简介：据报道，近日，由湖南有色金属研究院等单位共同完成的《复杂铜铅锌高效选矿分离技术及工业应用》项目通过部级鉴定。该项目研究所取得的重大突破解决了多年困扰选矿界的复杂铜铅锌多金属硫化矿选矿技术难题。专家表示，该项目整体技术处于国际先进水平，其中铜铅分离技术和铜铅选矿指标国际领先。

简介：据报道，近日，新加坡南洋理工大学熊启华教授领导的科研小组首次证明：利用激光可使半导体的温度从室温冷却到-20℃。这一突破性的科研成果有望在电子和光电子器件上直接实现集成全固态、紧凑、无振动、无冷却剂的光学制冷器，相关元件可应用于航天器高灵敏探测器、红外夜视仪和电脑芯片等。

简介：中科院上海硅酸盐研究所黄富强研究团队与中科院上海微系统所、北京大学等合作，通过化学剥离成单层二硫化钽纳米片并将纳米片抽滤自组装而重新堆叠成二硫化钽薄膜。重新组装的二硫化钽薄膜打破了原母体的晶体结构，形成了丰富的均质界面，并获得了比母体材料更高的超导转变温度和更大的上临界场。相关研究成果日前发表于《美国化学学会杂志》。

简介：通过自由基共聚的方法制备了聚偏氟乙烯-g-聚（N-异丙基丙烯酰胺）（PVDF—g-PNIPAAm）共聚物，进而采用浸没沉淀相转化法制备了PVDF—g—PNIPAAm共聚膜。采用超声时域反射法研究了不同凝固浴温度下PVDF—g-PNIPAAm的成膜动力学。结合PVDF—g—PNIPAAm的成膜动力学，研究了凝固浴温度对膜结构与性能的影响。结果表明，在不同凝固浴温度下，PVDF—g—PNIPAAm的成膜过程均由液液分相来控制，凝固浴温度为30℃时成膜时间最长，40℃时成膜时间最短；不同凝固浴温度下制备的PVDF—g—PNIPAAm共聚膜保持了PVDF的结晶特性，随着凝固浴温度的升高，结晶度降低。同PVDF—g—PNIPAAm共聚物相比，PNIPAAm在PVDF—g—PNIPAAm膜表面的含量更高，其中，30℃时所成膜表面的PNIPAAm含量最高。不同凝固浴温度下所成的膜均呈指状孔结构，其中，30℃下所成的膜指状孔最大，孔隙率最高。25℃下制备的PVDF—g—PNIPAAm膜具有明显的温度响应性能，其水通量在30℃附近有显著增加。

简介：

简介：在室温200℃的范围内，对磁控溅射制备NZnO薄膜性能进行了研究。实验中，以ZnO为阴极靶材，通过温度调节器对基片溅射温度进行控制，以实现对ZnO溅射薄膜特性的控制。系统真空度为3×10^4Pa，溅射气压为5．5Pa，溅射时N90min，通过XRD进行表征，用Jade5．0软件分析，结果表明，制备出ZnO薄膜表面平整、结构致密，具有高度c轴择优取向；在室温200℃的范围内，随着温度的升高，（002）衍射峰的位置趋向34．4°。

简介：实现锡铁矿的资源化利用，采用高硫煤硫化磁化复合焙烧法对其进行处理。以最大限度脱除锡铁矿中锡为目标，对锡铁矿硫化磁化复合焙烧脱锡的热力学条件进行了系统研究。结果表明，SnS的挥发性能最好，且SnO的硫化趋势相对较大。同步实现锡的挥发脱除和铁的磁化富集，应控制焙烧条件为CO浓度介于0．014％～8．06％、焙烧温度高于793K。高硫煤中含硫物相硫铁矿硫、有机硫等的高温加氢裂解产物为S2、H2S、S02和FeS，其均可将SnO硫化成SnS实现锡的挥发脱除，且以硫铁矿硫分解产物S2的硫化作用居主要地位。该工艺为高硫煤的短流程清洁利用提供了一个新的方向。

