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  • 简介:国家863计划集成电路制造装备重大专项“100nm高密度等离子刻蚀机和大角度离子注入机”,9月28日在北京通过了科技部与北京市组织的项目验收。这是我国国产主流集成电路核心设备产品第一次实现销售,标志着我国集成电路制造核心装备研发取得了重大突破,在该领域自主创新和产业化上又迈出了可喜的一步。

  • 标签: 高密度等离子体 离子注入机 项目验收 大角度 刻蚀机 集成电路制造
  • 简介:采用自制的BA-MMA-AA三元共聚物和四异丙氧基钛(TPT)对纳米Si3N4进行表面包覆处理,利用红外光谱分析、TEM、粒径分布、接触角等手段进行表征,结果表明:在纳米Si3N4粉的表面包覆了有机物,并与其发生了化学作用,有效地阻止了纳米Si3N4粉的团聚;处理过的Si3N4粉粒径明显减小,在有机溶剂中的分散稳定性显著增加,表面自由能明显降低,改善了纳米Si3N4粉在聚合物基体中的分散。

  • 标签: 纳米氮化硅粉体 三元共聚物 表面包覆处理剂 分散性 稳定性
  • 简介:本文以六水硝酸铈(Ce(N03)3·6H20)为原材料、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为表面活性剂,不依托任何硬模板水热法一步合成了微纳米级规则的八面体形貌二氧化铈(Ce02)晶体。乙醇含量对该八面Ce02可控形貌的制备发挥了重要作用。在200%反应温度下,随着乙醇的加入,乙醇和水的比例由1:3达到3:1,Ce02形貌相应从实心八面变为空心不规则粒子。当乙醇和水的比例为1:1时,反应时间从最初6小时到12小时直到48小时,Ce02形貌从实心类似八面先变为规则的八面最后变为空心不规则粒子。本文重点考察了上述八面Ce02的电化学行为,主要考察了在含0.02mol/L氯化钠的260x10。mol/L亚甲蓝fMB)溶液中,石墨烯(GN)/CeOd壳聚糖(CHIT)复合薄膜修饰碳糊电极(CPE)的电化学行为;以及在含0.5mol/L氯化钾的160mmol/LK3Fe(CN)6/KaefCN)6(1:1)溶液中,多壁碳纳米管(MWNTs)/CeO2/CHIT复合薄膜修饰玻碳电极(GCE)的电化学行为.电化学测量采用循环伏安法(CV)和微分脉冲伏安法(DPV).本文制备的微纳米级八面体形貌CeO2和新型碳材料(MWNTs,GN)复合后表现出明显的电化学协同效应,说明该微/纳级八面CeO:具有良好的电化学应用前景.

  • 标签: 八面体二氧化铈 形貌可控 水热法 电化学 协同作用
  • 简介:以氯化锡晶体为原料,草酸为添加剂制得前驱物,在氮气氛保护下,550℃反应25min制备出一种浅黄褐色非计量比氧化锡。从样品的电阻率、颜色、XRD图谱、比表面积及红外图谱入手,分析了产物的组成及性质,并将优化产物引用到导电涂料领域中。研究结果表明:本法制得的产物晶粒小、电阻率低、颜色浅,在浅色导电及防静电涂料中有着潜在的应用价值。

  • 标签: 浅色导电粉体 非计量比氧化锡 导电及防静电涂料