简介:NMOS管I-V曲线在ESD(electrostaticdischarges)脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。
简介:任何新技术的出现,势必产生对精细加工的更高要求,从而有利于采用主流技术和持续改进工艺过程。在无铅制造中,第一个障碍就是合金和化学制剂的选择,这也是一个基本的过程。根据早期对合金和化学制剂选择方面的工作的理解,我们对影响产能的主要因素作了进一步优化。这些因素包括温度曲线、PWB的表面处理、元器件的金属喷镀、阻焊膜的选择或网板设计。由于网印对直通率的影响很大,而且与基于铅的焊料相比,无铅合金在湿润性方面表现出很大的差异,本文作者对网板的几何开孔方法进行了研究,旨在优化出理想的SMT特性。我们系统的研究了无铅合金在部分表面处理上浸润性较差的问题;同时,尝试了最大化焊盘覆盖率面的开孔设计,这样可以减少缺陷——像MCSB(mid—chipsolderballs)。除了参考网板开孔设计指南,还将重新评估整个网板设计的优化方法。