通过基于第一性原理的CASTEP计算发现，KDP晶体中Si代P点缺陷的形成能约是12．18eV，比较难在晶体中形成。模拟了此种点缺陷形成前后晶体的电子结构和能态密度，发现Si替代P后，晶体带隙宽度几乎没有变化，说明这种点缺陷不会引起晶体对光的额外吸收。Si替代P点缺陷仅使其周围的晶格及电子结构发生轻微畸变，对晶体整体结构影响不大。
齐鲁师范学院学报
2012年2期
