本文概述了IGBT自发明以来主要的结构改进和相应的性能改进。包括芯片集电结附近（下层）结构改进（透明集电区）、耐压层附近（中层）结构改进（NPT、FS／SPT等）和近表面层（上层）结构改进（沟槽栅结构、注入增强结构等），以及由它们组合成的NPT—IGBT、TrenchIGBT、FS—IGBT、TrenchFS-IGBT、SPT、SPT＋、IEGT、HiGT、CSTBT等。
电力电子
2006年5期
