简介:国际半导体工艺指南(ITRS)的组织者们,迄今仍主要关注SiCMOS器件,但也在考虑非数字、非Si器件的应用,例如,无线通信。就数字电路来说,HRS的组织者们也不得不寻找Si以外的材料,在ITRS的最新版(2005年版)中,有这样的评论:随着本“指南”接近末期,器件将按准弹道模式工作,其电流增益将按与目前所知不同的参数得以增强,实际上碳纳米管、纳米线和其它高输运沟道材料(例如,Ge、Si衬底上的Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜沟道)是需要的。这一陈述是记载在“长期指南(2014-2020年)”部分。“准弹道”意味着载流子平均自由程和驰豫时间达到器件特征尺寸量级和工作频率量级。同时需建立新的电荷输运物理模型。
简介:以钛酸正丁酯为前驱体,采用原位生成法制备出了具有良好性能的PBT/纳米钛系化合物复合功能聚酯,并对其可纺性及纤维力学性能进行了研究。研究发现,当钛酸正丁酯的添加量小于2%(质量分数)时,聚合反应稳定且反应时间大大缩短,同时纳米钛系化合物在原位聚合产物中具有良好的分散性,不会对纺丝性能造成任何不良影响,而且单根纤维强力达到了3.5cN/dtex。用该复合功能聚酯制得的织物具有良好的抗紫外性能。
简介:日产化学工业公司已将其聚合能力扩大了50%并扩充了其名为TEPIC的环氧化合物的精制能力。这次扩容是在小野田工厂(山口县)进行的。该厂正在全负荷生产,2006年11月将完成扩容。日产公司几乎控制了全球电子元件(以封装料为中心)用环氧化合物市场,这次扩容意在保持其全球领先地位。TEPIC属三嗪类化合物,有很好的电子特性及高耐热,耐化学品性和耐侯性。该产品市场领域已逾40个国家,主要用于粉末涂料固化剂。近来韩国、中国大陆及台湾的电子元件业对用于阻光油墨及LED(发光二极管)设备涂料等的高纯度及特殊级别的产品需求一直在增长。
简介:采用气相传输法,以金膜为催化剂,氧化锌和石墨混合粉末为锌源,制备氧化锌纳米材料。研究获得氧化锌纳米线的光致发光性能。初步探索了氧化锌纳米线的生长机理。实验结果表明,当衬底温度为600℃时,金颗粒的催化性能得到了较好的发挥,形成长度大于10μm,直径小于80nm的均匀致密的氧化锌纳米线膜。这种氧化锌纳米线具有紫外发光特性。低于600℃时,锌氧蒸汽发生了自凝结,进而在金颗粒间隙形成氧化锌带(400℃时),或在金颗粒上吸附聚集形成花状氧化锌纳米棒(200℃时)。而在高于600℃时,金颗粒析出的锌迅速挥发或氧化、长大,出现了稀疏的针状氧化锌和颗粒。氧化锌纳米线可能的生长模式为"底端生长"模式。
简介:实现锡铁矿的资源化利用,采用高硫煤硫化磁化复合焙烧法对其进行处理。以最大限度脱除锡铁矿中锡为目标,对锡铁矿硫化磁化复合焙烧脱锡的热力学条件进行了系统研究。结果表明,SnS的挥发性能最好,且SnO的硫化趋势相对较大。同步实现锡的挥发脱除和铁的磁化富集,应控制焙烧条件为CO浓度介于0.014%~8.06%、焙烧温度高于793K。高硫煤中含硫物相硫铁矿硫、有机硫等的高温加氢裂解产物为S2、H2S、S02和FeS,其均可将SnO硫化成SnS实现锡的挥发脱除,且以硫铁矿硫分解产物S2的硫化作用居主要地位。该工艺为高硫煤的短流程清洁利用提供了一个新的方向。
简介:探讨了以无机物为原料,采用共沉淀法制备纳米掺锑氧化锡(ATO)粉体材料时,沉淀后处理对粉体性能的影响。研究采用3种方式对沉淀进行洗涤:(a)沉淀在饼状下直接水洗;(b)沉淀在分散状态下水洗;(c)沉淀在(b)洗涤后再醇洗等。粉体的透射电镜(TEM)结果表明:采用(c)洗涤的分散性最好。在沉淀中添加了几种表面活性剂以制备分散性良好的粉体。TEM结果表明:非离子型表面活性剂聚乙二醇和聚乙烯吡咯烷酮K30制得的粉体为单分散性状态,而离子型表面活性剂十二烷基磺酸钠和油酸钠不能使粉体良好分散。x射线衍射(XRD)结果表明粉体的晶粒尺寸随煅烧温度的升高而增大。温度应高于310℃,Sb取代Sn的掺杂才可能进行。