简介:对比了ICP刻蚀和湿法腐蚀制备台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管(APD)时侧壁、表面形貌的不同,以及对暗电流和击穿电压的影响。在Cl2/Ar2/CH4条件下感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP会出现表面粗糙,对其原因进行了探究。并主要对ICP的刻蚀时间和刻蚀功率进行了优化,提高刻蚀表面的温度,保证了刻蚀的稳定性并改善了InP刻蚀表面的形貌,确定了稳定制备APD器件的刻蚀条件,最终制备出性能优良的台面型APD器件。
简介:絮凝微滤组合(简称CMF工艺)是我所开发出的含锕系元素废水处理优良工艺,并对^241Am,^238U,^235U,^239Pu废水处理中得到应用。同时开展了膜分离技术处理含裂变核素废水的实验研究。在上述研究成果及已建立的固定装置基础上,研发小型化可移动式放射性废水处理装置。可移动式废水处理系统可对含^238U,^239Pu,^241Am低放废水及含裂片核素(主要为^90Sr、^137Cs)低放废水(放射性总活度小于4×10^4Bq/L、总固体含量小于10mg/L)进行处理,处理能力0.5m^3/h,每次处理水量不大于100m^3,