文章首先详细研究了D类音频放大器和相关的BiCMOS的基本原理和结构，并在此基础上综合现阶段国内市场对D类功率放大器的需求，开发了基于0．6μm特征线宽、双层多晶、双层金属的多晶发射极BiCMOS工艺的D类功率放大器。该D类音频放大器，在5V电压下可以以1．4W／Ch的功率驱动阻抗为8的负载。它同样可驱动阻抗为4的负载，5V电压下提供的最大功率为2．1W／Ch。同时还详细描述了前置音频放大器，三角波产生电路、比较器，死区控制电路，输出驱动电路等子模块的设计内容。电路在Cadence环境下进行设计和仿真验证，经过仿真表明电路设计性能良好，符合设计要求，可广泛应用于便携式电子产品。
电子与封装
2009年5期