简介：美国休斯敦大学科学家们的研究发现了一种在非超导材料上诱发超导特性的方法，同时还可以增加已知超导材料的效率，对于提高超导体应用可行性是一个突破。

简介：以三辛基膦为配位溶剂,采用一锅煮的方法制备出分散性较好的硫化镉和碲化镉纳米晶,通过改变反应温度和硫前驱体可制备出不同形貌和结构的硫化镉纳米晶。用此方法也可制备出碲化镉网状纳米晶。测试结果表明,这两种纳米晶都具有较好的晶型。

简介：

简介：日本北陆先端科学技术大学院大学开发出了耐热温度超过300℃的植物性树脂。植物性树脂目前正逐渐应用于手机、个人电脑外壳，但存在耐热性能低的课题。以聚乳酸为主要成分的一般植物性树脂的耐热温度为60℃左右。因此，在实际应用时大多会通过混合石油系树脂和矿物提高耐热性。

简介：分析了复合导电材料的导电机理,阐述了关于复合型导电高分子材料电阻-温度效应产生机理的研究进展.指出了导电填料的种类、含量以及高分子基体的结构等因素对电阻-温度效应的影响程度.通过对填料和基体进行改性和表面处理能有效提高温度效应的强度、稳定性和重复性.还概述了相关电阻温度效应的计算模型.

简介：采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si（硅）薄膜，研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出，随着沉积腔内沉积温度的不断升高，微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高，当沉积温度超过500℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下，沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。

简介：用化学腐蚀方法织构多晶硅片表面,通过调整制程参数获得腐蚀温度分别为12℃、17℃、22℃、29℃的4组样品,利用扫描电子显微镜（SEM）分析化学腐蚀后多晶硅片表面状态,通过反射谱的测试,分析了多晶硅片表面陷光效果,研究腐蚀温度与后续各制程参数的关系.结果表明：随着腐蚀温度的升高,绒面反射率、镀膜膜厚逐渐升高,开路电压、填充因子逐渐增大,短路电流逐渐减小,最终确定了最佳的腐蚀温度.

简介：以变形条件对圆环链临界损伤因子的影响为主要研究目标，确立物理试验与数值模拟仿真相互佐证寻求临界损伤因子的基本思路，完成不同温度和应变速率条件下多组试样的热物理模拟拉伸试验，利用采集到的参数完成试验的仿真再现，研究温度／机械载荷作用下刨链的强度和寿命特征。结果表明，最大损伤值总是出现在圆环链的肩部，损伤软化现象对应变速率较为敏感，临界损伤因子不是一个常数，而是在0．15～0．54范围内。

简介：福建物质结构研究所中科院光电材料化学与物理重点实验室叶宁研究员领导的课题组在国家自然科学基金和中科院重要方向项目的资助下，以同样是具有平面三角形结构的碳酸盐为研究对象，通过精确控制晶格中碱金属和碱土金属阳离子的相对大小，实现了CO，结构基团共面平行排列，获得了一系列非线性光学效应为3～4倍KDP的系列碳酸盐晶体

简介：研究了渗流温度对Wf／Zr-BMG复合材料的显微组织和力学性能的影响，结果表明，随渗流温度升高，一方面复合材料中钨丝的显微组织发生显著变化．由最初的连续纤维状转变为无序状；另一方面，复合材料中钨丝与基体的界面处产生10μm的扩散反应层。另外，随温度升高，复合材料的压缩强度降低。

简介：报导了CdS／ZnS纳米晶体（NCs）的制备过程和其光学}生质。通过采用连续离子层吸附和反应技术（SILAR），我们用少量的表面活性剂合成了不同壳层的四个样品，包括CdS核纳米晶以及具有1～3层ZnS壳的CdS／ZnS核／壳结构纳米晶体样品。发现具有一层ZnS壳的CdS／ZnS样品的荧光量子产率大约比未包覆壳层的CdS纳米晶体样品的强11倍。另外，随着壳层的增加（增至两到三层），荧光量子产率呈现下降的趋势。对样品进行了温度相关的光谱测量，发现CdS／ZnS和CdS一样具有特殊的光学特性。