简介：摘要古代诗歌鉴赏作为高中语文教学内容其中的一个重要组成部分，不管是在课堂教学还是在考试中都具有重要的地位。而加强古代诗歌的鉴赏能力，不仅能够有效使学生的思维能力得到充分的发展，而且还可以促进高中语文教学质量的提高。因此本文首先简单介绍高中语文进行古代诗歌鉴赏的意义，其次分析高中语文古代诗歌鉴赏的现有情况，最后对加强高中语文古代诗歌鉴赏的策略进行探讨，以期能够为提高学生的诗歌鉴赏能力提供参考。

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简介：本节中，周宏仁博士说明了信息革命对第一和第三产业的影响。对于电子商务，他指出：早期电子商务的发展，关注的只是在现有业务模式之下消除中间环节、加快商品交易的速度和便捷性，提高效率和有效性；目前，许多新的电子商务企业则将重点置于商务业务模式的革命性转变上。

简介：通过电抗加载来控制方向图主瓣指向的天线称为电控无源阵列天线，简称ESPAR天线。提出了一种三单元H形缝隙耦合馈电贴片ESPAR相控阵天线，该天线通过分别改变加在两侧寄生辐射贴片馈电端的直流控制电压来改变相应的电抗加载值，从而使其实现宽波束扫描。给出了该天线的详细分析，以及电磁仿真结果，结果表明，该天线在H面上能实现-30°～30°的宽波束扫描。

简介：近期,国家发改委等10部门《推进“互联网＋政务服务”开展信息惠民试点的实施方案》（以下简称《实施方案》）甫一出来,各大媒体的解读也扑面而来,然而,综观所有“解读”,对《实施方案》“如何落实”却甚少涉及.其实,信息惠民工程的背景、意义以及目标早在2014年国家发改委等12部门组织实施信息惠民工程时就已交待清楚,而《实施方案》的背景、意义以及目标在《实施方案》中也已详阐述.在此情形下,解读政策文件的同时,深入探讨在接下来的两年时间内如何落实《实施方案》应该更为实际和重要.

简介：PHOTOSHOP巡展已经成功地吸引了设计界的注意．那么，来参加巡展的人对这次巡展有什么期待，看了巡展之后又有什么感觉呢？为了听到参加会展的听众的真实声音，本刊记者分别在这次大会的会前、会中和会后对与会者进行了现场采访。

简介：静态存储器（SRAM）功耗是整个芯片功耗的重要组成部分,并且大规模SRAM的仿真在芯片设计中也相当费时。提出了一种基于40nmCMOS工艺、适用于FPGA芯片的SRAM单元结构,并为该结构设计了外围读写控制电路。仿真结果表明,该结构的SRAM单元在保证正确的读写操作下,静态漏电电流远远小于同工艺下普通阈值CMOS管构造的SRAM单元。同时,为了FPGA芯片设计时大规模SRAM功能仿真的需要,为SRAM单元等编写了verilog语言描述的行为级模型,完成了整个设计的功能验证。

简介：国务院总理李克强在十二届全国人大四次会议政府工作报告中,把“互联网＋”引入到政务工作上,明确提出了“互联网＋政务服务”的理念和要求.为了深入贯彻党中央、国务院关于加快政府职能转变、简政放权、放管结合、优化服务的工作部署,《推进“互联网＋政务服务”开展信息惠民试点的实施方案》（以下简称《实施方案》）近期得到国务院领导的亲自签批,并得到了最近召开的国家大数据部际联席会议的一致赞同。

简介：针对现有二三维态势显示平台的局限性,提出了一种空天地一体三维态势显示系统,并介绍了该系统的系统架构和工作原理。最后将空天地一体三维态势显示系统应用于某信息战对抗训练。应用结果表明,该系统实现了时空一体化、空天地一体化以及二三维一体联动的全方位态势信息的综合展示。

