简介：
简介：自硅芯片问世以来，芯片制造商一直认为芯片越小越好。芯片越小，电子运动的距离越小，运算速度越快。但芯片小到一定程度时，漏电问题就会成为主要矛盾。
简介：利用MOCVD技术，分别在图形化蓝宝石衬底（PSS）、沉积有AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-A）和经过选择性刻蚀掉部分AlN的AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-E）上外延生长GaN。在高倍金相显微镜下面观察了生长的表面形貌，利用AFM测量了外延片表面的粗糙度，对比分析了三种样品（002）面和（102）面XRD的FWHM，然后对三个样品切片，SEM观察了三种样品的剖面图，最终将三种样品衬底的外延片制备成相同产品，对比分析了样品的LED芯片的光电参数。
简介：采用真空蒸镀与化学镀两种方法制备GaN基发光二极管（LED）金电极,分析比较了两种工艺所得芯片成本、外观色差、打线拉力。结果表明,化学镀金可选择性还原欲沉积的金属于电极上,较之蒸镀整面金属,可大幅度节省金属成本,且操作简单易行。化学镀金法所制得金属层,较蒸镀法所制得金属层表面粗糙,可有效减少电极间的色差,且能提高打线或焊线的附着力。
变焦透镜设计满足市场需求
在硅芯片上做文章
图形化蓝宝石衬底上利用AlN缓冲层生长GaN的研究
化学镀金在GaN基发光二极管电极制备上的应用
