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  • 简介:行业人眼中的奥托尼克斯是出众的、卓越的,然而这份独特和优秀建立在平稳发展基础之上,这份荣耀的光环背后是奥托尼克斯人这份骨子里的韧,三十年的耕耘收获,稳健提升换来的是今天站在金字塔顶尖,眺望之后整理思绪我们沉思,奥托尼克斯作为韩国企业是怎样在中国发展、壮大,继而厚积薄发立足于中国自动化之林的呢?本刊记者采访了奥托尼克斯电子广州分公司经理锡珉先生,以下简称“经理”)。

  • 标签: 记者采访 金字塔 后整理 奥托尼克斯电子广州分公司 高锡珉 中国自动化
  • 简介:美国国家仪器公司(NationalInstruments,简称NI)最新推出的PCI版本的PXI-5922可变分辨率数字化仪(也称为基于PC的示波器)可以实现较大动态范围的测量。PXI-5922数字化仪可提供目前市场上数字化仪产品中最高的动态范围,这一具动态性能和灵活性的通用仪器现在正式推出PCI版本,适用于包括通讯、半导体、生化以及超音速非破坏性测试(ultrasonicnondestructivetest,NDT)的许多领域。

  • 标签: PCI接口 大动态范围 数字化仪 美国国家仪器公司 NI 高动态性能
  • 简介:TI公司日前宣布推出一款全新模数(A/D)视频解码器。该款高性能、低成本解决方案在同一芯片上集成了4个独立的视频解码器,因而非常适合视频监控等多输入视频应用。高度集成的全新TVP5154四通道A/D视频解码器能够显著简化布局,与前代产品相比可节省高达25%的板级空间。此外,TVP5154的每个通道均采用可编程的水平/垂直(H/V)换算器,这种设计可减轻相关视频处理器处理负载的负担,使开发人员拥有更大的空间来实施增值算法。

  • 标签: 视频解码器 高度集成 TI公司 单芯片 新器件 视频处理器
  • 简介:在SiC二极管经过10年的成功生产后,我们认为SiC技术已足够成熟以提出我们的第一个SiC开关器件。SiC独特的物理特性使我们有机会设计除硅超结器件和IGBT外的新一类高压开关器件,其关键特征在于较低的静态和动态功耗以及体二极管的集成,这对依靠硬开关整流及谐振开关的电路拓扑来说将被证实是革命性的。本文将讨论其主要技术特点

  • 标签: JFET技术 高压开关器件
  • 简介:在工业大功率应用领域已经推出了多种类型(对称,非对称以及逆向导通)的门极换流晶闸管(GCT)器件,为了用它来实现更高性能、更加合适的系统,人们期望对门极换流晶闸管展开进一步的研究,本文提出了对称门极换流晶闸管的一种新方案。

  • 标签: 晶闸管 非对称 驱动单元 门极 换流 紧凑型
  • 简介:应用于EV/HFV(电动汽车和混合电动汽车)转换系统的IGBT模块,要求其提高功率密度,以能达到缩小系统体积的目标。为了达到这个目标,我们研发了采用高热导工艺的新型的功率密度的6-型(6-pack)IGBT模块。采取的创新措施:采用直接冷却系统以消除热脂的热阻;优化了散热器和液体套管的设计;绝缘衬底不采用通常使用的Al_2O_3(氧化铝),而采用了热导率比Al_2O_3的Si_3N_4(氮化硅);开发了新型焊接材料。研发的新型IGBT模块能用于EV/HFV转换系统的可能性是非常大的。

  • 标签: 电动汽车 IGBT 高功率
  • 简介:介绍了IPcamera监控系统和IPCamera的构成和智原科技最新推出MPEG4编解码SoC器件FIC812060主要特点。给出了基于FIC8120芯片的IPCamera解方案方案。

  • 标签: IP CAMERA 监控系统 FIC8120 FA526 LINUX
  • 简介:日前,VishayIntertechnology,Inc(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出可在1.5V-5.5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道边负载开关——SiP32458和SiP32459。

  • 标签: 负载开关 斜率控制 P沟道 小尺寸 封装 INC
  • 简介:自动化与驱动领域著名跨国品牌欧姆龙习前宣布,隆重推出SYSDRIVE3G3MZ系列功能紧凑型矢量控制变频器。这款产品属于欧姆龙最新推出的“黑珍珠”新品系列之一。其先进的矢量控制技术、丰富的附加功能、人性化的设计以及为OEM客户量身订做的服务在业界引起极大反响。

  • 标签: 矢量控制变频器 欧姆龙 紧凑型 高功能 闪亮 矢量控制技术
  • 简介:在200W连续导通模式功率因数校正(PFC)系统中,新一代600V砷化镓(GaAs)肖特基二极管与硅和碳化硅(SiC)二级管比较,砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25%。由于砷化镓较低的结电容,砷化镓相对碳化硅的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比,砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说,新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

  • 标签: 肖特基二极管 砷化镓 功率因素校正 高功率密度 一代 功率因数校正