简介：“一带一路”是中国提出的重要的国际合作倡议,顺应和平、发展、合作、共赢的时代潮流,得到国际社会的广泛关注和众多国家的积极响应。作为国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业,半导体产业的全球化发展继续呈现增长势头。随着综合国力的增强和半导体产业的快速发展,我国开始了新一轮的半导体发展热潮,但产能不足及劳动力优势的减弱,促使中国半导体企业谋求走出去发展战略。“一带一路”毗邻国家有较大的市场需求前景及人口红利优势,国家对于“一带一路”项目的资金援助,也为中国半导体企业走出去提供了机遇和可能。分析了“一带一路”国家的半导体产业现状,中国半导体企业参与其市场的机会、优势、注意事项,并祝愿更多的中资企业从容应对各种挑战,成就中国集成电路企业的国际化梦想。

简介：提出了一个基于商用65nm工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻模式，并保持输出逻辑电平不变，而当输入端有相同的逻辑值时，C单元的功能就像一个反相器的特性。因此它有把因为辐射粒子引起的单粒子翻转（SEU）效应或单粒子传输（SET）效应所产生的毛刺滤除掉的能力。在这个标准单元库中包含了在晶体管级使用C单元设计了抗辐射的触发器，以便于芯片设计者可以使用这个库来设计具有更高抗辐射能力和减小面积、功耗和延迟的芯片。在最后为了能表征标准单元在硅片上的延迟特性，一个基于环形振荡器的芯片结构用来测量每个单元的延迟，以及验证抗辐射能力。延迟测量结果跟版图后仿真结果偏差在10％以内。

简介：国内喷墨一体机市场每天都在变，唯一不变的就是HP领先的市场地位。近日，据IDC公布的最新统计数据显示．今年前三季度喷墨一体机累积出货量排名中．HP以63．2％的市场份额排名第一。HP喷墨一体机之所以长期遥遥领先．这主要归功于HP品牌、服务、销售、技术、设计等的全方位领先优势．如今它已经成为全面领先的一体机专家的代名词。

简介：自对准双重图型（SADP）技术广泛应用于28nm以下节点逻辑电路制造工艺和存储器制造工艺。与其他双重图形技术（LELE,LPLE）相比,在处理二维图形分解时,SADP面临更复杂的要求。针对一种简单的二维图形,介绍了3种图形分解方法,可以有效改善线宽和对准工艺窗口。

简介：文章首先分析了静态随机存储器（SRAM）6T存储单元结构的基本工作原理，总结了6T存储单元的优缺点并介绍了存储单元的重要参数静态噪声容限（SNM）。在此基础上给出了一种基于实际深亚微米CMOS工艺的存储单元的设计方法，该方法的优势在于首先考虑单个读、写操作的限制，然后将多个限制因素综合在一起考虑，并通过三维曲线图形为仿真提供指导，以提高设计效率，缩短设计周期。最后给出了存储单元的晶体管参数并采用Hspice进行验证，仿真结果表明，采用这种方法设计出来的单元是稳定可靠的。

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简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：针对传统的三站三维空间定位算法需求解四次方程,算法较为复杂,且容易产生定位模糊的问题,提出一种利用辅助纬度信息的三站时差定位算法。该算法利用近似纬度信息,按照三站二维平面定位的算法对目标进行粗定位,将粗定位结果作为初值代入牛顿迭代格式进行迭代运算,从而得出目标点精确三维位置坐标。由仿真结果可知,运用该算法对纬度方向相对集中的区域内的目标进行定位,定位精度、运算效率较高,减少了定位模糊的发生。

简介：文章对等离子清洗技术做了全面介绍，不仅介绍了有关等离子的基本概念、低温等离子体制备技术及其相关装置，而且着重介绍了它在精密清洗中的应用及其注意事项，指出等离子清洗技术在淘汰ODS清洗剂过程中能够发挥重要作用。

简介：第一部分金属清洗总论1.金属表面的污染物1.1金属表面污染物的类型金属表面的污染物除了来自周围环境中的污垢和灰尘以外,还包括前一道生产工序带来的残留物.