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摘要:电容是电路中最常见的器件之一,其主要作用有滤波、旁路、去耦、储能等。本文从插入损耗的角度入手,通过实测数据分析了寄生参数,引线长短、电容容值、数量,等因素对滤波效果的影响。
关键词:插入损耗 寄生参数 滤波
一、引言
无源滤波电路一般是由电容、电感、电阻等无源器件组成的滤波网络,其滤波效果主要取决于器件参数,电路拓扑,接地效果及与源、负载之间的阻抗匹配等因素。其中器件参数是基础,而电容是滤波电路中的灵魂,其较之电感、电阻有更灵活、更优异的参数调整空间。
二、插入损耗的定义
插入损耗是衡量滤波电路最重要的性能指标,它决定滤波电路性能的好坏。插入损耗的计算公式如下:
(dB)
式中,,Uin是某频率的干扰信号在滤波电路输入端的电压,Uout是干扰信号在滤波电路输出端的电压。插入损耗用分贝(dB)表示,分贝值越大,说明抑制当前频率噪声干扰的能力越强。
三、寄生参数对插入损耗的影响
理想的电容是没有寄生参数的,随频率的增大,插入损耗是呈线性增长的。但实际电容因结构、引线的影响,都存在寄生参数,其插入损耗会在线性增长的过程中达到一个最高点,然后逐渐回落,这个最高点称为器件的自谐振频率,该谐振点的频率为:
其中L为电容的等效寄生电感(ESL),C为电容容值。理想电容与实际电容的插入损耗曲线对比如图1所示。
图
1 理想器件与实际器件插入损耗曲线对比
因
电容种类繁多,这里我们对最常用的陶瓷贴片电容做一个测试对比,部分测试数据如图2所示,测试仪器为RS公司的四通道矢量网络分析仪ZNB4,测试源阻抗和负载阻抗都是50Ω。
图2 陶瓷贴片电容插入损耗测试对比
从测试结果我们统计并计算出各容值的贴片电容的fs和ESL如表1所示。从表中我们可以看出,贴片电容的ESL一般在10nH以下,封装越小,ESL越小。
表1 贴片电容寄生参数对比
电容容值 C | 自谐振频率 fs(MHz) | 寄生电感预估 ESL(nH) | 备注 |
10pF | 748 | 4.53 | |
47pF | 270 | 7.40 | |
100pF | 224 | 5.05 | |
1000pF | 68 | 5.48 | |
47nF | 9.8 | 5.62 | |
100nF | 7.1 | 5.03 | |
1uF | 2.79 | 3.26 | |
4.7uF | 1.37 | 2.87 | |
10uF | 0.9 | 3.13 | |
0.47uF | 3.18 | 5.33 | 2220封装 |
0.47uF | 3.30 | 4.95 | 0805封装 |
0.47uF | 3.87 | 3.6 | 0603封装 |
四、引线对插入损耗的影响
电容的引线相当于给电容引入一个外部的ESL,引线的长短、粗细对其滤波性能有相当大的影响,这里我们选取了一个1210封装、3.3uF的陶瓷贴片电容进行对比测试,测试数据如图3所示。
图
3 不同引线电容插入损耗测试对比
从测试结果我们可以看出,引线越长,电容的谐振频率越低,高于谐振频率部分的插入损耗也衰减得越明显,整体的滤波效果下降。一般引线的电感平均为10nH/mm,大面积的覆铜可大大降低引线电感,所以在PCB布线时电容引线应该尽量短而粗,最好使用覆铜。
五、电容容值、数量对插入损耗的影响
电容容值对滤波效果的影响是毋庸置疑的,针对干扰的频率选取合适的容值非常关键。从插入损耗的角度来看,大电容的自谐振频率偏低,小电容的自谐振频率偏高,而在自谐振频率附近的滤波效果是最好的, 这就是我们常说“大电容滤低频,小电容滤高频”的道理。
大
小电容的插入损耗实测数据可以参考图2,这里主要对不同容值电容并联及同容值电容并联的情况再做分析。图4为不同容值及同容值电容并联的插入损耗数据。
图4 电容并联插入损耗测试
从图中我们可以看出,大小电容的并联确实能够对高低频信号都能起到滤波效果,但在其插入损耗网线的交汇处会形成一个新的谐振点,我们称之为反共振频率点,在这个频率点周围,并联电容的插入损耗相对于单个电容来说是偏低的,如果在这个点附近有干扰信号,可能会达不到EMC的要求。
而同容值的电容并联并不是1+1=2的效果,与电容的布局有很大关系。电容并联使用后,等效电容C变成了nC,等效电感L变为L/n,因为等效电感的变低,整体的滤波效果会比单个电容会有所提升,这就是图中3个1uF电容并联比1个3.3uF电容的整体性能稍好的原因。同时我们发现,并联电容的间距拉大,电容间引入新的引线电感,某段频率的插入损耗会有所提升,但可能导致新的谐振问题,如图10中2.6MHz处的振荡,所以电容并联使用时应尽量减小电容间的间距,以免引入不必要的谐振问题。
六、结论
本文从插入损耗的角度入手,通过实测数据分析了影响电容滤波效果的各类因素,得出以下结论:1)实际电容存在寄生参数,在其自谐振频率附近滤波效果最好;2)贴片电容的ESL一般在10nH以下,封装越小,ESL越小;3)电容引线应该尽量短而粗,PCB最好使用覆铜;4)大小电容的并联需要注意反共振频率点的风险;5)同容值的电容并联时应尽量减小电容间的间距。
参考文献:
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