简介:介绍了钝化离子注入半导体探测器的工作原理和制备工艺,两种探测器制备的灵敏面积分别为10mm^2和25mm^2,辐射性能测试实验结果表明该探测器具有响应线性度好、噪声低、偏压低等优点,反向偏压为3V时,剂量率监测范围为:1×10^-3~1×10^3cGy/h.
简介:对防化研究院某研究所生产的SY-2型CR39探测器与美国Battelle公司生产的CR39探测器进行了快中子灵敏度对比和SY-1型CR39探测器与日本CR39探测器进行了α粒子注量与径迹密度线性关系对比。实验结果证明:防化研究院某研究所生产的CR39探测器与国外同类产品具有相同的快中子灵敏度和同样较好的α粒子注量与径迹密度线性关系,其性能和国外同类产品基本相同。
简介:简要介绍了一种新型RADFETsγ剂量探测器的工作原理以及辐射性能研究。
简介:在建立高斯型重复脉冲激光辐照InSb(PV)型探测器物理模型的基础上,采用近似解析解的形式计算了圆柱形InSb靶板的二维温度场.通过数值分析得出了在激光辐照时,InSb(PV)型探测器的温升与时间的关系,并计算出相应的损伤阈值.研究表明:在高斯型重复脉冲激光辐照下,损伤阈值受到脉冲数目、宽度、重复频率以及脉冲激光光斑半径的影响,InSb(PV)型探测器会发生熔融损伤,发生于迎光面的光斑中心.对于一定厚度胶层的InSb(PV)型探测器,只有强度大于一定阈值时重复脉冲激光的辐照才可能发生熔融损伤,越薄的胶层对应的损伤阈值越大.为了增加InSb(PV)型探测器的激光对抗能力,应该减小胶层厚度.