简介：片状氧化铝粉体以其优越的性能广泛应用于陶瓷、化妆品、汽车漆料等多种领域。采用熔盐法以γ-Al2O3为原料、复合硫酸盐（分析纯Na2SO4-K2SO4）为熔盐。添加一定量的添加剂．在1200℃×3h制得粒径为4～10μm、厚度约0．2μm的片状氧化铝粉体。

简介：介绍了在多孔氧化铝模板(AAM)中沉积Zn阵列后将其加热氧化，得到单晶六角纤锌矿结构的ZnO／AAM纳米线有序阵列体系。研究了不同的氧化温度对Zn向ZnO转化和ZnO纳米阵列光致发光性能的影响。

简介：在水、辛烷基苯酚聚氧乙烯醚(TritonX-100)、正丁醇、环己烷组成的微乳液体系中,制备并表征了氧化铝—氧化锆纳米复合颗粒。分别用透射电镜、X射线衍射、红外以及热分析表征60℃真空干燥和500℃热处理后的粉末,表明60℃真空干燥后,粉末以无定形为主;500℃时粉末粒径为5nm左右,主要是t-ZrO_2,Al_2O_3以固熔体形式存在。

简介：据海外媒体报道，因国内铝价高企，与伦敦交易所金属的价格差距缩小，中国9月氧化铝进口比8月进口增加了一倍多。

简介：以硫酸和草酸溶液为电解液，采用二次阳极氧化法制备出高度长程有序的纳米孔氧化铝（AAO）模板，并结合扫描电子显微镜（SEM）对其微观结构及形貌进行了观察和表征。通过研究不同的氧化电压和电解液浓度对AAO模板纳米孔形貌（孔径、孔间距、面密度和长程有序性）的影响，得到了最佳的氧化电压和电解液浓度。

简介：

简介：用十六烷基三甲基溴化铵／正丁醇／环己烷／盐水反相微乳液体系制备出了纳米级不同粒径的球形氧化铝粉体，运用TG—DSC、SEM、XRD等手段对氧化铝及其前驱体进行表征，结果表明，通过改变水与表面活性剂的摩尔比（ω），可实现球形纳米氧化铝粉体粒径的可控操作，并且具有分布均匀、分散性好和无团聚的特征。

简介：美国摩根技术陶瓷公司以99．8％的氧化铝为原料开发出高纯度、耐腐蚀的氧化铝半导体，可用于制造的半导体芯片。其使氧化铝半导化的基本原理是通过严格控制供应，消除游离在晶界二氧化硅。产品良好的抗热震性及高纯度氧化铝能使它能够承受高温及温度的周期性变化。公司计划运用这一技术来开发一些半导体组件。

简介：以偏铝酸钠溶液和二氧化碳气体为原料，成功地制备了不同晶型的氢氧化铝纳米粉末。叙述了实验过程中工艺条件对产品粒度、形貌和晶型等方面的影响。采用TEM、SEM、XRD分析表征了产品的形貌、粒度和晶型，结果表明，产品分别为片状三水氢氧化铝、纤维状的一水拟薄水铝石和无定形的三水氢氧化铝。

简介：莫斯科国立电子技术学院一科研小组开发出了一种生产纳米多孔氧化铝方法。采用这种氧化铝，可以创建包括光子晶体在内的系列用于半导体器件的现代材料。目前，微电子半导体器件主要通过光刻技术来创建。

简介：以0．8mol·L-1Al（NO3）3·9H2O的乙醇溶液为电解液，用阴极微弧电沉积的方法在HR2钢表面制备出厚度约为69μm的氧化铝陶瓷涂层，通过扫描电子显微镜（SEM）观察了涂层的表面和截面形貌，通过x射线能量色散谱（EDS）及x射线衍射仪（XRD）分析了涂层的成分以及相组成，通过电化学综合测试系统分析了涂层的电化学腐蚀性能，结果表明：涂层表面粗糙多孔，与基体呈犬牙咬合状结合；涂层主要由旷Al2O3和rAl2O3组成；涂层中含有少量的Fe元素，表明膜／基界面附近的基体在微弧放电的作用下也参与了成膜；沉积氧化铝涂层后，样品的腐蚀电流密度降低了1个数量级，耐腐蚀性能得到提高。

