简介：镓氮化物的大数量(轧)nanowires经由Ga2O3电影在一个石英试管在950点在氧化的铝层上扔了的ammoniating被准备了。当水晶的wurtzite由X光检查衍射，X光检查光电子spectrometry扫描电子显微镜和精选区域的电子衍射轧了，nanowires被证实了。传播电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜学(SEM)表明nanowires非结晶、不规则，与从30nm到直到十微米的80nm和长度的直径。精选区域的电子衍射显示有六角形的wurtzite结构的nanowire是单身者水晶。生长机制简短被讨论。

简介：摘要：设计了一种基于AD2S1210的单通道旋转变压器电机转子位置速度的检测方法，介绍了该解调电路的设计方案，针对旋转变压器的工作原理及调理芯片AD2S1210进行了分析，在此基础上对该方案的解码及外围电路、增益驱动电路、输入调理电路进行了设计，并结合TI 公司的TMS320F2812构成了高精度的转子位置转速检测系统，对其进行了试验验证。

简介：

简介：在购买MP3时你是否总是在照顾耳朵还是可怜钱包上犹豫不绝，你是否因为MP3的日久失色而开始喜新厌旧，你是否对MP3有一个心中完美的理想，相信很多人都信奉物美价廉的黄金准则，在选择MP3产品时如果外观能够吸引眼球，性能能够吸引大脑，价钱能够吸引钱包，恐怕很快就要将其据这己有了。现在我为你引存的这位MP3“佳丽”可要请你注意了，她在以上三个过程中都占具着一定的优势，她就是日前纽曼公司继纽曼家族A系列正式推出的U2系列MP3播放器。

简介：在机载C2平台上接入民用目标监视系统后,可有效的丰富探测手段,支持任务区域内目标的完备掌握,支持机载C2平台各类任务的完成。对空中目标监视系统（ADS-B）、海面目标监视系统（AIS）在机载C2平台上的应用进行了研究,包括目标监视系统定位分析,在机载C2平台上的集成方式、信息处理与应用方式、需要考虑的重点问题等,为民用目标监视系统在机载C2平台上的应用提供参考。进一步对新形势与新技术发展下的民用目标监视系统及其在机载C2平台上的应用进行了展望和分析,对系统的接入方式、接入后的信息对抗与反对抗等进行了探讨。

简介：<正>三菱电机在安徽省设立了生产功率半导体模块的合资公司。系与其组装及测试工序制造受托方捷敏电子(上海)有限公司合办,将从2012年1月开始生产。据称,计划2015年将在华组装及测试工序的产能扩大至2011年的2倍。新公司名为"三菱电机捷敏功率半导体(合肥)有限公司"。资本金为500万

简介：Qorvo推出满足LTE2级功率要求的RF前端产品组合，也称作高性能用户设备（HPUE）。集成QorvoRFFE设备的智能手机可兼具高频段频谱的速度与容量优势和中频段频谱的覆盖范围优势。

简介：摘要在新课改的深入推进下，对初中数学教学也提出了更高的要求，教师在保证学生成绩能够有所提升的同时，还需要注重对学生综合能力的培养，以此来提升数学教学水平的整体成效。本文结合新课改理念下初中数学教学的实际发展情况，并结合数学教学有效性的现实作用，提出切实可行的教学策略，从而提升初中学生的综合素养。

简介：<正>美商高盛证券2010年3月22日举行"两岸科技CEO论坛",聚焦两岸开放带来的机会,台积电董事长张忠谋针对两岸半导体政策与产业未来进行演讲,据与会厂商转述,张忠谋认为2年内12英寸晶圆厂可望开放登陆。

简介：摘要针对目前室外基站覆盖城中村无线网存在的难点进行分析，本文介绍了同轴电缆分布系统和光纤分布系统方案覆盖城中村LTE网络的规划方案，并对比分析两种方案的优势与缺点,重点介绍了同轴电缆分布系统方案的规划与实现。在城中村无线网络规划中，可因地制宜选择不同方案进行覆盖，保障城中村的无线网络覆盖。

简介：<正>恩智浦半导体(NXPSemiconductorsN.V)近日推出首款采用1.1-mm×1-mm×0.37-mm超薄DFN(分立式扁平无引脚)封装的晶体管。全新产品组合由25种器件组成,其中包括低RDsonMOSFET以及可将电流能力最高提升至3.2A的低饱和通用晶体管。该全新产品系列凭借其超小外形和高性能,非常

简介：Organicmultiplequantumwells(OMQWs)consistingofalternatinglayersoforganicmaterialshavebeenfabricatedfromtris(8-hdroxyquinoline)aluminum(Alq)and2-(4-biphenylyl)-5-(4-tertbutylphenyl)-1,3,3-oxadiazole(PBD)byamultisource-typehigh-vacuumorganicmoleculardeposition.Fromthesmall-angleX-raydiffractionpatternsofAlq/PBDOMQWs,aperiodicallylayeredstructureisconfirmedthroughtheentirestack.TheAlqlayerthicknessintheOMQWswasvariedfrom1nmto4nm.Fromtheopticalaborption,photoluminescenceandelectroluminescencemeasurements,itisfoundthattheexcitonenergyshiftstohigherenergywithdecreasingAlqlayerthickness,ThechangesoftheexcitonenergycouldbeinterpretedastheconfinementeffectsofexcitonintheAlqthinlayers.Narrowingoftheemissionspectrumhasalsobeenobservedfortheelectroluminescentdevices(ELDs)withtheOMQWsstructureatroomtemperature.

简介：<正>OFweek光电新闻网和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动,英飞凌科技公司产品40VOptiMOSTMT2功率晶体管荣获了技术创新奖。英飞凌科技(中国)有限公司汽车电子事业部市场总监杜曦先生出席了颁奖仪式并代表英飞凌领取了该奖。

简介：UsingdoublecrystalX-raysdiffraction(DCXRD)andatomicforcemicroscopy(AFM),theresultsofGexSi1-xgrownUHV/CVDfromSi2H6andSiH4areanalyzedandcompared.Adsorbatescanmigratetotheenergy-favoringpositionduetotheslowgrowthratefromSiH4.Inthiscase,aSibufferthatisolatestheeffectofsubstrateonepilayercouldnotbegrown,whichresultsinapitpenetratingintoepilayerandbuffer.TheFWHMis0.055°inDCXRDfromSiH4.Thepresenceofdiffractionfringesisanindicationofanexcellentcrystallinequality,TheroughnessofthesurfaceisimprovedifgrownbySi2H6:however,thecrystalqualityoftheGex2Si1-xmaterialbecameworsethanthatfromSiH4duetomuchlargergrowthratefromSi2H6.ThecontentofGeisobtainedfromDCXRD,whichindicatesthegrowthratefromSi2H6islargest,thenGeH4andthatfromSiH4isleast.