简介：采用第一性原理计算揭示了Co掺杂对Ni-Mn-Sn形状记忆合金磁性质的影响。结果表明，掺杂Co使Ni-Mn-Sn合金中两相饱和磁化强度差增大的原因在于其奥氏体的Mn-Mn磁交换作用由反铁磁性转变为铁磁性。奥氏体的顺磁态与铁磁态的能量差对Ni-Co-Mn-Sn的磁转变有重要影响。此外，Co掺杂对磁性的影响与Mn3d态的改变有关。

简介：用溶胶凝胶法制备了ZnO—SnO2交替薄膜，具有工艺设备简单、后处理温度低、对衬底要求比较宽、易于定量掺杂等特点，通过X光电子能谱、紫外-可见吸收光谱和扫描电子显微镜对样品的组成及形貌等进行了分析与表征，测量发现，随着温度的升高薄膜的电阻变小，导电性变好？

简介：采用溶胶-凝胶法制备了Mn离子摩尔掺杂比．32分别为0，2％，4％，6％，8％的Ba（Ti1-xMnx）O3铁电薄膜。研究发现：当x为6％时，漏电流和矫顽场均达到最小，与未掺杂时相比，漏电流降低了约3个量级，矫顽场电场强度降低了约60％，P—E回线的矩形度增加。实验结果表明：通过适量掺杂Mn离子，可以改善BaTiO3铁电薄膜电学性能，提高铁电薄膜的极化，降低薄膜的漏电流。

简介：采用脉冲激光沉积技术（PLD）在氧气气氛中以高纯Zn为（99．999％）靶材，在单晶硅和石英衬底表面成功生长了ZnO薄膜。通过X射线衍射仪、表明轮廓仪、荧光光谱仪、紫外可见分光光度计对合成薄膜材料的晶体结构、厚度、光学性质等进行了研究，分析了ZnO薄膜的沉积时间对其性能的影响。结果表明，采用PLD法在室温下可以制备出（002）结晶取向和透过率高于75％的ZnO薄膜，但室温下沉积的ZnO薄膜的发射性能较差，沉积时间的延长不能改善薄膜的发光性能。

简介：摘要：使用替代人类的常规化石燃料，世界各地的二氧化碳排放量增加，导致全球冰川融化，海平面上升，威胁着人类的生存。人们越来越需要绿色和清洁的能源系统。利用太阳能作为减少能源消耗、促进绿色发展和实现环境理念的主要手段之一，是世界能源和能源工业日益重要的一个方面。2015年，中国光伏电池在全球磷化氢工业的光波增长中获得了全球磷化氢力量。但不容忽视的是，2014年中国仍存在3 GW以上的注册差距。因此，重要的是分析我国能源产业的影响，以理顺阳光照射，减少要插入的晶体数量，提高硅酮产量。

简介：摘要：为有效改善无机氧化物类高阻隔包装材料柔韧性较差问题，确保材料在使用过程中不会出现脆裂状况，技术人员加大了对柔性ZnO/PI/PET复合薄膜生产工艺以及阻隔性能强化方式的研究力度，期望通过对制备工艺进行不断完善的方式，确保所生产复合薄膜能够更加符合使用需要，进而更好的完成包装任务。文章将通过对柔性ZnO/PI/PET复合薄膜基本情况的介绍，以实验研究方式对制备工艺和阻隔性能进行深度解析，期望能够为复合薄膜生产与改进提供相应支持。

简介：采用密度泛函理论（DFT）的B3PW91方法,在混合基组水平上对Al掺杂Sn12-团簇几何结构和电子结构进行了计算分析.结果表明,Al内掺杂Sn12-团簇能量更低更稳定,但LU-MO-HOMO能隙较小.外掺杂多面体簇中,电荷从Al原子移向Sn12-笼,趋向形成[Al＋Sn122-]结构;内掺杂多面体簇中,电荷从Sn12-笼移向Al原子,趋向形成[Al-@Sn12]结构.