简介：氧化铝陶瓷与石墨作为新型材料广泛应用于机械、电子、航空、石油化工、原子能等领域，二者具有一定的相似性能，其制备、结构及性能的研究已得到广大科技工作者的重视，但对其性能基础理论的对比研究还不够。对氧化铝陶瓷和石墨材料的耐磨性、疲劳、抗氧化性、形变、导电等性能进行了比较，指出在某些领域可用氧化铝陶瓷取代石墨材料。氧化铝陶瓷的高强度、耐磨、不易变形等性能能更好地满足工业加工，对节能环保具有重大意义。

简介：为了提高整体中空复合材料的阻燃性能，利用DOPO型硅烷偶联剂对氢氧化铝（ATH）进行表面改性制得DOPO／ATH。对改性后的ATH进行红外光谱分析（FT1R），结果表明，在ATH与DOPO型硅烷偶联剂之间存在化学键合。LOI和UI，94测试结果表明，DOPO/ATH对整体中空复合材料的阻燃性能具有提高作用。当球磨改性制得DOPO／ATH的填充量达到20％时，整体中空复合材料的LOI值为29％，并且通过UL-94V-0测试。

简介：氧化铝陶瓷材料在工业上应用非常广泛，但其韧性较低，还需进一步改进。在氧化铝陶瓷基体中加入金属相，可以提高其断裂韧性。综述了金属增韧氧化铝基混杂复合材料的研究现状，分析了裂纹桥联、裂纹偏转、微裂纹增韧等金属粒子增韧陶瓷的增韧机制以及氧化锆增韧氧化铝陶瓷的增韧机制。研究了混杂复合材料中界面结合情况对其韧性的影响。同时提出用定向凝固的方法制备氧化铝基陶瓷混杂复合材料的展望。

简介：

简介：据阿拉木图9月15日消息，哈萨克斯坦国家统计局公布，哈萨克斯坦1-8月生产精炼铜252、835t，较2007年同期下滑6.3％。

简介：采用粉末冶金法制备了多壁碳纳米管／氧化铝混杂增强铝基复合材料，并测试了其密度和硬度，初步分析了其组成物相，测定了室温下与振幅有关的阻尼。结果表明。多壁碳纳米管／氧化铝混杂增强复合材料的密度有所减小，硬度明显提高；室温下，低振幅阻尼较小，高振幅阻尼较大。

简介：采用溶胶-凝胶法和超声化学法相结合的方法制备出复合掺杂氧化镧粉体，采用X射线衍射（XRD）和场发射扫描电子显微镜（FESEM）等对其产物进行了表征，并分析了材料的物相结构和显微形貌。实验结果表明，制备氧化镧的最佳烧结温度为750℃，控制适当的工艺条件，能制得结晶发育良好的复合掺杂氧化镧超细粉体；超声波辅助作用有利于促进晶粒细化、均匀致密，提高材料的性能。

简介：一、氧化锌（ZnO）半导体材料作为典型的第3代半导体材料,半导体氧化锌（ZnO）激子结合热能高达60meV,远大于室温下的热能（26meV）。这样,ZnO可以通过激子-激子散射的方式实现受激发射,这种模式比半导体中通常采用的电子-空穴等离子体的受激发射模式的阈值低2个量级以上。因此与Ⅲ族氮化物相比,ZnO其在固态照明、短波长半导体激光和紫外光电探测等领域有明显的优势,已经成为目前半导体研究领域中的热点。

简介：采用常压热蒸发锡粉的方法制备出尺寸均匀、表面光滑致密的SnO2纳米带。通过高温退火处理，氧化锡纳米带从Sn304和SnO2的混合相转变为SnO2金红石相。深入研究了SnO2纳米结构的光致发光性能，结果显示，退火前SnO2纳米带在600nm附近有一较强的发光峰，在375nm有一弱发光峰；退火处理后，375nm处的PL峰消失，此现象可能是由于退火后纳米带中晶格缺陷减少而导致。