简介：制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体（Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS）二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明：该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h（相当于常温下测量60d）后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。

简介：使用[β-B-BiW9O（33）]（9-）作为基本建筑单元,成功合成了多酸做配体的双核Ce（Ⅳ）配合物（Na6H（10）{Ce（H2O）3（μ2-OH）[Bi2W（21）O（70）（OH）3]}2·40H2O）,通过元素分析、X-射线单晶衍射、XRD、IR和TG表征技术确定了其组成和结构.两核Ce（Ⅳ）离子配合物是通过2个μ2-OH-连接构成的,每个Ce（Ⅳ）离子除了与2个μ2-OH-配位外,还与3个H2O以及[Bi2W（21）O（70）（OH）3]（11-）中4个缺位O原子配位,形成三帽三棱柱.[Bi2W（21）O（70）（OH）3]（11-）多酸阴离子是通过3个W（Ⅵ）连接形成新的多酸阴离子物种,在缺位结构上留有一个空位恰好与Ce（Ⅳ）离子配位.通过对配合物的电化学分析发现,与硝酸铈铵对比,配合物中Ce（Ⅳ/Ⅲ）的阳极峰电势由0.857减小至0.772V,表明多酸阴离子配体有稳定Ce（Ⅳ）的作用.