简介:基于第一性原理,计算了MgSiP2的能带结构,结果显示压强减小了能带带隙值,部分电子有效质量随着压强增大而减小。费米能级附近电子态密度计算结果显示:随着压强的增大,价带顶电子态密度的斜率逐渐减小,而导带底电子态密度的斜率逐渐增加。结合半经典玻耳兹曼理论,分别计算了p型和《型MgSiP2的电导率与弛豫时间的比值、赛贝克系数以及功率因子与弛豫时间的比值。结果发现:压强所致部分电子有效质量的减小,提高了p型和.型MgSiP2的电导率,但在一定程度上降低了MgSiP2的赛贝克系数。在压强作用下,相对于n型MgSiP2,,型MgSiP2的电导率增加幅度更大,补偿了压强所致乡型MgSiP2赛贝克系数的降低,提高了型MgSiP2的功率因子,使其大于n型MgSiP2的对应值。计算结果表明,通过增大压强可以提高p型MgSiP2的热电性能,为实验制备具有良好热电性能MgSiP2提供了指导方案。
简介:研究等离子体辐射不透明度和状态方程的核心问题是原子结构计算问题。平均原子一直是主流模型,但有缺陷:电子交换势一直停留在Fermi—Dirac统计基础上;自由电子与束缚电子的划分采用了经典判据;电子间的自作用和自交换作用难以真正抵消;给出的能级、电子占据数、化学势特别是基态能量,很不准确。如果温度持续降低,等离子体应逐渐凝聚成固态物质,平均原子应过渡到真实原子。而绝大多数平均原子模型都无法作到这一点。要精确计算等离子体内的原子结构参数,必须使用具有很高精度的Hartree-Fock自洽场原子结构模式。
简介:等离子体的辐射不透明度和状态方程是工程物理中的重要参数,这些物理参数取决于等离子体内大量离子的统计行为。由于高温稠密等离子体内的离子类型多达百万,一般只能用平均原子模型进行模拟。当计算轻元素稀薄等离子体原子结构时,平均原子结果与实验有一定的偏差,而此时等离子体内离子类型数目有限,正是细致组态模型适用的情况。标准的Saha方程需要孤立离子的能级,计算孤立离子结构的程序很多。当然,这些离子能级还可从实验获得。但是,标准的Saha方程使用的能级不含等离子体背景效应,能级数会发散。为了消除该缺陷,Saha方程中引进了等离子体背景修正。
简介:采用溶胶-凝胶法制备了Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/SrTiO3/Si多层电容即金属-铁电层-绝缘层-半导体结构,并对其电学性能进行了测试与分析。获得的存储窗口电压约为2.5V,漏电流密度低于10-8A·cm-2,保持时间达7.5h以上。制备的SrTiO3薄膜表现出较高的介电性和较好的绝缘性。