简介：IDC的建设，为互联网的发展提供了支持。但作为专业化的综合性工程项目，IDC项目的监理需要掌握较多的质量控制要点。因此，本文对IDC项目监理的质量控制要点展开了探讨，以便为关注这一话题人们的提供参考。

简介：6月2日，PCIM中国展会上，赛米控展出了新一代SKAI的首个代表产品。该产品被设计用于驱动功率高达150kW的多用途车辆或乘用车。新整流器在典型的车辆加速周期（〈1min）内提供了前所未有的过载能力。正如上一代产品，该整流器也是基于压力和弹簧接触技术，该技术特别适用于汽车应用。此外，采用烧结技术连接半导体芯片将热循环能力提高了5倍，与此同时，也提高了最高结温。得益于这些技术的使用，整流器具有较高的过载能力，使得峰值电流最高达900A成为可能。

简介：本文介绍了应用变频器时的基本控制电路，着重介绍了电动机起动和停止时的三线控制电路、升速和降速端子的应用电路、以及多挡转速控制的实施电路等。

简介：摘要：智能变电站是变电发展的主要趋势，目前智能变电站越来越多，变电站供电设施的运行变得更加复杂。分析智能变电站的一键顺控技术，了解智能变电站的特点，对系统进行设计。提升变电站的操作智能化，同时减轻操作人员的工作量。基于此，本文分析智能变电站一键顺控技术研究和应用，为智能变电站的未来发展提供参考。

简介：文章综合考虑混沌系统的加密技术与分片Hashing技术等先进的信息安全技术,设计了一种能够应用于计算机取证中防篡改与保全电子证据的系统。实践表明,系统可良好地应用于计算机取证电子证据防篡改工作。

简介：首先简述了协同作战能力（CEC）系统的概念、功能和组成。在此基础上，以美国典型的导弹防御系统——航母战斗群反导系统为背景，构建了以协同作战能力系统为核心的分布式交互仿真系统，分析、研究了协同作战能力系统的仿真模型；同时，文章提出的仿真模型已应用于航母战斗群反导系统仿真系统中，仿真结果充分验证了模型和方法的有效性，为深入研究协同作战能力系统奠定了技术基础。

简介：摘要随着铁路工程建设事业飞速的发展，我国的高速铁路工程也在高速建设中，高速铁路工程能够满足人们快节奏的生活和生产需求，最大程度的方便人们。在高速铁路工程中，调度通信系统是铁路通信的一部分，并且当前已逐渐实现网络化和数字化，有效的提升高速铁路工程的调度通信地安全性和可靠性。下面就对数字化的调度系统进行分析，以供借鉴和参考。

简介：X射线检测技术和返修技术领先厂商VJElectronix日前宣布，将在NEPCONChina2012展览会上，在其代理商凯能自动化公司1G56号展台上，展示其先进的返修系统和X射线监测系统。

简介：随着我国改革开放的深入和中国加入WTO，我国的电信市场逐渐走向更加开放、公平和有序的竞争环境。特别是在接入网方面，各种技术层出不穷，市场竞争更加激烈。接入网分为有线接入网和无线接入网两种。目前比较流行的3．5GHz固定无线

简介：

简介：6月5日，新闻集团的区域性附属组织FOXTurkey宣布将其播出系统升级到草谷公司最新的信号处理和播出技术。

简介：7月26日下午，重庆市通信管理局组织召开了2011年上半年网络与信息安全工作会。管局信息安全管理处、国家计算机网络应急技术处理协调中心重庆分中心技术保障处的负责人、三家基础电信企业分管领导和相关部门负责人及工作人员等共40人参加了会议。国家计算机网络应急技术处理协调中心重庆分中心主任谢红华在会上做了重要讲话。

简介：文章对带有外观检验功能的TO-252晶体管全自动测试／打标分选机的工作原理、软件和硬件设计进行详细介绍。该设计中首次引入测试推管机构，以解决因TO-252管脚太短、产品管脚与金手指接触不良引起的产品电参数测试误测问题；同时，在生产流程中引入外观检验工位，对测试、打标后的产品打标内容和管脚外型尺寸进行自动检验，很好地避免了成品中出现外观不良的产品。实践证明，该机具有自动化程度高、运行高速可靠、操作安全方便、维护简单、性价比高等优点，客户使用后反映良好。

简介：意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM5×6双面散热（DSC）封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元（ECU）的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。

简介：按照工信部关于向民间资本开放宽带接入网市场的通告精神．我局积极推进宽带接入网开放试点，并于7月1日向首批三家民营企业发放了试点批文，使我市成为西部率先开展宽带接入网开放试点的省市。

简介：<正>近日,应用材料公司拓展了其AppliedEnduraAvenirRFPVD系统的应用组合,实现了镍铂合金(NiPt)的沉积,将晶体管触点的制造扩展至22纳米及更小的技术节点。晶体管触点上的高质量镍铂薄膜对于器件性能非常关键,但是在高深宽比(HAR)的轮廓底部沉积材料是一个极大的挑战。为确保触点阻抗的一致性和最佳产品良率,Avenir系统为HAR深达5:1的触孔提供了超过50%

简介：<正>在未来十年左右的时间里,蚀刻在硅基电脑芯片上的电路预计就将变得小无可小,从而促使人们寻找替代品来取代硅基芯片的地位。在使用什么材料作为替代品的问题上,有些研究者正对碳纳米管寄予厚望。近日,斯坦福大学的一个研究团队成功地演示了一个简单的微电子电路,这个电路是由44个完全以丝

简介：TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W（CW）射频输出功率。

简介：Atmel公司近日宣布为8倍DVD双层写速度推出两款新的激光二极管驱动器ATR0839和ATR0849。这些新器件拓展了Atmel现有的用于较高写速度的LVDS（LowVoltageDifferentialSignals）激光二极管驱动器系列。

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。