简介：简述了超结MOSFET的诞生及其基本原理和器件可靠性；介绍了超结MOSFET的一些不足和针对这些问题进行的改进；最后简要介绍了基于超结理论的一些新型功率器件。

简介：为了集成电路的低成本和高性能设计，文章通过设计SiGe异质结双极晶体管的结构和工艺，给出了微波无线通讯系统的集成方案，从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题，同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。

简介：无论对哪种封装，新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM（Ron＊Qg）——低于6ΩnC，这就注定了此器件将被用于硬开关AC／DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构（ITTF）的功耗。为尽量保证比较有意义，我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入／输出条件。结果表明，与次好的MOSFET移相ZVS桥相比，新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。

简介：仙童公司（Fairchild）面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET，与通常的500V电压等级的MOSFET相比，它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比，这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比，它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。

简介：新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程，特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高，将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶，具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点，在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

简介：为期五天的第18届中国国际工业博览会于11月5日正式落下帷幕,作为韩国自动化行业的尖端品牌,LS产电以＂PackageSolutionSpecialist＂为展示主题亮相此次工博会在工博会现场,LS隆重发布了＂驱动一体化新产品家族＂的一系列先进产品展会现场的产品演示、真机展品以及专业技术交流,更是吸引了众多行业内人士的驻足与咨询。

简介：介绍了高压大功率的双PWM三电平变频器，其在PWM整流侧采用虚拟磁链的直接功率控制，减少了交流侧电压传感器数量和系统成本，提高了系统的动态响应与抗干扰能力。PWM逆变侧采用基于转子磁链定向的矢量控制。仿真结果表明本系统有良好性能。

简介：本文主要针对户外箱式一体化高压变频器设备做可行性分析,从设备的应用环境和工程实施方面介绍户外箱式高压变频器的优势。分析结果表明在石油、电力、钢铁、矿山等环境恶劣的行业中箱式户外一体化高压变频器能够很好的应用并且解决了高压变频器在应用中的房屋建造、冷却配套、工程实施等一系列问题,其使用价值远远高出普通高压变频器,户外箱式一体化高压变频器完全可行。

简介：针对平面电磁波入射到具有金属衬底的等离子体时的反射和衰减情况进行了研究．结果表明：等离子体的各种参数对电磁波入射到等离子体时的反射和衰减都有很大的影响．而这些影响可以在实际应用时进行相关的调节，从而获取等离子体最好的吸波性能。

简介：2005年无源元件巨头EPCOS在中国市场的一系列本地化举动引人注目。继9月份与厦门信达建立合资企业（厦门EPCOS有限公司），生产应用于诸如工业电子和不间断电源的铝电解电容器后，11月中旬，EPCOS又宣布与北京中石生产EMC滤波器的合资企业（中石爱普科斯）。

简介：根据目前移动通信体制的特点和手机的工作模式，给出了一种用于地震灾害中搜索被掩埋人员的救援系统的设计方法。该系统利用伪基站仿冒网络端要求被掩埋人员随身携带的手机发送IMSI，然后通过统计IMSI来获得被困人员的数量。结合天线方向图下倾技术和AOA定位方法，对信号源进行定位从而间接获取被压埋人员的位置信息。

简介：在分析我国变频器发展历史的基础上，对目前我国变频器参数大量使用对电机用户造成选择困难的原因做了深入的探讨。指出了只有把变频器与电机看作传动整体，对电源形成绿色优化目标，对传动轴作性能优化，才可以得到用户满意、操作简单、控制“傻瓜”化的现代化传动系统。