简介：目的利用等离子体增强化学气相沉积（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD）技术,在钛合金表面制备含氮类金刚石薄膜（DLC∶N）,并对其生物相容性进行研究。方法采用扫描电子显微镜、X-射线光电子能谱仪、接触角测量仪、拉曼光谱仪对样品的表面形貌特征、组成元素和表面润湿性进行表征;利用MTT比色法、荧光染色法进行生物学行为的评价。结果成骨细胞在掺氮类金刚石薄膜（DLC∶N）表面不论是增殖黏附状态还是细胞数量都优于其他实验组（P〈0.05）。结论在DLC中加入氮元素,能够提升其生物相容性,促进成骨细胞黏附和增殖。

简介：

简介：文章主要是研究采用磁控溅射和电子束热蒸发两种制备方法来制备ZnO—TFT器件，并通过XRD和透射光谱来对样品的性质进行分析比较，得出采用溅射法制备的ZnO-TFT器件有源层的ZnO薄膜从结晶化程度、表面粗糙度及透过率都较采用电子束蒸发制得的ZnO薄膜优异，其有较好的c-axis（002）方向择优取向，器件的平均透过率在85％以上。并研究了退后处理对器件性能的影响，并发现快速热退火有利于薄膜的晶化，降低缺陷态密度。

简介：通过直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了一系列铝掺杂氧化锌透明导电薄膜,研究了氧气分压和衬底温度对铝掺杂氧化锌透明导电薄膜的结构和光电性能的影响。X-射线衍射研究表明铝掺杂氧化锌薄膜是沿c-轴方向堆积的具有六方结构的多晶薄膜,实验获得的最佳沉积衬底温度和氧分压分别为400℃和5∶100(O2/Ar),在该条件下制备的铝掺杂氧化锌薄膜具有较低的表面电阻(<80Ω/sq)和较高的平均透过率(>80%)。

简介：高考数列试题的一类典型问题是求数列的通项或前n项和，解决此类问题的关键是根据已知条件和所求目标，利用数列的前行项和Sn与通项an的重要关系an=Sn-Sn-1（n≥2）求解．梳理近几年的高考题，发现可以利用重要关系an=Sn-Sn-1（n≥2）解答的高考数列试题主要分为以下三种类型．

简介：采用溶胶-凝胶法在纯钛基体上制备Zn掺杂纳米TiO2薄膜（Zn-TiO2）,研究不同热处理温度下Zn掺杂对纳米TiO2薄膜的物理性能、光阴极保护效果和光电化学性能的影响。研究表明,与未掺杂TiO2薄膜相比,Zn的加入提高了Zn-TiO2薄膜的光电化学响应,在300°C热处理后的薄膜使金属基体的电极电位下降最大,降低了897mV。SEM-EDS分析表明,Zn在掺杂薄膜中的分布不均匀,XRD结果显示Zn掺杂的薄膜比未掺杂的薄膜晶粒更细小。红外光谱结果表明,TiO2晶粒表面有Zn—O键生成。紫外光谱表明,Zn掺杂使Zn-TiO2吸收带边红移,扩大了TiO2的光响应范围。根据Mott-Shottky曲线可知,Zn-TiO2薄膜比纯TiO2薄膜的平带电位更负,载流子量更大。这说明在平带电位、载流子量和空间电荷层宽度的协同作用下,300°C热处理后的Zn-TiO2薄膜表现了最佳的光电化学响应。

简介：用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿型氧化物La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地，我们采用角分辨X－射线光电子谱技术（ARXPS），研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明，La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上，我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

简介：N-ZnO/p-Si异质接面被内在的ZnO电影的劈啪作响的免职在希腊语的第二十三个字母底层上准备。ZnO电影的厚度被从1h改变免职时间到3h改变。这些结构的电的性质从电容电压(C-V)被分析并且当前电压(I-V)特征表现在一个黑暗房间里。结果证明所有样品显示出强壮的修正行为。为有ZnO电影的不同厚度的样品的光电的性质被测量开的电路电压和短路电流调查。相片电压被坚守，这被发现当光电流变化时，与厚度一起的320mV几乎不变很多。ZnO电影的厚度的功能被调查的光电的效果的变化机制。

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简介：国风塑业股份有限公司公司地址：合肥国家高新技术产业开发区天智路36号邮政编码：230088公司电话：0551—5329009

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简介：在缺点上的ZnO电影的掺杂物的影响被慢正电子歼灭技术调查。参数遇见的结果表演SS艾尔>Sun>S为做Al的ZnO电影，undoped和做Ag的ZnO的Ag拍摄。锌空缺与不同掺杂物在所有ZnO电影被发现。根据S参数和一样的缺点类型，锌空缺集中在做Al的ZnO电影是最高的，这能被导致，并且它是在做Ag的ZnO电影的最少。当艾尔原子在在硅底层上种的ZnO电影被做时，Zn空缺作为与undoped和做Ag的ZnO电影相比增加。当锌空缺的缺点形成精力强烈取决于费密水平的位置时，掺杂物集中能在材料决定费密水平的位置，因此它的集中与掺杂物元素和掺杂物集中变化。

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