简介:金秋十月,迎来了中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典。这20年,为打破国际巨头的重重垄断,聚集了我们电力电子人的智慧;这20年,为建立自主创新的体系,凝聚了我们电力电子人的血汗;这20年,为铸就大国产业的重要支撑,承载了我们电力电子人的期盼。10月10日,
简介:
简介:为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求,研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施,它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说,它受益于新型集成技术,还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑,并示出效率结果,以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较,以表明STripFET^TM的性能优点。此外,还给出许多特殊功能。
简介:跟踪IGBT芯片能够在高达175℃的温度下工作这一最新发展趁势,已经研制出有相同工作结温的续流二极管和整流二极管。三种类型的芯片全部封装到CIB(整流-逆变-制动斩波)模块(MiniSKiiP的第二代产品)中,导致了较高的电流密度,在过载和动态负载条件下有十分可观的余量,而且也改善了功率循环能力。
精英的聚会 行业的盛典——记中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典和中国电力电子产业发展高峰论坛
经严格考试,由国家信息产业部人事司审核,报劳动和社会保障部批准国家级印制电路考评员
第三代STripFET^TM实现了通态电阻与栅极电荷之间的最佳折衷——电信和计算机用的DC-DC变换器的新效率标准
经严格考试,由国家信息产业部人事司审核,报劳动和社会保障部批准 国家级印制电路考评员
带有工作温度高达175℃的IGBT、续流二极管和整流二极管的一种新型600V整流-逆变-制动斩波模块