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6 个结果
  • 简介:采用自洽场离散变分Xa(SCC-DV-Xa)方法对纯V2O5及夹层V2O5的能带结构、态密度、键强度、电子集居数等进行了研究.结果表明,Li+引入V2O2层间的最佳位置是在双键氧之下(或之上),且靠近层的中心位置,此时它与周围原子间的作用力非常微弱,并且材料的导电性增强,使夹层复合材料Li+注入/脱出具有很好的可逆性和较好的光学性质.

  • 标签: PEO 夹层复合材料 掺杂位置 电子结构 五氧化二钒 锂离子
  • 简介:ThecomplexK3H4GeW9V3O40·8H2OcrystallizedinamonocliiniesystemwithspacegroupP2,Mr=2784.67,a=11.099(3),b=16.452(4),c=13.534(4),β=108.14°,Z=2,V=2348.493,F(000):2456,μ=239.7cm-1,De=3.932g/cm3.ThefinalR=0.083for4528non-zeroreflexions.ThestructureofanionsGeW9V3O40andGeW9O34belongstoA--type.

  • 标签: belongs crystallized STIRRING tetra slightly SUBSTITUTION
  • 简介:采用电感耦合等离子体原子发射光谱法测定钛合金TC4中Fe、Al、V含量。使用硝酸与氢氟酸溶解试样,大幅缩短了溶样时间;确定了Fe、Al、V分析线分别为238.204、309.271、292.402nm。精密度实验表明,待测组分的相对标准偏差(RSD,n=10)均低于1.3%,能满足钛合金TC4中Fe、Al、V含量的检测要求。

  • 标签: 电感耦合等离子体原子发射光谱法 钛合金 硝酸 氢氟酸
  • 简介:建立了电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法快速测定TB6钛合金中Al、V的方法。对试样溶解酸浓度、元素分析谱线的选择、样品基体与待测元素间的干扰等因素进行了研究。结果表明,Al、V元素的加标回收率分别为97.5%-100%、98.4%-102%,相对标准偏差(RSD)分别为1.2%、0.45%,可用于TB6钛合金中Al、V含量的实际测定。

  • 标签: ICP-AES TB6合金 AL V
  • 简介:Anewcompoundbasedonpolyoxovanadate[{Ni(en)2}2Sb8V14O42]·5.5H2O(en=ethylenediamine)(1)wassynthesisedhydrothermallyasblackrhombuscrystals.Compound1crystallizedinthemonoclinicsystemwithspacegroupP21/n,Z=4,a=1.46953(9)nm,b=1.28623(8)nm,c=1.76008(11)nm,β=105.7230(10)°.Intheasymmetricunit,cluster{Sb8V14O42}canbeconsideredasanSbderivativeofthe{V18O42}unit.Each{Sb8V14O42}clusterasabuildingblockinterconnectedtofourotherneighboringunitsby{Ni(en)2}bridginggroupswhicharelinkedthroughtheterminaloxygenatomsofthepolyoxoanions,formingatwodimensionalnetwork.

  • 标签: 中文 水热合成 复合物 二维 晶体