简介：针对物距像距法测量凹透镜焦距的实验现象进行了理论分析,加深了对成像规律的理解,并提出了减小视觉实验误差的方法：凹透镜尽量靠近虚物,减小清晰成像的范围.本文对凹透镜测焦距的实验有一定的指导意乂.

简介：基于第一性原理，计算了MgSiP2的能带结构，结果显示压强减小了能带带隙值，部分电子有效质量随着压强增大而减小。费米能级附近电子态密度计算结果显示：随着压强的增大，价带顶电子态密度的斜率逐渐减小，而导带底电子态密度的斜率逐渐增加。结合半经典玻耳兹曼理论，分别计算了p型和《型MgSiP2的电导率与弛豫时间的比值、赛贝克系数以及功率因子与弛豫时间的比值。结果发现：压强所致部分电子有效质量的减小，提高了p型和.型MgSiP2的电导率，但在一定程度上降低了MgSiP2的赛贝克系数。在压强作用下，相对于n型MgSiP2，，型MgSiP2的电导率增加幅度更大，补偿了压强所致乡型MgSiP2赛贝克系数的降低，提高了型MgSiP2的功率因子，使其大于n型MgSiP2的对应值。计算结果表明，通过增大压强可以提高p型MgSiP2的热电性能，为实验制备具有良好热电性能MgSiP2提供了指导方案。

简介：通过对局部凸空间上凸函数可微性的讨论，首先建立了关于凸函数β可微性的特征定理；定义在局部凸空间Ｅ的非空开凸子集Ｄ上的每个连续凸函数ｆ均在Ｄ的一个稠密的子集上β－可微（也称Ｅ具有β－ＬＰ性质）的充分必要条件为其对偶Ｅ“中的每个ｗ~*紧凸子集均是自己ｗ~*一β暴露点的ｗ~*　闭凸包；然后进一步证明了Ｅ~*上的ｗ~*一β扰动优化定理成立，即定义在Ｅ~*的每个有界ｗ~*闭集Ａ~*上的ｗ　下半连续有下界的函数ｇ以及每个ε　＞０均存在ｘ０　Ａ及ｘ　Ｅ满足使得（ｇ＋ｘ）（ｘ　）＝ｉｎｆＡ　（ｇ＋ｘ）且｛ｘｉ　｝　Ａ　，（ｇ＋ｘ）（ｘｉ　）→ｉｎｆＡ　（ｇ＋ｘ）推出ｘｉ　－ｘｏ　，当且仅当Ｅ具有β－ＬＰ性质．

简介：基于密度泛函理论（DFT）平面波超软赝势方法，对MgF：晶体近邻F位进行双空穴调制掺杂，选择PBE泛函进行计算，对比N单掺杂MgF：晶体和N近邻双掺杂MgF。晶体的晶体结构、电子结构以及吸收光谱．通过对电子结构的比较，研究了N近邻双掺杂对MgFz光催化活性的影响，给出了离子之间的协同作用机理．通过对比可以看出，N近邻双掺杂对MgF：晶体光学性能具有较佳的调制效果，其效果优于（N，Fe）双掺杂调制．

简介：金刚石（110）表面具有不同方向上抛光速率的强烈不对称的特征,用第一性原理全能量平面波赝势方法模拟研究了类金刚石薄膜表面的结合强度与摩擦性能,确定了相互作用模型以及排斥力作用范围,研究了范德华排斥力在摩擦表面上的分布,研究结果表明,摩擦表层感受到的力在〈001〉和〈110〉2个方向上表现明显不同,而且〈110〉方向上摩擦力一直高于〈001〉方向上的摩擦力.

简介：基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理平面波超软赝势方法，计算了纯MgF2晶体、Co掺杂MgF2晶体、P掺杂MgF2晶体和（Co，P）双掺杂MgF2晶体的电子结构和光学特性．结果表明，掺杂后的MgF2晶体发生了畸变，原子之间的键长也有所变化．（Co，P）双掺杂后，由于非金属原子P态和金属原子d态之间的轨道杂化，在MgF：的导带与价带之间形成了新的杂质能级，这些杂质能级一方面减小了MgF2的带隙宽度，使光吸收曲线红移到可见光区，另一方面有利于光生电子一空穴对的分离，提高了MgF2光催化效率．（Co，P）双掺杂使位于禁带中的杂质能级的态密度明显增加，导致电子从价带跃迁到杂质能级和从杂质能级跃迁到导带的概率增加，从而使其对太阳能的利用率提高．并揭示了（Co，P）双掺杂MgF2在光学元器件方面的潜在应用．

简介：－国内国际常用的多级旋转变压器主要有１６对极，３０对极和３６对极几种。多级旋转变压器在导航设备中起着重要作用。本文叙述了其输出的高精度角度信号如何被计算机转换成数字信号，以便为主机显控提供数据，还从原理和软硬件实现方法上给出了一种实现方案。

简介：本文首先阐述了微课程的概念、特点和作用,接着说明地理判断推理能力的概念和其培养的基本途径,然后阐述了培养地理判断推理能力的微课程开发实施的一般流程,最后以《热力环流的原理分析》的教学实践,来说明微课程在培养地理判断推理能力方面有辅助作用。