简介：<正>Burster推出的DigistantModel4462是一种精确的校验源,其电流范围是±52mA、电压范围是±30V、基本准确度是0.005%。用户可用外部参考结模拟所有的传统热电偶。产品可作为一个单独的设备工作,或者用

简介：本文给出了高压IGBT电压源逆变器的不同短路类型。综述了当前已知的几种短路类型（类型1，类型2，零电流类型2和类型3），并研究了IGBT在断开状态时的一种新的短路类型3情况。这种类型的短路发生在逆变器的空白时间内。通过对4．5千伏的IGBT实验，给出了所有的短路电流类型，其中也包括门极的di／dt反馈影响。

简介：给出了使用TL494芯片产生的PWM信号来控制开关管的通断，并采用单片机AT89S52来控制D／A转换输出信号，再经运放放大后给TL494提供基准电压来控制输出电压的数控开关电源的设计方法。该电源和输出电压可调范围为5～30V．并使用12864液晶显示输入电压和实际的电压值，最大输出功率为75W。适用于对输出电流和输出功率要求较大的电子设备。

简介：长期以来,降低二氧化碳排放量、遏制气候变化的行动,被认为与经济增长根本对立。事实上,全球经济复苏的脆弱性,常被用作推迟上述行动的理由。但全球经济和气候委员会的最新报告《新气候经济：更好的增长,更好的气候》驳斥了这一说法。该报告指出,对抗气候变化的努力,不但不会阻挠经济增长,反而可以极大地促进增长。只要你研究过2008年金融危机爆发以来的经济表现,就会明白资产负债表受损可能导致增长放缓、突然停止,甚至逆转。

简介：上海慕尼黑电子展于3月14日一16日在上海新国际展览中心举行，作为一家集研发、生产和销售为一体的世界著名电源模块制造商，广州金升阳科技有限公司参加了此次盛会。在展会上，金升阳以“为智慧城市注入‘源’动力”为主题，结合新能源发电、环保用电等智慧城市焦点，

简介：在模拟和混合集成电路中，CMOS带隙基准源是应用广泛的重要单元，针对温度补偿对基准源性能的影响，本文从介~CMOS带隙基准源的基本原理出发，分析了一阶补偿、二阶补偿以及更高阶补偿的CMOS带隙基准电路结构。

简介：20世纪90年代初，出现新一代高密度互连（HighDensityInterconnection，简称为HDI）印制电路板。HDI多层板的出现，是对传统的PCB技术及其基板材料技术的一个严峻挑战，同时也改变着覆铜板（CcL）产品研发的思路。它引领着当今CCL技术发展的方向，作为当今CCL技术创新的主要“源动力”，推动着CCL技术的快速发展。

简介：核磁共振成像系统中的梯度电源需要向梯度线圈提供响应快、精度高的脉冲电流。针对这一要求，提出了一种数字前馈控制算法。该算法采用基于负载模型的前馈公式，同时结合了传统的PI校正及参数辨识方法。文中对算法的推导过程及稳定性作了详细分析，并进行了计算机仿真。结果表明，该算法具有良好的效果。

简介：在现代电子产品中，无源器件数量超过有源器件数量十倍的现象非常普遍。在空间为主要因素的众多无线通讯产品如手机中，特别需要集成无源器件。这种器件的芯片级封装通过把所有电路无件紧密结合在芯片本身的焊盘位置内来优化印制电路板的空间利用。本文提供了模拟的器件和实际达到的器件性能，也讨论了芯片级封装的优势和可靠性因素。

简介：为了将Z源逆变器的单级变流特性应用于高压大功率场合，克服双Z网络二极管箝位五电平Z源逆变器所需储能元件多、硬件成本高及调制复杂的缺点，提出一种单Z网络结构的二极管箝位五电平拓扑，该拓扑只需一个Z网络，但通过合适的脉宽调制可以达到与双Z网络相同的升压效果。给出Z源逆变器直流链全直通及部分直通原理，分析适用于五电平Z源逆变器的直通控制方法，设计了直通状态插入的同向载波层叠（D）及交替反向载波层叠（APOD）两种脉宽调制策略。最后仿真验证系统直通控制方法及调制策略的正确性。

简介：介绍了在嵌入式系统中利用CH375对U盘进行读写的实现方法；同时介绍了USB总线接口芯片CH375的主要特点及FAT文件系统的组成。给出了USB的接口电路和软件流程。

简介：信产部统计：电子百强利润创5年半来最低文章来源：最新采集发布时间：2006-8-308：11：13信产部公布了电子信息百强企业今年前6个月的经营情况统计，其中指出，电子信息百强虽然销售额增长，但利润率平均利润率为1．6％，同比去年又下降。而结合5年半来的情况，电子信息百强已经创下了利润率最低记录。

简介：电气失效的后果可能是很严峻的:不仅涉及设备,而且在最坏的情况下还直接涉及到人,特别是如果安全原则没有被遵守的话。每年基于直流环节电压源变换器的新应用都在增加,有关大功率IGBT模块采用电力电子技术来保护的需求亦与日俱增。鉴于功率水平日益增大的事实,更多的能量被储存在直流环节中,即使采用了有源保护,一旦电路失效条件发生之时,大功率的IGBT还是存在着被损坏(炸裂)的风险。一种可能的解决方案就是采用标准的快速熔断器或快速IGBT熔断器来对变换器实行保护。讨论了采取在直流环节放置IGBT熔断器来实施这种保护的方法。实验表明,采用特殊的快速熔断器保护,这样的炸裂是能够避免的。这里研究了在直流环节中标准的快速熔断器和IGBT熔断器的附加电感。还讨论了在负载电流中引入高频分量时熔断器中的电流分布问题。进一步又讨论了IGBT熔断器的超额成本是如何可能通过易于维修和减少生产设备的停机时间而获得平衡的。

简介：本文回顾了近年来在电压源逆变器供电的感应电机系统中采用的直接转矩控制（DTC）技术。阐述了以下几种控制方案，基于开关矢量的DTC（ST-DTC），转矩直接自控制（DSC），恒开关频率空间矢量调制DTC（DTC-SVM）。同时，本文也介绍了基于神经模糊逻辑控制器的这种最新技术的DTC-SVM。文中给出了一些波形图来说胆这些控制特性。

简介：近年来，采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS（on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。

简介：日前，北京落水源公司推出了一款工作频率可达200kHz的IGBT驱动器——KB102。该器件具备变压器信号耦合，延迟小；可接收单片机信号幅值范围为4．57V。对于IGBT或MOSFET短路时的集射极电压闽他的设定，KB102可用电阻精州调节，不必用传统的稳压管。

简介：目前，市场上IGBT驱动器整体工作温度范围相差无几，普遍集中在-40-85度之间。随着电力电子技术的发展，对于能够在更低或者更高温度下稳定工作的电子产品需求越来越明显。