简介：为了探索大随机相位误差条件下合成孔径雷达(SAL)成像特点和规律,本文采用波长为1550nm的线性调频激光器建立了能够产生大的共模随机相位误差的条带模式SAL成像实验装置。利用此装置获得了不同目标回波强度下条带模式SAL成像实验数据,结合条带模式相位梯度自聚焦(PGA)多次迭代处理,获得了高分辨率SAL图像。实验发现在[-6.45π,6.45π]范围的大随机相位误差下,通过简单的距离压缩和方位匹配滤波,无法实现SAL图像聚焦,图像信噪比仅为3dB。进一步采用PGA处理,就能很好地校正相位误差,得到聚焦良好的SAL图像,图像信噪比达到43dB。实验还发现,当存在大共模随机相位误差时,PGA处理展现出非常强的鲁棒性,在回波弱到10-15W的情况下依然有效。在大相位误差存在的SAL系统(如机载SAL)中,PGA处理能有效消除相位误差,实现图像聚焦;另外,增大探测激光功率以提高成像数据信噪比,将有助于提升PGA处理效果。

简介：Ｎｉ／Ａｌ２Ｏ３催化剂上甲烷部分氧化制合成气反应是在固定床流动反应装置上进行的。考察了催化剂的床层温度、反应压力、空速和原料气配比对催化剂积炭产生的影响。实验结果表明，积炭速率随催化剂床层温度的升高而降低，当温度低于７０℃时，积炭速率骤增：积炭总是发生在催化剂床层的下段；若空速超过３．０×１０５ｈ－１，积炭速率随空速增加而明显降低。从ＦＴＩＲ实验结果可知，吸附在Ｎｉ／Ａｌ２Ｏ３催化剂表面上的ＣＯ，一部分歧化生成了ＣＯ２和Ｃ。综上所述，催化剂表面积炭主要来源于以下两个反应：２ＣＯ→Ｃ＋ＣＯ２，ＣＯ＋Ｈ２　＝Ｃ＋Ｈ２Ｏ

简介：采用燃烧法合成了La1.6（MoO_4）_3：Eu_0.4^3＋纳米晶末，研究了其声子一掺杂-晶格相互作用和发光性质。x射线粉末衍射（XRD）分析表明，在500～900℃退火后，La1.6（MoO_4）_3：Eu_0.4^3＋样品为单一晶相。对样品进行了光致发光（PL）测量，激发Mo^6＋-O^2-电荷迁移带，观察到Eu^3＋的系列发光，表明Mo^6＋-O^2-带和Eu^3＋间存在能量传递，中心波长分别在λ1=469nm和λ2=426nm处的两个one-phonon边带，相应的声子能量分别为767和1202cm^-1，分别对应于Mo=0和Mo-0-Mo伸缩振动。同时，计算了两个局域模电子一声子耦合强度的黄昆因子分别为S1=0．055和S2=0．037，为揭示其三价离子高传导特性及其负热膨胀物理特性提供了实验基础。

简介：本文首次采用高温高压固相反应法合成类钙钛矿化合物Ba1－xLaxTiO3（x＝0．0，0．1，0．2，0．3，0．4，0．5）。XRD谱的测量结果表明，在压力为2．8GPa，温度为850℃下，稀土La在BaTiO3中的替代导致结构从立方到四方到正交的结构转变，因此，Ba1－xLaxTiO3体系体现结构转变规律和丰富的物相结构。

简介：在相同的反应体系中当ｐｈ值从约９．５调变至１１时分别合成出双中孔ＳｉＯ２和六方中孔ＳｉＯ２材料，并用ＸＲＤ、Ｎ２吸附、ＴＥＭ、ＴＧ／ＤＴＡ和ＦＴＩＲ等测试手段对合成产物进行了表征。实验结果表明，双中孔ＳｉＯ和六方中孔ＳｉＯ２是合成中必然出现的两种不同的中孔物相。与六方中孔ＳｉＯ２相比，双中孔ＳｉＯ２也具有典型中孔材料的特征ＸＲＤ谱图，虽然仅呈现一个易让人产生不完全晶化误解的相对较宽的单ＸＲＤ衍射峰（ｄ＝５．２ｎｍ），但它却给出一种独特的Ｎ２吸附等温线和窄的双峰中孔孔径分布曲线。由于孔壁的无定形及表面活性剂分子与ＳｉＯ２骨架间相似的相互作用，两类材料给出类似的ＦＴＩＲ谱图和ＴＧ／ＤＴＡ曲线。然而，在双中孔ＳｉＯ２的ＦＴＩＲ谱图中９６０ｃｍ处峰强度的微小变化可能意味着在锻烧脱除模板剂后双中孔ＳｉＯ２较六方中孔ＳｉＯ２具有更高的骨架聚合度。更多还原

简介：首次在温和条件下，用在传统微孔沸石合成中常作为导向剂的乙二胺或1，6-己二胺替代NaOH作催化剂合成出SiO2基中孔MCM-41分子筛。合成样品用XRD和N2吸附等温线进行表征。实验结果表明，由于这种替代，使相应合成样品及焙烧样品的中孔骨架结构的有序度明显提高。在XRD图中四个衍射峰清晰可辨，是典型的六方紧密堆积，晶胞参数a0分别为4.11nm和3.75nm，且d100值随所用胺分子中碳链的增长逐渐从3．56nm减少到3．24nm，同时产物孔径由中孔转变为微孔。更多还原