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  • 简介:利用同步X光透射形貌技术,研究了液封直拉(LEC)、水平布里支曼(HB)、垂直梯度凝固(VGF)三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶体中缺陷明显高于HB、VGF晶体,VGF缺陷缺陷最低,HB晶体居于两者之间。结合生长界面温度梯度和杂质掺入水平,讨论了位错分布差异的原因。

  • 标签: 位错 X光形貌 GAAS晶体 半导体 生长工艺 液封直拉
  • 简介:Athree-dimensionalmodelofGaAs/A1GaAsquantumdoubleringsinthelateralstaticelectricfieldisinvestigatedtheoretically.Theeigenvalueproblemwiththeeffective-massapproximationissolvedbymeansofthefinite-elementmethod.Theenergylevelsandwavefunctionsofquantum-confinedelectronsandheavyholesareobtainedandshowanagreementwithourprevioustheoreticalandexperimentalstudies.ItisshownintheapproximationofneglectingtheCoulombattractionbetweentheelectronandheavyholethatarelativelylargeStarkshiftofexcitonemissionof4meVisattainablewithanappliedelectricfieldof0.7kV/cm.

  • 标签: 横向电场 量子结构 电子 有限元方法 特征值问题 量子波函数
  • 简介:关于全球半绝缘(SI)GaAs晶片市场“SIGaAs衬底市场:2003~2008”预测:该市场到2008年将增长54%。2002~2003年间的增长率为43%。日本和北美仍然是体晶片的主要生产者,2003年占整个市场的43%,该地区2003年SIGaAs晶片市场(外卖和自用)增加33%。亚太地区的市场增长最快,但主要以代工模式运营以便为GaAs半导体工业的发展打下基础。

  • 标签: 市场增长 代工 增长率 半导体工业 亚太地区 北美
  • 简介:ThereolutioncharacteristicofGaAs/GaAlAstrransmissionphotocathodeisanimportantparameterinthirdgenerationintensifiers.ThemodulationtransferfunctionofGaAs/GaAlAstransmissionphotocathodeisderivedfromasimpletwo-dimensionaldiffusionequation.Thetheoreticalresolutioncharacteristicofa2μmthickGaAs/GaAlAstransmissionphotocathodeiscalculated.TherelationshipbetweenresolutionandparametersinGaAs/GaAlAstransmissionphotocathodeisdiscussed.AconclusionisshownthatonecandesigntheGaAs/GaAlAstransmissionphotocathodeformaximumquantumefficiency,sincethesacrificeintheresolutiondoesn'tlimitsystemperformances.

  • 标签: 镓砷/镓铝砷 材料 光阴极 定额量 第三代增强器
  • 简介:InGaAsP/GaAsSCHSQWlaershavebeenpreparedbyLPMOCVD.Thedependenceofthresholdcurrentdensityoncavitylengthwasexplained.Laserdiodesarecharacterizedbytheoutputpowerof1W20W,thresholdcurrentdensity(Jth)of330A/cm^2to450A/cm^2andexternaldifferentialquantumefficiency(ηd)of35%to75%,andthesecharacteristicsareingoodagreementwiththedesignedrequirement.

  • 标签: 量子阱 半导体激光器 GaAsP/GaAs 镓砷磷二元化合物
  • 简介:WhenweuseMOCVDtechnique,anexcellentCdTeepi-layerwasgrownonGaAssubstratesandtheCdTe/GaAshybridsubstratessuitableforgrowingHg1-xCdxTe(CMT)wereobtained.ThexvalueinCMTisbetween0.2and0.8.TheelectricalpropertiesofCMTdependuponthethicknessofCdTeepi-layers.TheCdTe/GaAsinterfacewasexaminedbybothscanningelectronmicroscope(SEM)andelectronaugerspectra(EAS).TheinfluenceofdefectsobservedatinterfaceonelectricalandopticalpropertiesofCMTfihnswasdis-cussed.

  • 标签: MOCVD HgCdTe/CdTe/GaAs structures CdTe/GaAs BUFFER LAYERS
  • 简介:Weinvestigatethenonlinearresponseofterahertz(THz)metamaterialperfectabsorbersconsistingofelectricsplitringresonatorsonGaAsintegratedwithapolyimidespacerandgoldgroundplane.Theseperfectabsorbersonbulksemi-insulatingGaAsarecharacterizedusinghigh-fieldTHztime-domainspectroscopy.Theresonancefrequencyredshifts20GHzandtheabsorbanceisreducedby30%astheincidentpeakfieldisincreasedfrom30to300kV/cm.ThenonlinearresponsearisesfromTHzfielddriveninterbandtransitionsandintervalleyscatteringintheGaAs.ToeliminatetheFresnellossesfromtheGaAssubstrate,wedesignandfabricateaflexiblemetamaterialsaturableperfectabsorber.Theabilitytocreatenonlinearabsorbersenablesappealingapplicationssuchasopticallimitingandself-focusing.

