简介:SYNTHESISOF3-ARYL-1(2H,4H)ACRIDONESANDTHEIRDERIVATIVES¥RongYIN;GuangFanHAN;YuTianLI(DepartmentofMedicalLaboratory,JilinMediea...
简介:TheextractionofCe(Ⅳ)inH2SO4/H3PO4systemwasinvestigatedsystematicallyusingbifunctionalionicliquidextractants(Bif-ILES)[A336][P507],[A336][P204]and[A336][C272]inn-heptane.TheeffectsofH2SO4concentration,extractantconcentrationandsalting-outagentconcentrationwereobservedindetail.TheextractionmechanismofCe(Ⅳ)inH2SO4/H3PO4systemwasobtained.ThecomparisonwithotherextractantssuchasCyanex923,TBPwasalsostudied.Thermodynamicfunctionsoftheextractionreactionwerecalculated,showingthattheextractionwasanexothermicprocess.TheseparationofCe(Ⅳ)fromRE(Ⅲ)andTh(Ⅳ)wasalsoinvestigated.TheresultindicatedthatCe(Ⅳ)couldbeselectivelyextractedinthissystem.CePO4nanoparticleswereobtainedintheprocessofstrippingusingH2O2inH2SO4/H3PO4system.X-raydiffraction(XRD),scanningelectronmicroscopy(SEM)andspectroscopywereadoptedforthecharacterizationofthesample.
简介:本文报道了C6H12O6(NH4)2SO4C2H5OHH2O(C2H5OH/H2O=0.90)体系在35℃时体系溶解度和饱和溶液的折光指数,并绘出了体系相应的溶度图和饱和溶液的折光指数曲线图。结果表明:所研究的体系为四元体系C6H12O6(NH4)2SO4C2H5OHH2O中的一部分。当溶液中肌醇饱和时,溶度曲线落在约50%的等醇水比面上。当(NH4)2SO4在溶液中达到饱和时,出现共饱点。其组成为(NH4)2SO4:210%,C6H12O6:2.08%,C2H5OH:4475%。同时出现分层,在富醇相随着乙醇浓度的增加,出现肌醇与硫酸铵共饱线。在富水相硫酸铵饱和溶度曲线落在约5%乙醇的等醇水比面上,折光指数曲线由三支组成,其中两条分别与C6H12O6·H2O和(NH4)2SO4相对应,另外一条线与(NH4)2SO4和C6H12O6·H2O的共饱线相对应
简介:Thecombinationofboth4,4′-bipyridine(4,4′-bipy)anddihydrogenphosphateanionligandswithcopper(Ⅱ)resultsintheformationofanovellayeredcompoundCu(4,4′-bipy)2(H2PO4)2(H2O)2.ThecrystalstructurecomprisesdiscreteneutralCu(4,4′-bipy)2(H2PO4)2(H2O)2units.Thecopperatom,locatedonthecrystallographictwofoldaxis,iscoordinatedwithtwonitrogenatomsofterminal4,4′-bipyligandsandtwowatermoleculesattheequatorialpositions,andtwodihydrogenphosphateoxygenatomsattheaxialpositions,forminganelongatedoctahedron.Thecomplexisatwo-dimensionaldistortedrhomboidalnetworkpossessingtwokindsofrhomboidswithdimensionsofca.1.6792nm×0.3203nmand1.2778nm×0.3198nm,respectively.Thetwo-dimensionalnetworksarestackedparallellyoneachotheralongc-axistogiveanextendedthree-dimensionalchannelnetworkwithaninterlayerdistanceofca.0.5030nm.Crystaldata:triclinic,spacegroupP-1,a=1.0253(2)nm,b=1.4501(3)nm,c=0.79715(16)nm,α=97.91(3)°,β=90.99(3)°,γ=85.54(3)°,V=1.1703(4)nm3,Z=2,R=0.0892,wR=0.2451.
简介:本文就n-C4H9-Br制备实验的反应过程以及分别用KBr和NaBr制备n-C4H9-Br时出现的不同实验现象和结果进行了探讨。提出KBr的溶解速率比NaBr的溶解速率小是产生不同实验现象和结果的原因,并通过用块状NaBr进行对比实验得到验证。用块状的NaBr有利于提高n-C4H9-Br的产率。
简介:Newmodelcompound1H,1′H-Bis(benz-Δ^4-imidazoline)2,2′-spiro-titaniumdichloridewaspreparedandthestructureofthecompoundwasdeterminedby1R,MSandelementaryanalysis.
