本文报导的高锰酸根半导体传感器（简称MnO4-—ISFET）是以乙基紫—MnO4-缔合物为电活性物质的化学半导体传感器。它是我们在研制钾离子敏感半导体传感器的基础上发展起来的又一化学半导体传感器,是传统的离子选择性电极和场效应晶体管相结合的产物。不仅工艺简单,并且具有半导体传感器的固有特点,如微型化、
渭南师范学院学报：综合版
1988年1期
