简介:本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET(结型场效应晶体管)和1200VSiCBJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A~7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。
简介:采光权纠纷属相邻关系纠纷,但城市规划中的采光权纠纷呈现一种三元利益结构关系,即采光受害人采光利益、采光妨害人商业利益、城市发展的公共利益。以“容忍限度”理论为基础,通过构建利益坐标图模型分析三种利益的相互关系和变化趋势。商业利益的无限膨胀打破了应有的利益平衡。应通过法律的权利义务机制恢复利益平衡。为此从立法、行政、司法三方面,以偏向采光受害人权利保护的制度设计原则,制定诸如“采光妨害排除请求权”、“采光赔偿请求权”、“采光知情权”、“行政赔偿责任”、“日照分析报告义务”、法院发布“禁令”权等法律制度,以解决此类纠纷。