简介：基于功率MOSFET器件研制了一种能产生高压高速脉冲的发生装置.设计了由超高速运算放大器构成的宽频带放大器和MOSFET互补推挽驱动电路,分析了功率MOSFET器件的开关特性,并讨论了影响其工作速度及工作频率的因素.脉冲发生器输出脉冲幅值最高可达-500V,前后沿时间均小于5ns.脉冲宽度和频率根据输入触发信号进行调节,触发延迟小于30ns,触发抖动小于500ps.

简介：本项工作利用二元相位光栅的特点，研究一种高效快速的阈值测量方法。基本原理是设计一个具有特定相位分布的相位光栅，入射高斯光束通过二元相位光栅形成类高斯分布的激光点阵，并对样品进行辐照，研究衍射点阵中各点的峰值能量密度分布和样品的损伤情况，可用单脉冲激光确定光学元件的损伤阈值。

简介：通过对数值计算的高空电磁脉冲（HEMP）波形函数拟合，确定了HEMP标准波形的函数形式。以标准电磁脉冲波形频谱的各频率分量最大值为原则，得到标准波形的幅度谱，利用希尔伯特变换，用频谱相位重建方法获得标准时域波形；最后以部分数据为例，对获得标准参数的频域方法进行了详细讨论。

简介：介绍了高重频微秒脉冲钠信标激光器实验样机的技术路线和实验研究结果,在重复频率500Hz、脉冲宽度100μs时,获得了钠信标激光平均输出功率为33W,光束质量M^2=1.5,线宽为0.4GHz。以云南丽江1.8m口径望远镜为发射系统,研究了应用该激光器获得高亮度钠导引星的最佳激光参数,获得了钠导引星光子回波达1.66×10^7m^-2·s^-1。利用自适应光学技术在J波段实现了1.7倍衍射极限的图像分辨率。

简介：为了分析电流型CdZnTe（CZT）探测器的脉冲线性,利用CZT探测器测量得到了脉冲宽度为50ns的脉冲X射线响应曲线,采用波形时间积分法分析了其线性特性。结果表明,以波形时间积分为测量目标量,当X射线照射量在0.160-0.826mR范围时,在10%的不确定度范围内,样品探测器可作为线性测量系统的探测器件;以幅值为测量目标量,工作电压为400V时,在5%的不确定度范围内,样品探测器可作为线性测量系统的探测器件。

简介：在低仰角条件下，对短脉冲微波传播中出现的遮挡、多径到达和天线波束分裂现象进行了分析，分别应用透波屏模型、Fresnel半径模型和两路径模型描述这三种现象，结合工程实践估算其产生的影响，并提出了应对措施。

简介：采用全电磁粒子模拟方法和一维近似模型,考虑电磁脉冲场对康普顿电子运动的影响,数值模拟了早期高空核电磁脉冲产生的自洽过程。给出了理论模型和计算模型,选取了一个计算区域位于源区的算例,比对了自洽处理方法和非自洽处理方法的异同,给出了三个考察点上电场分量的时域波形。结果表明,自洽处理方法会使第1峰值电场强度稍有降低,但对第2和第3峰值电场强度影响不大;同时,自洽处理方法会使第1与第2峰值电场强度之间的时间间隔缩短,但对以后各个峰值电场强度之间的时间间隔影响不大。

简介：阐述了20kV固态Marx脉冲调制器的设计原理、结构特点及驱动控制方法。该系统由8级模块串联而成，每级模块的储能电容、高压充电和固态开关驱动供电均采用高压硅堆隔离，Marx模块采用两只独立控制的高压绝缘栅双极型晶体管（insulatedgatebipolartran-Sstor，IGBT)对模块的储能电容实现充电和放电。IGBT驱动电路采用高压硅堆隔离供电、光纤传输触发脉冲和高性能IGBT驱动模块TD350设计构成。驱动电路具备完善的欠压、过流和过压保护功能。Marx模块采用插拔式结构，维护快捷简便。脉冲源在无强化散热措施条件下，输出方形高压脉冲幅度大于20kV，脉冲宽度为10ps，脉冲前后沿均为300ns，重复频率可达1kHz。

简介：为了得到适应脉冲调制要求的电爆炸丝,利用PSpice电路仿真软件建立了电爆炸丝的电路模型,并通过电爆炸丝实验验证了仿真模型的合理性。对以电爆炸丝为断路开关的电感储能脉冲调制电路进行了仿真计算,得到了电爆炸丝数量和几何尺寸等参数对电爆炸切断时间与峰值电压的影响规律。研究结果表明,电爆炸丝的电爆炸时刻随着根数、直径的增大而推迟,随着充电电压的增大而提前;电爆炸峰值电压随着电爆炸丝长度的增大而减小,随着充电电压的增大而增大。

简介：为深入研究系统电磁脉冲(SGEMP)特性,通过蒙特卡罗程序MCNP计算并总结了发射电子能谱、θ方向角分布以及光电产额等发射电子参数的变化规律,给出了不同X射线黑体温度下表征射线能量的能谱参数E1。利用3维全电磁PIC程序对SGEMP进行模拟,并将模拟结果与用X射线黑体温度T近似代替能谱参数E1取值方式下的模拟结果进行了对比。结果表明,低能射线的能谱参数与黑体温度近似相等;而高能射线的能谱参数与黑体温度存在偏差,会导致SGEMP模拟计算的电磁场峰值产生偏差。

