,要结合不同的原因影响,逐步完善电子电镀技术方案,对电镀纯锡层的外观质量、内部参数进行系统化的调整,结合产品的生产加工诉求进行不断的革新,这样才能在未来的工作中得到较大的突破。电镀纯锡层的质量问题解决时,还要加强材料的优化,坚持在加工制作的过程中优化材料搭配方案,创新技术操作标准,由此将电镀纯锡层的优良效果充分的发挥出来。