简介:近日,在国家02专项和中国封装测试联盟的支持下,由中国科学院微电子研究所发起的国内首个硅通孔(TSV)技术攻关联合体在北京宣告成立并启动了第1期攻关项目。科技部02专项责任专家于燮康,02专项专家组组长、中科院微电子所所长叶甜春以及近30家企业和科研单位代表参加了启动会。
简介:添加剂在电镀过程中发挥着不可替代的作用。文章介绍了一种可以减薄板面铜厚及改善通/盲孔的均镀能力的新型添加剂。通过对添加剂浓度、电流密度、气流量等施镀条件进行单因素实验研究其电镀效果。在最佳条件下,该添加剂对通孔的均镀能力可以提升12%,对盲孔的面铜可以减薄30%且不影响填孔品质。为了观察铜层表面的形貌.使用测试电子扫描显微镜(SEM)对镀铜表面进行检测。并通过浮锡检测铜镀层的延展性。未发现断裂问题。满足印制电路板品质要求。
简介:专精于建立增值连接性方案生态系统的领先半导体厂商SMSC公司最近宣布,NVIDIA(NASDAQ:NVDA)已获得SMSC的专利芯片间连接(Inter—ChipConnectivity,ICC)技术授权。
简介:为了提高刚挠结合板的挠曲次数,往往把挠性区做成两层或两层以上的分层结构。这种结构就要使用到单面软板。两个单面挠板的粘合一般都使用丙烯酸胶膜。和刚板不同的是,挠板中的PI(聚酰亚胺)和丙烯酸都有很大的塑性。钻完刚性区通孔后,孔内的挠板区由于材料还有一定的弹性恢复就会有几微米到几十微米的尺寸突出。在该区域,它与孔金属化铜层之间结合力会非常低。为此,本文将通过优化试验参数,获得最佳的试验参数,并通过机理的研究,指导制作出平整,优良的孔壁,获得优良的金属化孔。
简介:随着高频通信技术的不断发展和进步,陶瓷填充类高频印制板的需求越来越多,它们提供了出色的电气和机械稳定性,被广泛应用于商业微波和射频应用。此类陶瓷填充板虽然具有极低及稳定的介电常数和介质损耗因数,但因其材料结合力不到普通材料的一半且很脆,使其在设计连接位较小又有半孔设计时,比FR-4材料在机械加工时更易断板和产生毛刺。从工艺流程上进行优化设计及控制,对此类板件制作的关键点控制进行了研究。通过改进和优化,找出了有效解决此类半孔设计板的断板和半金属化孔毛刺问题的方法。
简介:概述了利用激光辅助植晶(LAS)机理形成PCB的高厚径比盲微导通孔的质量和可靠性,可以比得上传统的化学镀技术。LAS是一种有前途的替代技术。
我国首个硅通孔(TSV)技术攻关联合体在京成立
新型添加剂对通/盲孔电镀均匀性的提升研究
SMSC的芯片间连接(ICC)技术已授权给NVIDIA公司
含丙烯酸胶膜刚挠结合板钻通孔试验及其机理研究
一种陶瓷填充板断板和半金属化孔毛刺控制方法研究
利用激光辅助植晶机理形成PCB的高厚径比盲微导通孔的质量和可靠性