简介：利用4.5MeV的氪离子（Kr^17＋）辐照（100）晶向本征未掺杂和高掺锌（P型）、（100）和（110）混合晶向的高掺硅（N型）砷化镓（GaAs）半导体材料,辐照注量为1×10^12～3×10^14cm^-2,测试辐照后材料的拉曼光谱。随着辐照注量增大,材料的纵向光学（longitudinaloptical,LO）声子峰向低频方向移动,出现了明显的非对称展宽,并且N型样品辐照后,晶体结构损伤要大于P型与本征未掺杂样品。3种类型样品的LO峰频移随辐照损伤的变化趋势一致,研究表明,掺杂元素不影响材料本身的晶体结构,可能是因为混合晶向的生长方式导致辐照后N型GaAs结构稳定性变差。

简介：建立了单粒子多位翻转的测试方法和数据处理方法,在此基础上开展了体硅90nmSRAM重离子单粒子多位翻转的实验研究。通过分析单粒子多位翻转百分比、均值、尺寸等参数随线性能量转移（linearenergytransfer,LET）的变化关系,表明了纳米尺度下器件单粒子多位翻转的严重性,指出了单粒子多位翻转对现有重离子单粒子效应实验方法和预估方法带来的影响。构建了包含多个存储单元的全三维器件模型,数值模拟研究了不同阱接触布放位置对单粒子多位翻转电荷收集的影响机制,表明阱电势扰动触发多单元双极放大机制是导致单粒子多位翻转的主要因素,减小阱接触与存储单元之间的距离是降低单粒子多位翻转的有效方法。

简介：为研究热场致电子发射过程中复杂的非线性空间电荷限制效应和阴极表面电场的瞬态物理过程及特性,基于通用积分形式的热场致电子发射电流密度理论,建立了平板二极管的静电粒子模拟物理模型,以热场致电子发射阴极为边界,模拟获得了热场致发射阴极表面电场的瞬态时间响应曲线。研究结果表明,热场致电子发射过程中,阴极表面电场在皮秒量级时间尺度上呈现为振荡过程,振荡波形特征受二极管间隙距离、阴极材料、逸出功等几何参数和外加电场、温度等运行参数影响;振荡后,二极管阴极表面电场将达到稳定状态,模拟得到的稳态电场与理论分析结果相符;二极管热场致电子发射的外加电场和温度一定时,逸出功越大,阴极表面稳态电场强度越大;二极管阴极材料和外加电场一定时,阴极表面稳态电场强度取决于阴极表面的温度,随温度的升高稳态电场强度呈非线性下降。

简介：针对红外探测器在空间应用中受高能粒子辐照后性能衰退的问题,利用电子束辐照实验,开展了位移损伤对HgCdTe材料红外透射光谱影响的研究.通过对比辐照前后材料的性能变化,结合光在材料中的传播过程及半导体辐射效应理论,分析了位移损伤对HgCdTe材料红外透射光谱的影响机制.结果表明：HgCdTe材料经电子辐照后,红外透射光谱发生衰退,衰退的幅度随辐照注量的增大而增大,且短波方向上的衰退幅度大于长波方向上的衰退幅度.该工作可为深入开展HgCdTe红外探测器辐射损伤效应及损伤机理的研究提供参考.

简介：为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能衰退情况,对InGaAsP/InGaAs双结电池开展了1MeV电子辐照试验,测试了辐照前后的电学参数和量子效率,分析讨论了参数退化情况.结果表明：随着电子注量和位移损伤剂量的增加,电池性能参数退化程度逐渐加大;由位移损伤缺陷导致的载流子寿命减小,是导致电池短路电流和开路电压下降的主要原因;InGaAsP/InGaAs双结电池基区损伤比发射区损伤更加严重,因此,提高其抗辐射能力的关键在于优化基区结构.

简介：为了满足我国正在建设的白光中子源（whiteneutronsource,WNS）需求,设计了具有共性化架构的C6D6谱仪读出电子学系统。该系统基于波形数字化技术和PXIe平台,实现对γ能谱和中子飞行时间的测量。介绍了系统设计方案,详细阐述了信号调理模块、时间测量、PXIe平台及相关软件的设计与实现,并开展了系统性能测试和联调实验。测量结果表明：该系统能够正确获得测量数据,满足了白光中子源的首批实验需求。

简介：随着经济的发展和职业教育改革的不断深入,对中职专业课提出了更高的要求。根据中职学生的实际以及中职生的特点,为了激发中职校电子专业学生的学习兴趣,提高中职校电子专业学生的综合职业素质和能力,在《电子产品工艺与装配》课程教学中采用了行动导向教学法。本文以音乐门铃装配制作为例,介绍了行动导向教学法在音乐门铃装配制作教学过程中的实践,以及实践行动导向教学的效果和学生过程性学习的评价。