简介:Thispaperreportsthattheetchingmorphologyofdislocationsin8°off-axis4H-SiCepilayerisobservedbyusingascanningelectronicmicroscope.Itisfoundthatdifferenttypesofdislocationscorrespondwithdifferentdensitiesandbasalplanedislcation(BPD)arrayandthreadingedgedislocation(TED)pileupgroupliealongsomecertaincrystaldirectionsintheepilayer.Itisconcludedthattheelasticenergyofthreadingscrewdislocations(TSDs)ishighestandTEDsislowestamongthesedislocations,sothedensityofTSDsislowerthanTEDs.TheBPDscanconverttoTEDsbutTSDscanonlypropagateintotheepilyerinspiteofthehigherelasticenergythanTEDs.ThereasonoftheformofBPDsarrayinepilayeristhatthebigstepalongthebasalplanecausedbyfacedefectsblockedtheupstreamatoms,andTEDspileupgroupisthatthedislocationsslideisblockedbydislocationgroupsinepilayer.
简介:山东省泗水县是花生主产区,在推广花生收获机械示范过程中,认为4H-2型花生收获机是一种较理想的机型。该机由青岛万农达花生机械有限公司和莱阳农学院机电研究所共同研制。该机结构紧凑、性能可靠、生产率高,是一种与花生覆膜施肥播种机相配套的新型机具,配套动力为8.8~13kW小四轮拖拉机,试验生产率为1.5~2.1亩,11(同时收两行花生),实际作业损失率≤1%,荚果破碎率≤1.5%。
简介:与飘移散开(DD)的联合使用模型,试验性的测量参数和小信号的正弦曲线不变的分析,我们为4H-SiC提取Y参数埋葬隧道的金属氧化物半导体域效果晶体管(BCMOSFET)。输出电线走火水流获得G,梅森的不变的U分别地在普通来源的配置f(T)和摆动f(最大)的最大的频率为外推的统一水流获得频率被计算。这里f(T)=800MHz和f(最大)=5GHz为4H-SiCBCMOSFET被提取,当地效果活动性到达它的山峰时,珍视87cm(2)/Vs什么时候V-GS=4.5V。模拟结果清楚地证明4H-SiCBCMOSFET和地效果活动性的典型频率是优异的,由于新奇结构,与常规MOSFET相比。
简介:研究了辐照对4H-SiC纵向双注入金属氧化物场效应晶体管(VDMOS)电学参数的影响.通过SRIM和SILVACO软件仿真,观察到器件不同区域引入损伤后电学参数的漂移.仿真结果表明,不同区域的损伤会造成器件电学参数不同的退化.器件JFET区的非电离损伤会使器件的导通电阻增大,而靠近碰撞电离中心的非电离损伤会使器件的击穿电压增大.辐照在器件界面处引入的正电荷或负电荷同样会对器件的电学参数带来很大的影响.沟道上方SiC/SiO2界面处的正电荷会导致器件的阈值电压、导通电阻以及击穿电压降低,而终端区主结上方的SiC/Metal界面处的正电荷只会导致击穿电压的降低.相反,沟道上方SiC/SiO2界面处的负电荷会导致器件的阈值电压、导通电阻以及击穿电压增加.
简介:为揭示大麦中黄酮合成的分子调控机制,利用反转录PCR结合同源克隆和RACE技术首次从青稞(裸大麦)叶片中克隆获得肉桂酸-4-羟化酶基因(HvC4H)的全长cDNA序列(Genbank登录号:KF927086),总长度1951bp,ORF为1518bp,编码505个氨基酸,等电点PI=9.01,平均亲水指数(GRAVY)为-0.170,属于亲水性碱性蛋白,高级结构分析表明其具有细胞色素P450家族保守域及C4H特异的功能性活性位点。利用实时荧光定量PCR分析胚乳发育5个时期不同组织(茎、叶及子粒)的表达情况,结果显示HvC4H基因在青稞胚乳发育期的表达情况存在着明显的组织差异性,在茎中的表达量最高。本研究为通过调控C4H基因的表达从而提高大麦黄酮的含量奠定了分子生物学基础,对于改良大麦的品质、抗性、生长发育等性状具有重要意义。
简介:摘要采用快速热退火方法,研究了Mo-4H-SiC在不同退火温度(600℃-1200℃)条件下的接触特性。通过对样品的I-V特性进行分析,结果表明在经过退火之后,势垒呈现上升趋势,达到1200℃时出现双势垒。对样品进行变温处理之后,测试结果表明1000℃样品有着较高的势垒以及良好的热稳定性,在150℃环境温度下反向漏电流保持在10-8cm-2数量级,在升温过程中几乎不出现变化。通过对有效理查德森常数的计算,使用高斯分布函数对理查德森常数进行优化计算,可以看出虽然退火有助于形成高势垒,但是在一定程度上也导致了样品的横向不均匀的加重。但是这代表肖特基接触在高温情况下的应用仍存在一定改善空间,而S1000样品也为高温情况下肖特基接触的应用提供了一定参考价值