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集成肖特基二极管的沟槽功率MOSFET和DC-DC转换器的性能优势

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摘要发展单片集成MOSFET和肖特基二级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时，它可以降低超过29％的反向恢复电荷，和降低24％的正向电压降。在1MHZ，集成单片FET做同步整流，其电路效率提高1.1％。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。

DOI 2d31wo8n49/402619

作者 Donald He Jason Zhang Ritu Sodhi Dan Kinzer Stuart Edawrds Paul Harvey

机构地区不详

出处《电力电子》 2005年6期

关键词集成肖特基二极管 MOSFET DC-DC转换器性能

分类 [电子电信][电路与系统]

出版日期 2005年06月16日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）