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  • 简介:据参加微波技术与工艺研讨会(MTT-S)的一个专家讨论小组,RFCMOS可能还未迎来黄金时段,至少是在手机功率放大器领域,而砷化镓(GaAs)将继续在该领域处于主导地位。诺基亚的RF工程与技术经理FazalAli估计.2004年手机出货量约为6.645亿部,每部电话中有两或三个放大器,总计接近20亿个。他问这些功率放大器(PA)中有多少是CMOS,显然暗示答案是“不太多”。

  • 标签: RF放大器 砷化镓 掺杂 功率放大器 CMOS
  • 简介:利用4.5MeV的氪离子(Kr^17+)辐照(100)晶向本征未掺杂和高掺锌(P型)、(100)和(110)混合晶向的高掺硅(N型)砷化镓(GaAs)半导体材料,辐照注量为1×10^12~3×10^14cm^-2,测试辐照后材料的拉曼光谱。随着辐照注量增大,材料的纵向光学(longitudinaloptical,LO)声子峰向低频方向移动,出现了明显的非对称展宽,并且N型样品辐照后,晶体结构损伤要大于P型与本征未掺杂样品。3种类型样品的LO峰频移随辐照损伤的变化趋势一致,研究表明,掺杂元素不影响材料本身的晶体结构,可能是因为混合晶向的生长方式导致辐照后N型GaAs结构稳定性变差。

  • 标签: GAAS 拉曼光谱 辐照效应 晶体结构
  • 简介:Zinchasbeendiffusedinton-typeInxGa1-xAs,InPandGaAsinclosedam-poules,andtheexperimentaldataforInxGa1-xAsrarelyreportedpreviouslyhavebeenob-tained,TheoreticallythelinearrelationsipbetweenlogarithmicdiffusioncoefficientlnDandthecompositionxhasbeendemonstrated,whichisingoodagreementwiththeexperimentalresults.ThecalculateddiffusionjunctiondepthforInGaAsbasedonthediffusionmodelinwhichD^∝c^2isassumedalsoagreeswellwiththatoftheexperment,Finallytheoveralldiffusiontimeinamultiayerheterostructurewasapproximatedast=(∑√-ti)^2.

  • 标签: GAAS OEIC 集成光学 锌扩散 半导体器件
  • 简介:WefabricatephotoniccrystalslabmicrocavitiesembeddedwithGaAsquantumdotsbyelectronbeamlithographyanddropletepitaxy.ThePurcelleffectofexcitonemissionofthequantumdotsisconfirmedbythemicrophotoluminescencemeasurement.Theresonancewavelengths,widths,andpolarizationareconsistentwithnumericalsimulationresults.

  • 标签: 光子晶体 GAAS 量子点 微腔 电子束光刻 共振波长
  • 简介:经过亿万年的形成过程,矿物晶体显示出自然界中数学的美和对称,晶体的元素有着整齐的排列,它们的结构是如此地严谨,以至于数学可以成为分析它们的最完美的工具。

  • 标签: 矿物晶体 数学 自然界
  • 简介:O482.3199053393Ga1-xAl-xAs外延片有源区Al组份的测定方法=MeasurablemethodofaluminiumcompositeofGa1-xAlxAsepitaxialmaterialwithinactiveregion[刊,中]/刘学彦(中科院长春物理所.吉林,长春(130021))//发光学报.—1998,19(4).—361—363利用电致发光测得Ga1-xAlxAs外延片有源区发射光谱,并通过公式计算得出有源区Al组份值。图4表1参3(常唯)O72299053394半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量=BondmethodmeasurementofstoichiometryinSi—GaAsbulkmaterialbydouble

  • 标签: 光子晶体 中科院 有源区 液晶 发光学 化学配比
  • 简介:O722002032276X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层=StudyofsemiconductorsuperthinheterostructureswithsynchrotronradiationX-raystandingwavetech-nique[刊,中]/姜晓明,贾全杰,胡天斗,黄宇营,郑文莉,何伟,冼鼎昌(中科院高能物理所.北京(100039)),施斌,蒋最敏,王迅(复旦大学应用表面物理国家重点实验室.上海(200433))//高能物理与核物理.-2001,25(6).-588-594利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。图5参9(李瑞琴)

  • 标签: 液晶 高能物理与核物理 二维光子晶体 同步辐射 方法研究 双晶单色器
  • 简介:晶莹的雪花,洁白的食盐和闪耀的宝石,都属于晶体。它们在微观结构上都周期重复着某一种结构。那么人们是怎样对晶体结构进行表征和分类的呢?这就使用到了数学中的群论(GroupTheory)。晶体内部原子排列的具体形式一般称之为晶格,不同的晶体内部原子排列称为具有不同的晶格结构。各种晶格结构又可以归纳为七大晶系,各种晶系分别与14种空间格相对应,在宏观上又可以归结为32种空间点群,在微观上可进一步细分为230个空间群。如果没有群论来表示晶体结构中的对称性等特征,人们在分辨和研究晶体的时候就会一头雾水。不仅如此,在测定分析晶体结构的时候,科学家们正是利用了群论结合晶体衍射的物理原理,才能根据测试数据有效计算出准确的晶体结构。

  • 标签: 晶体结构 群论 微观结构 物理原理 测试数据 对称性