简介:采用恒电流(GM)电化学方法研究了电镀添加剂(3-巯基-1-丙烷磺酸钠(SPS)、环氧乙烷/环氧丙烷嵌段聚合物(EO/P05800)、3-羧基-1-(苯基甲基)吡啶翁氯化钠(BN—Betaifie))相互作用及其对铜沉积电位的影响,运用循环伏安(cV)技术分析了添加剂在电极表面的吸附以及旋转圆盘电极(RDE)转速、添加剂浓度对覆盖率的影响。包含0.0001%SPS、O.02%~O/PO、O.001%BN—Betaine的酸性镀铜液用于盲孔铜沉积测试,分析了电镀填孔在不同时期(初始期、爆发期、末期)盲孔填充性能变化规律。借助多物理场耦合平台,建立微盲孔铜沉积模型,用有限元方法讨论了电镀铜过程,获得铜沉积速率变化规律,结论与实验结果一致。
简介:基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微带多节阻抗变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,同时还加入了稳定网络,最终实现了50Ω输入输出阻抗匹配。该大功率GaNHEMT内匹配器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为4×16mm。在50V漏电压、1ms周期、10%占空比的测试条件下及5.3~5.9GHz频率范围内,输出功率均高于56dBm,最高达到56.5dBm,功率增益均大于12dB,带内功率附加效率超过48.2%。
简介:为了集成电路的低成本和高性能设计,文章通过设计SiGe异质结双极晶体管的结构和工艺,给出了微波无线通讯系统的集成方案,从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题,同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。
简介:本文首先分析了物联网当前的安全现状,从端管云三个方面梳理了存在的主要安全风险。随后提出了"端管云"联动的物联网安全防护系统,解决设备及应用的安全接入、身份认证、安全通道、密钥管理及数据保护,解决设备硬件、固件的检测及加固,解决异常或恶意行为告警与处置,并通过闭环的运营体系保证物联网系统的安全。