简介：关于全球半绝缘(SI)GaAs晶片市场“SIGaAs衬底市场：2003～2008”预测：该市场到2008年将增长54％。2002～2003年间的增长率为43％。日本和北美仍然是体晶片的主要生产者，2003年占整个市场的43％，该地区2003年SIGaAs晶片市场(外卖和自用)增加33％。亚太地区的市场增长最快，但主要以代工模式运营以便为GaAs半导体工业的发展打下基础。

简介：在2015全国“两会”上，“节能环保”的话题已然成为会场“强音”。不过，毫无疑问的是，环境保护的攻坚战，是一场需要全民参与治理的战争。新材料相关企业作为其中一份子，如何看待这场战斗？能发挥什么样的作用？

简介：

简介：国家发展改革委副主任姜伟新10日在此间举行的“全国化工行业循环经济现场交流会”上表示，国家发展改革委将会同有关部门从研究起草《循环经济法》、组织编制循环经济发展规划、推进结构调整等七个方面推动循环经济发展。

简介：日本东北大学开发出作为读取记录容量为5TB级超高密度硬盘（HDD）信息的磁头元件的垂直平面电流模式巨磁阻元件（CPP—GMR）。由于元件的强磁性膜使用的是被称为半金属霍伊斯勒合金的材料，因此获得的与信息读取灵敏度（输出信号大小）相关的磁阻（MR）比在70％以上，比迄今为止CPP—GMR领域所发表的值提高了近一倍。

简介：制备了双酚A型苯并噁嗪（BZ）／不完全笼型苯基三羟基七聚倍半硅氧烷（（C6H5）7SiO9（OH）3（T7POSS））杂化树脂，并对其固化行为、固化所得复合材料的热性能和动态力学性能进行了表征，差示量热扫描仪（DSC）测试表明，T7POSS能显著降低体系的起始固化温度；动态粘弹分析仪（DMA）、热重分析仪（TGA）测试表明。T7POSS提高了体系的储能模量、玻璃化转变温度Tg和热稳定性。

简介：四氯化硅是西门子法多晶硅生产中副产物,其循环使用是长期制约我国多晶硅低成本生产的关键因素,但其氢化条件苛刻,温度在520~580℃,压力2.5~3.8MPa,临氢,循环生产周期短,需3个月~6个月检修和更换,生产效率低下,其更换更带来大量的三废排放,给环境带来污染。在我国,如何高效、稳定运行多晶硅循环生产的多晶硅冷氢化装置。

简介：位于美国印第安纳州韦恩堡的韦恩堡金属公司宣布其工程师开发了一种增强形状记忆合金抗疲劳持久度的无夹杂物工艺。其中,一项机械调整工艺已经应用于0.18mm超弹性镍钛合金丝,提升了20%的高循环疲劳性能和50%的低循环疲劳性能。

简介：中科院大连化学物理研究所徐恒泳研究员领导的烃类选择氧化研究组（801组）和大连华海制氢设备有限公司共同研发的金属钯复合膜氢气纯化装置工作取得重要进展，在四川峨眉半导体材料研究所完成了200m3／h规模工业化示范。该技术彻底解决了多晶硅生产循环氢气中痕量和超痕量杂质难以去除的难题。2月25日，