简介:直径2英寸A/N衬底研制成功和LED技术的发展(可在同质衬底上生长掺杂外延层)将使Ⅲ族氮化物工艺进入一个新时代。2006年5月18日出版的著名科学杂志《自然》报道:日本NTT制出了迄今波长最短的LED,该公司用Si和Mg分别作n型和P型掺杂剂,制出了AINPIN型LED(在此以前,研究人员还未能“精确地”研制出满足LED器件要求的P型和n型A1N),该器件发射波长为210nm(但其发光效率还很低且工作电压很高(25V))。这为开发极短波长器件迈出了关键一步,可制出光谱的深紫外波段的发光和探测器件。