简介：栅电荷提供关于功率MOSFET的电容、驱动需求和开关功耗等信息，是衡量MOSFET性能的主要指标。基于Won-SoSon等人提出的SOI基绝缘槽结构LDMOS（TR-LDMOS）的RESURF条件，建立器件的栅电荷分析模型，发现TR-LDMOS所需Qgd比普通RESURFLDMOS（LR-LDMOS）少13．85％，所需Qg比LR-LDMOS少17．65％；完成对密勒电容充电的时间TR-LDMOS要比LR-LDMOS少用50ns。在TR-LDMOS模型基础上，结合仿真对沟道区不同时刻栽流子分布的描述，更细致地阐述了功率器件在开启过程中的状态变化；并且应用比较分析的方法，解释无源器件对TR-LDMOS开启的时间和功耗所产生的影响。在降低功率器件开启功耗的原则下，得到有助于器件设计的应用性结论。
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