简介:O484.599042623用喇曼散射光谱估算纳米Ge晶粒平均尺寸=Estimationofcrystal—sizeofnano—GebyRamanscatteringspectra[刊,中]/王印月,郑树凯,杨映虎,郭永平(兰州大学物理系.甘肃,兰州(730000)),奇莉,甘润今(北京机械工业学院基础部.北京(100085))//光学学报.—1998,18(9).—1265—1268用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入SiO2基底中的纳米Ge复合膜(nc—Ge/SiO2。测量了不同温度退火后该复合膜的喇曼散射光谱,其结果与晶体Ge的喇曼谱相比,纳米Ge的喇曼峰位红移峰形变宽;用喇曼谱的参数计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸。所得
简介:O484.52003053772厚度具有线性变化的吸收平板或膜层的非相干透射率和反射率=Incoherenttransmissivityandreflectivityofanabsorbingplaneplateorlayerwithlinearvariationsinthickness[刊,中]/钟迪生(辽宁大学物理系.辽宁,沈阳(110036))//应用光学.-2002,23(1).-40-43计算了垂直入射下厚度具有线性变化的吸收平板样品的非相干透射率和反射率(正面和反面),给出了直接确定无基底样品以及透明基底上薄膜能量(强度)系数的精确表达式。图3参3(郑锦玉)
简介:随着高频通信技术的不断发展,高频特种印制电路板的需求越来越多。聚四氟乙烯(PTFE)材料以其良好的耐高温耐老化以及低损耗而著称,是目前用量最大的高频特种印制板类型。但由于PTFE材料独特的物理化学性能,导致其机械加工难度大。在钻孔过程中,如果钻孔参数设置不当,极易出现孔壁粗糙、铜瘤等不良问题。本文选用业内常用的PTFE+玻璃布和PTFE+玻璃布+陶瓷填充两种类型的材料,通过正交试验方法,对其钻孔参数进行分别进行分析和研究,从而得出最优的参数组合,有效解决了PTFE材料在钻孔过程中产生的孔壁粗糙、铜瘤等不良问题,为业内同行加工PTFE材料提供参考。