简介：研制了一种带孔球头-平板电极结构的激光触发水介质开关,实验获取了4种间距下的自击穿电压与击穿延时曲线,并根据Martin公式对实验数据进行了分析。结果表明,固定结构下的水介质击穿存在击穿电压上限,该上限与间距近似成正比;在稍不均匀场条件下,Martin公式中的M值随间距变化而变化,不是一个常数,而M值与场增强因子之比较M值随间距的变化波动更小。

简介：为提高太赫兹脉冲的功率测量精度,基于n型硅在强电场下的热电子效应,研制了一种采用过模结构的0.14THz脉冲功率探测器.该探测器由基模波导WR6、过渡波导、过模波导WR10、n型硅探测芯片和偏置恒流源组成.首先介绍了探测器的结构及工作原理,给出了相对灵敏度表达式,分析表明过模探测器能在TE1o模式下很好地工作.然后结合国内工艺水平,根据模拟计算结果设计了探测芯片的结构参数,完成了探测芯片的加工和探测器的制作.最后,利用该探测器对0.14THz相对论表面波振荡器的辐射场进行了验证性测量,并与二极管检波器的测量结果进行了对比分析.结果表明,过模探测器的响应时间在ps量级,相对灵敏度约为0.12kW-1,最大承受功率至少为数十瓦,可用于0.14THz高功率脉冲的直接探测.

简介：由于纳秒级的脉冲信号在平板结构传输中，辐射损较大，因此对于瞬态脉冲信号的传输一般采用同轴结构。超宽带脉冲信号的辐射较常采用TEM喇叭天线，由两片三角形的平面极板构成。对于应用TEM喇叭（或将其作为抛物面天线馈源）辐射高功率超宽带脉冲信号，一个重要的问题是如何将高功率脉冲信号由同轴传输线过渡到平板结构天线。

简介：介绍了一种新型总β测量闪烁探测器的原理与结构,对闪烁探测器输出回路脉冲计算公式及其极值进行了推导,利用MATLAB强大的数值计算功能讨论了闪烁探测器输出回路脉冲形状与回路RC时间常数的关系。并初步提出信号甄别的方法。

简介：脉冲电晕等离子体处理烟道废气（PPCP法）属于干法脱硫；流程简单；能同时脱硫脱硝；产物是肥料，可实现资源的循环利用；无二次污染；工程造价和运行成本低等优点。但由于脉冲电晕等离子体反应器在短脉冲电压的作用下阻抗变化的复杂性，使得脉冲能量难以有效注入反应器，导致能量注入效率低和脉冲电源关键器件的寿命缩短，因此，研究能量注入效率非常重要。

简介：随着ICF激光驱动器技术的发展，要求激光输出的能量和功率越来越高，激光片状放大器提供了装置总输出99％以上的能量，其典型的通光口径为Ф300mm×300mm（中国TIL装置）和Ф400mm×400mm（美国NIF装置）。为了提高储能效率，放大器多设计为多段式组合系统。相应地就需要大尺寸的脉冲氙灯，如弧长超过1500mm，达到Ф37mm。将预电离作为提高氙灯光效的有效途径已广泛应用于大型激光装置，文中研究了氙灯预电离参数对大尺寸脉冲氙灯光效的影响，包括预电离点灯以及泵浦脉宽的实验工作。

简介：为研究结构在动态脉冲载荷下的响应,基于碰撞-液压原理,利用加压气体驱动弹丸撞击液压装置的活塞,活塞压缩液压介质产生单个半正弦波压力脉冲,研制了一套正弦波脉冲载荷发生装置,并对装置进行了加载实验和数值模拟。实验结果表明:该装置可产生压力载荷峰值超过50MPa、脉宽低于100μs的半正弦波脉冲,可用于实验室内进行冲击动力学加载实验。

简介：为使大口径天线能够正常辐射几十纳秒甚至几纳秒的微波脉冲,通过数值计算,获得了大口径天线主轴方向不同距离及偏离主轴不同角度处,辐射场波形脉冲宽度及电场强度幅值随微波激励脉冲宽度的变化关系;同时,还获得了不同口径尺寸天线辐射场波形脉冲宽度及电场强度幅值随偏离主轴不同角度的变化关系。结果表明：在口径天线远场条件下,天线主轴方向的辐射场波形无畸变;偏离主轴,辐射场波形会出现不同程度的脉冲展宽及幅值减小等波形畸变现象,偏离主轴角度越大,激励脉冲宽度越小,畸变越严重;在10dB波束宽度范围内,不同尺寸口径天线的辐射场波形不变。

简介：分析了衰减透射法测量脉冲γ射线能谱的原理，理论模拟了衰减透射法能谱探测过程，使用期望最大法对模拟结果进行了能谱重建，分析了重建初始谱及测量噪声对解谱结果的影响。结果表明，期望最大法能较好地解出基于衰减透射数据的脉冲γ能谱；测量噪声水平在1％以内，算法具有较强的鲁棒性。

简介：提出了一种可用于微秒脉冲电压下的2MV电容耦合自触发开关模式，该开关具有结构简单、高可靠性等特点。通过电场分布计算及电路计算得到开关关键绝缘参数和电路参数。计算结果表明，设计触发间隙电压为主间隙电压的1.21%，该开关主间隙场不均匀系数为1.64,开关在0.7MPa的SF,;气体中工作电压为2.27MV。