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CVD法氮化硅薄膜制备及性能

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DOI 54k8xxv04k/2538881

作者王莉

机构地区中芯国际集成电路制造（天津）有限公司

出处《科技尚品》 2019年2期

关键词

分类 [文化科学][]

出版日期 2019年02月12日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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1马静,安静. 氮化硅薄膜制备及其质量控制方法研究.建筑技术科学,2019-12.
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